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友尚新推采用安森美NCP1345搭配氮化鎵系統(tǒng)的65瓦PD電源方案_大幅精簡線路與提高功率密度

  • NCP1345是次世代高度集成的準共振Flyback, 適用于設(shè)計高性能電源轉(zhuǎn)換器為了單純adapter 或 adapter with USB-PD (type?C or type-A) , 或 openframe 等電源轉(zhuǎn)換器, 包括雙 VCC 架構(gòu), 允許直接連接到輔助繞組, 以進行簡化 VCC 管理零件計數(shù)減少并增加性能。CP1345 還具有精確的基于主要一次側(cè)的輸出限制電路,以確保恒定輸出電流限制,無論設(shè)計輸出電壓或輸出功率如何。準共振 (QR)專有波谷鎖定電路,以確保穩(wěn)定的波谷切換,當下降到第6
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世平安森美推出新一代GaN氮化鎵/SiC碳化硅MOSFET高壓隔離驅(qū)動器NCP51561 應(yīng)用于高頻小型化工業(yè)電源

  • 現(xiàn)階段硅元件的切換頻率極限約為65~95kHz,工作頻率再往上升,將會導致硅MOSFET耗損、切換損失變大;再者Qg的大小也會影響關(guān)斷速度,而硅元件也無法再提升。因此開發(fā)了由兩種或三種材料制成的化合物半導體GaN氮化鎵和SiC碳化硅功率電晶體,雖然它們比硅更難制造及更昂貴,但也具有獨特的優(yōu)勢和優(yōu)越的特性,使得這些器件可與壽命長的硅功率LDMOS MOSFET和超結(jié)MOSFET競爭。GaN和SiC器件在某些方面相似,可以幫助下一個產(chǎn)品設(shè)計做出更適合的決定。?GaN氮化鎵是最接近理想的半導體開關(guān)的器
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大聯(lián)大友尚集團推出基于onsemi和GaN System產(chǎn)品的PD快充電源方案

  • 2022年9月20日,致力于亞太地區(qū)市場的領(lǐng)先半導體元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布,其旗下友尚推出基于安森美(onsemi)NCP1623和NCP1343產(chǎn)品以及氮化鎵系統(tǒng)公司(GaN System)GS-065-011-2-L功率晶體管的PD快充電源方案。 圖示1-大聯(lián)大友尚基于onsemi和GaN System產(chǎn)品的PD快充電源方案的展示板圖 以手機、電腦為代表的移動智能設(shè)備已經(jīng)成為人們?nèi)粘I畹闹匾ぞ?,然而隨著這些設(shè)備所覆蓋的功能越來越多,設(shè)備有限的續(xù)航能力已經(jīng)無法滿足用戶對
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大聯(lián)大世平集團推出基于onsemi產(chǎn)品的4KW 650V工業(yè)電機驅(qū)動方案

  • 致力于亞太地區(qū)市場的領(lǐng)先半導體元器件分銷商---大聯(lián)大控股近日宣布,其旗下世平推出基于安森美(onsemi)NFAM5065L4B智能功率整合模塊(IPM)的4KW 650V工業(yè)電機驅(qū)動方案。圖示1-大聯(lián)大世平基于onsemi產(chǎn)品的4KW 650V工業(yè)電機驅(qū)動方案的展示板圖近年來,隨著科技高速發(fā)展以及工業(yè)4.0的加速推進,工業(yè)市場對于電機的需求與日俱增。根據(jù)相關(guān)機構(gòu)調(diào)查顯示電機的耗電量約為全球電力供應(yīng)的50%。這在節(jié)能減排、實現(xiàn)“雙碳”的統(tǒng)一戰(zhàn)略目標下,是一項亟待解決的問題。為了提升電機運轉(zhuǎn)效率降低能源損
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大聯(lián)大友尚集團推出基于onsemi產(chǎn)品的100W PD電源適配器方案

  • 2022年8月18日,致力于亞太地區(qū)市場的領(lǐng)先半導體元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布,其旗下友尚推出基于安森美(onsemi)NCP1343芯片的100W PD電源適配器方案。      圖示1-大聯(lián)大友尚基于onsemi產(chǎn)品的100W PD電源適配器方案的展示板圖 在電池續(xù)航能力遲遲無法突破的今天,快速充電技術(shù)無疑成為各大廠商研發(fā)和宣傳的重點之一。近幾年,隨著USB Type-C接口的普及,Power Delivery(PD)協(xié)議不僅為包括智能手機在內(nèi)的
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大聯(lián)大世平集團推出基于onsemi產(chǎn)品的5G基站電源方案

  • 2022年8月9日,致力于亞太地區(qū)市場的領(lǐng)先半導體元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布,其旗下世平推出基于安森美(onsemi)FAN65008B同步降壓IC的5G基站電源方案。 圖示1-大聯(lián)大世平集團推出基于onsemi產(chǎn)品的5G基站電源方案的展示板圖 5G時代的到來,從根本上顛覆了現(xiàn)有的傳統(tǒng)通訊方式,它加速了現(xiàn)實社會與互聯(lián)網(wǎng)空間的快速融合,讓人與人、人與機器的交互都步入了一個全新的水平。而發(fā)展5G的一重要目標就是在提高信息傳輸速率、減少延遲的同時,節(jié)約能源、降低系統(tǒng)成本。隨著5G信號大
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基于onsemi高幀率相機模組ARX3A0與低功耗藍牙模組NCH-RSL10SIP的智能相機方案

  • 物聯(lián)網(wǎng),廣泛的定義包含任何可以連網(wǎng)的物件,包括從工廠機具、汽車、手機、智能手表等行動裝置。近年的物聯(lián)網(wǎng)更特指結(jié)合各式感測器、軟體、AI等技術(shù)的互聯(lián)設(shè)備,能夠傳輸和接收各種數(shù)據(jù)達成大數(shù)據(jù)收集的應(yīng)用。大聯(lián)大友尚集團針對智能監(jiān)控市場,推出基于SunplusIT SPCV1100A及安森美AR0330、RSL10的智能拍攝相機方案,支持安全監(jiān)控、溫濕度監(jiān)控及Amazon Recognition分析圖像。硬體設(shè)計 :產(chǎn)品特點 :低功耗藍芽模組 RSL10 SIP超低能耗 : RSL10 具有杰出的整體電源曲線,能針
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基于onsemi AP0200AT+AR0147AT 的車載以太網(wǎng)攝像頭方案

  • 此方案采用onsemi AP0200AT ISP芯片結(jié)合AR0147AT車規(guī)影像傳感器,應(yīng)用于車載以太網(wǎng)攝像頭; AP0200AT 是一款專用的汽車圖像協(xié)處理器,能夠?qū)崿F(xiàn)使用安森美半導體百萬像素高動態(tài)范圍 (HDR) 傳感器的靈活攝像頭平臺。傳感器和協(xié)處理器的雙芯片解決方案可實現(xiàn)多種攝像頭價格和性能點,能夠重用電路板設(shè)計,進入市場快,實現(xiàn)設(shè)計靈活性。傳感器性能由于減少了一個單獨協(xié)處理器芯片的發(fā)熱而得以提高,同時可實現(xiàn)高性能功能。AP0200AT 提供以太網(wǎng)輸出,最高可支持 2 百萬像素傳感器。它包括一個空
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關(guān)于防反接保護電路設(shè)計的討論

  •   防反接保護電路   1,通常情況下直流電源輸入防反接保護電路是利用二極管的單向?qū)щ娦詠韺崿F(xiàn)防反接保護。如下圖1示:   這種接法簡單可靠,但當輸入大電流的情況下功耗影響是非常大的。以輸入電流額定值達到2A,如選用Onsemi的快速恢復(fù)二極管MUR3020PT,額定管壓降為0.7V,那么功耗至少也要達到:Pd=2A×0.7V=1.4W,這樣效率低,發(fā)熱量大,要加散熱器。   2,另外還可以用二極管橋?qū)斎胱稣鳎@樣電路就永遠有正確的極性(圖2)。這些方案的缺點是,二極管上的壓降會消耗
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安森美推出新款USB 2.0過壓保護器件

  •   全球領(lǐng)先的高性能、高能效硅方案供應(yīng)商安森美半導體推出業(yè)界首款帶集成電流保護和高速靜電放電(ESD)保護的過壓保護(OVP)器件——NCP362,用于便攜、電信、消費和計算系統(tǒng)中的USB 2.0應(yīng)用。   這集成器件加強USB端口的安全性,簡化便攜電子產(chǎn)品的設(shè)計,不需要使用獨立的OVP、過流保護(OCP)及瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)等元件; NCP362未面市前,設(shè)計人員仍需要采用這些元件來保護易受影響的便攜設(shè)備,使其免受源于USB主設(shè)備(host)、墻式適配器、人體及不恰當
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安森美半導體 ATX電源參考設(shè)計

  • 安森美半導體(ON Semiconductor)推出業(yè)界第一款通過測試、符合80 PLUS計算應(yīng)用性能要求的開放式ATX參考設(shè)計。這款250瓦(W)的參考設(shè)計實現(xiàn)了ATX電源的所有功能模塊,包括功率因數(shù)校正、開關(guān)模式電源控制和穩(wěn)壓、后穩(wěn)壓及輸出整流。這款設(shè)計應(yīng)用了安森美半導體的多個先進電源管理器件,并利用先進的分立元件技術(shù)取得性能上的突破。  安森美半導體電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品部副總裁Andy Williams說:“這款通過認證的80 PLUS ATX參考
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