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6月中國市場NAND Flash Wafer部分容量合約價有望小幅翻揚

  • 據(jù)TrendForce集邦咨詢調(diào)查，5月起美、韓系廠商大幅減產(chǎn)后，已見到部分供應商開始調(diào)高wafer報價，對于中國市場報價均已略高于3~4月成交價。因此，TrendForce集邦咨詢預估6月在模組廠啟動備貨下，主流容量512Gb NAND Flash wafer有望止跌并小幅反彈，結(jié)束自2022年5月以來的猛烈跌勢，預期今年第三季起將轉(zhuǎn)為上漲，漲幅約0~5%，第四季漲幅將再擴大至8~13%。至于SSD、eMMC、UFS等產(chǎn)品庫存仍待促銷去化，現(xiàn)階段價格尚未有上漲跡象。下半年旺季備貨周期將至，盡管今
  • 關鍵字： NAND Flash  Wafer  TrendForce  

傳鎧俠/西數(shù)合并進入最終階段 NAND Flash營收或超三星？

  • 近日，據(jù)日本共同社消息，日本存儲器大廠鎧俠與合作方美國西部數(shù)據(jù)的合并經(jīng)營已經(jīng)進入最終收尾調(diào)整階段。目前，作為全球知名的存儲器廠商，鎧俠和西部數(shù)據(jù)既是競爭對手又是合作伙伴，目前兩家公司正在共同運營巖手縣北上市和三重縣四日市的工廠。報道引用相關人士消息稱，鎧俠和西部數(shù)據(jù)正在探討出資設立新公司、統(tǒng)一開展半導體生產(chǎn)及營銷的方案等，未來雙方將進行經(jīng)營合并，擬由鎧俠掌握主導權，關于出資比率等將繼續(xù)探討。報道稱，由于面向智能手機等的半導體行情疲軟、業(yè)績低迷，鎧俠和西部數(shù)據(jù)此舉意在提升經(jīng)營效率并提高競爭力。資料顯示，鎧俠
  • 關鍵字： 鎧俠  西數(shù)  NAND Flash  三星  

DDR5 重新下跌，內(nèi)存現(xiàn)貨價格未見回暖

  • 業(yè)界對 DDR5 DRAM 的市場預期不太樂觀。
  • 關鍵字： NAND Flash  NAND  DDR5  

需求持續(xù)下修，第一季NAND Flash總營收環(huán)比下跌16.1%

  • 據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示，第一季NAND Flash買方采購動能保守，供應商持續(xù)透過降價求售，但第一季NAND Flash位元出貨量僅微幅環(huán)比增長2.1%，平均銷售（ASP）單價季減15%，合計NAND Flash產(chǎn)業(yè)營收約86.3億美元，環(huán)比減少16.1%。SK集團（SK hynix & Solidigm）及西部數(shù)據(jù)（WDC）量價齊跌，沖擊營收表現(xiàn)，環(huán)比下降均逾兩成。SK集團受淡季及削價競爭影響，第一季NAND Flash營收僅13.2億美元，環(huán)比減少24.8%
  • 關鍵字： 集邦  NAND Flash  

NAND閃存主控芯片供應商2023年第1季財報出爐

  • 據(jù)中國臺灣《經(jīng)濟日報》報道，全球NAND閃存主控芯片供應商慧榮科技（SIMO）公布2023年第1季財報，營收1億2407萬美元，季減38%，年減49%，第1季毛利率42.3%，稅后凈利1116萬美元。報道引述慧榮科技總經(jīng)理茍嘉章表示，包括NAND大廠在內(nèi)的主要客戶，目前一致認為市況仍極具挑戰(zhàn)。PC和智能手機終端市場持續(xù)呈現(xiàn)疲弱，上下游供應鏈皆將重心放在去化庫存，包括消費級SSD和eMMC/UFS等嵌入式存儲設備供應商，因此影響相關控制芯片的營收。茍嘉章認為，見到一些客戶的下單模式從第2季開始有所改善，再加
  • 關鍵字： NAND  閃存  主控芯片  

3D NAND 堆疊可超 300 層，鎧俠解讀新技術

  • 5 月 5 日消息， 鎧俠和西數(shù)展示最新的技術儲備，雙方正在努力實現(xiàn) 8 平面 3D NAND 設備以及具有超過 300 條字線的 3D NAND IC。根據(jù)其公布的技術論文，鎧俠展示了一種八平面 1Tb 3D TLC NAND 器件，有超過 210 個有源層和 3.2 GT/s 接口，可提供 205 MB/s 的程序吞吐量，讀取延遲縮小到 40 微秒。此外，鎧俠和西部數(shù)據(jù)還合作開發(fā)具有超過 300 個有源字層的 3D NAND 器件，這是一個具有實驗性的 3D NAND IC，通過金屬誘導側(cè)向
  • 關鍵字： 3D NAND  

復旦微電推出NAND Flash及EEPROM存儲器新品

  • 4月27日，上海復旦微電子集團股份有限公司今日舉辦線上發(fā)布會，推出FM25/FM29系列SLC NAND，F(xiàn)M24N/FM24LN/FM25N高可靠、超寬壓系列EEPROM，以及符合AEC-Q100的車規(guī)FM24C/FM25系列EEPROM等非揮發(fā)存儲新產(chǎn)品。FM25/FM29系列產(chǎn)品基于28nm先進NAND flash工藝，滿足6萬次擦寫次數(shù)和數(shù)據(jù)保存10年的高可靠性要求，應用于工規(guī)、5G通訊、車載等相關領域。FM24N/FM24LN/FM25N系列產(chǎn)品基于95nm先進EEPROM工藝，具備低功耗、
  • 關鍵字： 復旦微電  NAND Flash  EEPROM  存儲器  

先進封裝推動 NAND 和 DRAM 技術進步

  • 先進封裝在內(nèi)存業(yè)務中變得越來越重要。
  • 關鍵字： 封裝  NAND  DRAM   

預估第二季NAND Flash均價續(xù)跌5~10%，能否止跌端看下半年需求

  • 即便原廠持續(xù)進行減產(chǎn)，然需求端如服務器、智能手機、筆電等需求仍未見起色，NAND Flash市場仍處在供給過剩狀態(tài)，故TrendForce集邦咨詢預估，第二季NAND Flash均價仍將持續(xù)下跌，環(huán)比下跌幅度收斂至5~10%。而后續(xù)恢復供需平衡的關鍵在于原廠是否有更大規(guī)模的減產(chǎn)，TrendForce集邦咨詢認為若目前需求端未再持續(xù)下修，NAND Flash均價有機會在第四季止跌反彈，反之，若旺季需求端持續(xù)疲弱，均價反彈時間恐再延后。Client SSD方面，目前PC OEM零部件庫存去化已見成
  • 關鍵字： 集邦  NAND Flash  

2023年內(nèi)存芯片趨勢

  • 2023 年，存儲芯片的跌勢仍在延續(xù)，何時止跌還是未知數(shù)。
  • 關鍵字： 存儲芯片  DRAM  NAND  

NAND Flash 大降價，固態(tài)硬盤取代機械硬盤指日可待

  • 相信有很多小伙伴已經(jīng)注意到了，目前市場上很多固態(tài)硬盤的價格相比去年又降低了不少。這是由于制造固態(tài)硬盤所需的 NAND 芯片降價導致的。根據(jù)集邦咨詢的數(shù)據(jù)顯示，NAND Flash 市場自 2022 年下半年以來面臨需求逆風，供應鏈積極去化庫存加以應對，此情況導致第四季 NAND Flash 合約價格下跌 20-25%，其中 Enterprise SSD（企業(yè)級固態(tài)硬盤）是下跌最劇烈的產(chǎn)品，跌幅約 23-28%。這對于 NAND 芯片廠商來說并不是什么好消息，但對于普通消費者來說，我們確實能買到更便宜的固態(tài)
  • 關鍵字： NAND Flash  

內(nèi)存雙雄：市況否極泰來

  • 華邦消費性電子應用需求回溫本季是谷底；南亞科上半年跌幅收斂。
  • 關鍵字： DRAM  NAND  

(2023.3.20)半導體周要聞－莫大康

  • 半導體周要聞2023.3.13-2023.3.171. 任正非：華為三年完成了13000型號器件的替代開發(fā)近日，華為公司在深圳坂田總部舉辦“難題揭榜”火花獎頒獎典禮，為在解題揭榜中做出突出貢獻的獲獎人員代表頒獎，華為總裁任正非發(fā)表了講話，部分參與座談的大學發(fā)布了座談紀要。任正非表示，在美國制裁華為這三年期間，華為完成 13000 + 型號器件的替代開發(fā)、4000 + 電路板的反復換板開發(fā)等，直到現(xiàn)在電路板才穩(wěn)定下來，因為有了國產(chǎn)的零部件供應。任正非表示，華為現(xiàn)在還屬于困難時期，但在前進的道路上并沒有停步。
  • 關鍵字： 莫大康  半導體  華為  光刻機  NAND  

存儲器廠商Q1虧損恐難逃

  • 由于DRAM及NAND Flash第一季價格續(xù)跌，加上庫存水位過高，終端消費支出持續(xù)放緩，據(jù)外電消息，韓國三星電子及SK海力士本季度的芯片業(yè)務恐因提列庫存損失而面臨數(shù)十億美元虧損。法人指出，南亞科（2408）及華邦電（2344）因減產(chǎn)及跌價導致營收及毛利率持續(xù)下滑，第一季本業(yè)虧損恐將在所難免。據(jù)外電報導，三星電子3月19日提交給韓國金融監(jiān)督院的申報文件中指出，截至去年第四季，整體庫存資產(chǎn)達到52.2兆韓元（約折合399億美元），遠高于2021年的41.4兆韓元并創(chuàng)下歷史新高。其中，占三星營收比重最高的半導
  • 關鍵字： 存儲器  DRAM  NAND Flash  

存儲大廠展示300層NAND Flash，預計最快2024年問世

  • 近日，在第70屆IEEE國際固態(tài)電路會議（ISSCC）上，韓國存儲器大廠SK海力士展示了最新300層堆疊第八代3D NAND Flash快閃存儲器原型。SK海力士表示，新3D NAND Flash快閃存儲器預定兩年內(nèi)上市，有望打破紀錄。外媒報導，SK海力士揭示有更快資料傳輸量和更高儲存等級的第八代3D NAND Flash開發(fā)，提供1TB（128GB）容量，20Gb/mm2單位容量、16KB單頁容量、四個平面和2,400MT/s的介面。最大資料傳輸量達194MB/s，較上一代238層堆疊和164MB/
  • 關鍵字： 300層  NAND Flash  SK海力士  
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