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存儲市場前瞻：DDR5 需求顯著增長、AI 崛起讓手機(jī)內(nèi)存邁入 20GB 時代

  • IT之家?11 月 24 日消息，由于廠商減產(chǎn)的效果逐漸顯現(xiàn)，以及特定應(yīng)用市場的持續(xù)強(qiáng)勁需求，DRAM 和 NAND 閃存價格在 2023 年第 4 季度呈現(xiàn)全面上漲，并有望持續(xù)到明年第 1 季度。集邦咨詢分析預(yù)估，2023 年第 4 季度移動 DRAM 合約價格預(yù)計上漲 13-18%，而 eMMC 和 UFS NAND Flash 合約預(yù)計上漲約 10-15%，上漲趨勢會持續(xù)到 2024 年第 1 季度。移動 DRAM：根據(jù)國外科技媒體 WccFtech 報道，2024 年手機(jī)的一個明顯變化是
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越便宜越?jīng)]人買！全球SSD出貨量暴跌10% 用戶買漲不買跌

  • 11月22日消息，據(jù)TrendForce最新報告，2022年全球SSD出貨量為1.14億塊，同比下降10.7%。報告中指出，2021年上半年受到主控IC短缺的影響，SSD出貨量不高；但在2022年下半年供應(yīng)情況已經(jīng)極大緩解，渠道SSD市場恢復(fù)正常供需狀態(tài)。隨著個人電腦和計算機(jī)硬件市場的萎縮，固態(tài)硬盤的需求依然疲軟，而更多的用戶也是買漲不買跌（便宜了還能更便宜，便宜反而買單的人銳減）。TrendForce稱，由于NAND閃存供應(yīng)商積極減產(chǎn)，導(dǎo)致整個行業(yè)價格上漲，市場情緒在2022年第三季度末"迅速
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一文看懂TSV技術(shù)

  • 前言從HBM存儲器到3D NAND芯片，再到CoWoS，硬件市場上有許多芯片是用英文稱為TSV構(gòu)建的，TSV是首字母縮寫，TSV（Through Silicon Via）中文為硅通孔技術(shù)。它是通過在芯片與芯片之間、晶圓和晶圓之間制作垂直導(dǎo)通；TSV技術(shù)通過銅、鎢、多晶硅等導(dǎo)電物質(zhì)的填充，實現(xiàn)硅通孔的垂直電氣互聯(lián)，這項技術(shù)是目前唯一的垂直電互聯(lián)技術(shù)，是實現(xiàn)3D先進(jìn)封裝的關(guān)鍵技術(shù)之一。在本文中，我們將告訴您它們是什么，它們?nèi)绾喂ぷ饕约八鼈兊挠猛?。?000年的第一個月，Santa Clara Universi
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市況好轉(zhuǎn) 內(nèi)存廠Q3獲利嗨

  • NAND Flash現(xiàn)貨價于8月中旬反彈，DRAM價格也在9月開始回升，內(nèi)存市況確立好轉(zhuǎn)，帶動內(nèi)存族群獲利能力普遍呈現(xiàn)攀升。觀察第三季內(nèi)存族群財報，內(nèi)存制造大廠包括南亞科、旺宏及華邦電仍呈小幅虧損；內(nèi)存模塊廠創(chuàng)見、威剛、廣穎、品安、宇瞻單季每股稅后純益（EPS）皆有1元以上，宜鼎及群聯(lián)單季EPS更分別有3、4元以上亮眼成績。另從毛利率、營利率及稅后純益率三大財務(wù)指標(biāo)來看，第三季財報數(shù)字呈現(xiàn)「三率三升」的內(nèi)存廠商，則有創(chuàng)見、威剛、十銓、廣穎、宜鼎、品安，財務(wù)成績表現(xiàn)亮眼。此外，威剛14日公告10月自結(jié)財務(wù)數(shù)
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2023年慕尼黑華南電子展：EEPW&東芯半導(dǎo)體股份有限公司

  • 在本次展會上，東芯半導(dǎo)體也來到了EEPW的直播間。東芯半導(dǎo)體股份有限公司成立于2014年，作為Fabless芯片企業(yè)，東芯半導(dǎo)體擁有獨立自主的知識產(chǎn)權(quán)，聚焦于中小容量NAND/NOR/DRAM芯片的研發(fā)、設(shè)計和銷售，是目前國內(nèi)少數(shù)可以同時提供NAND/NOR/DRAM設(shè)計工藝和產(chǎn)品方案的存儲芯片研發(fā)設(shè)計公司。2022年EEPW曾有幸采訪過東芯半導(dǎo)體副總經(jīng)理陳總，這次在2023年慕尼黑華南電子展上，陳總向我們介紹了東芯半導(dǎo)體這次在展會上帶來了全線的產(chǎn)品，包括了NAND/NOR/DRAM。目前東芯在NAND
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SK 海力士

  • 韓國芯片制造商 SK 海力士（SK Hynix）在經(jīng)歷了又一個利潤率和收入下降的季度后，表現(xiàn)得很勇敢，強(qiáng)調(diào)了需求的逐步恢復(fù)，以及在今年早些時候削減資本支出后，計劃在 2024 年增加資本支出。在第三季度財報電話會議上，首席財務(wù)官 Kim Woohyun 指出，對高性能存儲芯片的需求不斷增長，降低了銷售額的下降率。然而旗艦智能手機(jī)的發(fā)布和人工智能服務(wù)器部署的激增推動了芯片需求。"我們相信，內(nèi)存行業(yè)終于度過了嚴(yán)重的低迷期，正在進(jìn)入全面復(fù)蘇階段"。Kim指出，該公司的目標(biāo)是通過考慮投資效率和
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預(yù)估第四季Mobile DRAM及NAND Flash合約價均上漲

  • 據(jù)TrendForce集邦咨詢最新研究顯示，第四季Mobile DRAM合約價季漲幅預(yù)估將擴(kuò)大至13~18%。NAND Flash方面，eMMC、UFS第四季合約價漲幅約10~15%；由于Mobile DRAM一直以來獲利表現(xiàn)均較其他DRAM產(chǎn)品低，因此成為本次的領(lǐng)漲項目。季漲幅擴(kuò)大包括幾個原因，供應(yīng)方面：三星擴(kuò)大減產(chǎn)、美光祭出逾20%的漲幅等，持續(xù)奠定同業(yè)漲價信心的基礎(chǔ)。需求方面：2023下半年Mobile DRAM及NAND Flash（eMMC、UFS）除了受傳統(tǒng)旺季帶動，華為Mate
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NAND閃存市場，開始洗牌

  • 最近，鎧俠和西部數(shù)據(jù)的合并已經(jīng)傳來消息，或?qū)⒂诒驹逻_(dá)成合并協(xié)議。當(dāng)初，業(yè)內(nèi)聽到這兩大存儲企業(yè)的合并是非常驚訝的，畢竟鎧俠在 NAND 領(lǐng)域世界排名第二、西部數(shù)據(jù)排在第四，這兩大巨頭的合并可以震動存儲市場。具體來看一下，目前兩家企業(yè)的合并方式。西部數(shù)據(jù)這邊將拆分 NAND Flash 閃存部門，與鎧俠合并。在合并后成立新的控股公司，在交換新公司所需數(shù)量的股份后，西部數(shù)據(jù)將保留 50.1% 的資產(chǎn)，其余 49.9% 將歸鎧俠所有。新的公司在美國注冊，但總部設(shè)置在日本，并且股票將在美國和東京證劵交易所上市，采用
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傳三星計劃2024年將量產(chǎn)第九代V-NAND閃存

  • 近日，據(jù)媒體報道，三星電子存儲業(yè)務(wù)主管李政培稱，三星已生產(chǎn)出基于其第九代V-NAND閃存產(chǎn)品的產(chǎn)品，希望明年初可以實現(xiàn)量產(chǎn)。三星正在通過增加堆疊層數(shù)、同時降低高度來實現(xiàn)半導(dǎo)體行業(yè)最小的單元尺寸。目前，存儲產(chǎn)業(yè)處于緩速復(fù)蘇階段，大廠們正在追求存儲先進(jìn)技術(shù)的研發(fā)。從當(dāng)前進(jìn)度來看，NAND Flash的堆疊競賽已經(jīng)突破200層大關(guān)：SK海力士已至321層，美光232層，三星則計劃2024年推出第九代3D NAND（有望達(dá)到280層）。據(jù)悉，三星將于2025-2026年推出第十代3D NAND(有望達(dá)到430層）
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三星將擴(kuò)建中國西安的NAND芯片工廠

  • 三星電子計劃將其西安NAND閃存工廠升級到236層NAND工藝，并開始大規(guī)模擴(kuò)張。據(jù)外媒，三星電子計劃將其西安NAND閃存工廠升級到236層NAND工藝，并開始大規(guī)模擴(kuò)張。報道中稱，三星已開始采購最新的半導(dǎo)體設(shè)備，新設(shè)備預(yù)計將在2023年底交付，并于2024年在西安工廠陸續(xù)引進(jìn)可生產(chǎn)236層NAND的設(shè)備。此前消息稱，美國同意三星電子和SK海力士向其位于中國的工廠提供設(shè)備，無需其他許可。據(jù)了解，目前三星西安工廠已成為世界上最大的NAND制造基地，約占了三星NAND總產(chǎn)量的40%。
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三星西安工廠工藝升級獲批，將引進(jìn)236層NAND芯片生產(chǎn)設(shè)備

  • 據(jù)悉，三星電子經(jīng)營高層日前做出決定，將升級位于中國西安的 NAND 閃存工廠，為完成工廠制程升級已下單采購最新半導(dǎo)體設(shè)備，或?qū)⒂诮衲昴甑组_始引進(jìn)新設(shè)備。西安工廠是目前三星電子位于海外的唯一內(nèi)存芯片生產(chǎn)基地，2014 年開始投產(chǎn)，經(jīng) 2020 年擴(kuò)建二期項目后，目前每月生產(chǎn) 20 萬張 12 英寸芯片，是全球最大的 NAND 閃存生產(chǎn)基地，占三星電子 NAND 芯片總產(chǎn)量的 40% 以上。三星電子計劃明年在西安工廠內(nèi)部署生產(chǎn) 236 層（第 8 代）NAND 芯片的設(shè)備，并依次完成工藝轉(zhuǎn)換。2022 年 1
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第四季NAND Flash合約價季漲幅預(yù)估8~13%

  • 據(jù)TrendForce集邦咨詢集邦咨詢研究顯示，由于供應(yīng)商嚴(yán)格控制產(chǎn)出，NAND Flash第四季合約價全面起漲，漲幅約8~13%。展望2024年，除非原廠仍能維持減產(chǎn)策略，且服務(wù)器領(lǐng)域?qū)nterprise SSD需求回溫，否則在缺乏需求作為支撐的前提下，NAND Flash要延續(xù)漲勢將有難度。Client SSD方面，由于原廠及模組廠均積極漲價，促使PC OEM欲在價格相對低點預(yù)備庫存，采購量會較實際需求量高。而供應(yīng)商為擴(kuò)大位元出貨量，已在第三季推出促銷，故Client SSD價格沒有
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三星、SK海力士拿到無限期豁免權(quán)

  • 10月9日，韓國總統(tǒng)辦公室通報，美國目前已做出決定 —— 在無需單獨批準(zhǔn)的情況下，三星和SK海力士可以向中國工廠提供半導(dǎo)體設(shè)備，該決定一經(jīng)通報即生效。據(jù)悉，無限期豁免將通過更新Validated End-User（VEU）清單來取得。若被納入該清單，便無需額外獲得許可，代表美國出口管制的適用性實際上是被無限期暫停。三星在一份聲明中表示，“通過與相關(guān)政府的密切協(xié)調(diào)，與我們在中國的半導(dǎo)體生產(chǎn)線運營有關(guān)的不確定性已大大消除?！盨K海力士則表示，“我們歡迎美國政府決定延長對出口管制規(guī)定的豁免。我們相信，這一決定將
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存儲芯片，果真回暖了

  • 受需求放緩、供應(yīng)增加、價格競爭加劇等因素影響，存儲芯片的價格在 2022 年最后兩個季度均出現(xiàn)暴跌。根據(jù) TrendForce 的最新數(shù)據(jù)顯示，DRAM 的平均價格繼 2022 年第三季度暴跌 31.4% 之后，在第四季度的跌幅擴(kuò)大到了 34.4%。今年 Q1，DRAM 均價跌幅收斂至 13%～18%，Q2 DRAM 價格跌幅收窄至 10% 到 15%。與 DRAM 市況相似，NAND 閃存的市場需求也大幅下滑。2022 年 Q3 和 Q4 NAND Flash 價格跌幅均超過 20%，今年 Q1 NAN
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1γ DRAM、321層NAND！存儲大廠先進(jìn)技術(shù)競賽仍在繼續(xù)

  • 盡管由于經(jīng)濟(jì)逆風(fēng)、高通貨膨脹影響，存儲產(chǎn)業(yè)身處下行周期，但存儲大廠對于先進(jìn)技術(shù)的競賽仍在繼續(xù)。對DRAM芯片而言，先進(jìn)制程意味著高能效與高容量，以及更好的終端使用體驗。當(dāng)前，DRAM先進(jìn)制程工藝——10nm級別目前來到了第五代，美光稱之為1β DRAM，三星稱之為1b DRAM。美光去年10月開始量產(chǎn)1β DRAM之后，計劃于2025年量產(chǎn)1γ DRAM，這將是美光第1代采用極紫外光（EUV）的制程技術(shù)，目前在美光只在臺中有EUV的制造工廠，因此1γ制程勢必會先在臺中廠量產(chǎn)，未來日本廠也有望導(dǎo)入EUV
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