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基于CMOS多功能數(shù)字芯片的ESD保護電路設(shè)計

  • 摘要 基于CSMC 2P2M 0 6mu;m CMOS工藝設(shè)計了一種ESD保護電路。整體電路采用Hspice和CSMC 2P2M的0 6mu;m CMOS 工藝的工藝庫(06mixddct02 x24)仿真，基于CSMC 2P2M 0 6mu;m CMOS工藝完成版圖設(shè)計，并在一款多功能故
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CCD傳感器與CMOS傳感器區(qū)別在哪里

  • CMOS針對CCD最主要的優(yōu)勢就是非常省電，不像由二極管組成的CCD，CMOS 電路幾乎沒有靜態(tài)電量消耗，只有在電路接通時才有電量的消耗。這就使得CMOS的耗電量只有普通CCD的1/3左右，這有助于改善人們心目中數(shù)碼相機是ld
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CMOS攝像機,什么是CMOS攝像機

  • CMOS傳感器的感光度一般在6到15Lux的范圍內(nèi)，CMOS傳感器有固定比CCD傳感器高10倍的噪音，固定的圖案噪音始終停留在屏幕上好像那就是一個圖案，因為CMOS傳感器在10Lux以下基本沒用，因此大量應(yīng)用的所有攝像機都是用了
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CMOS傳感器/SDDS,什么是CMOS傳感器/SDDS

  • CMOS傳感器CMOS傳感器是一種通常比CCD傳感器低10倍感光度的傳感器。光度一般在6到15Lux的范圍內(nèi)，CMOS傳感器有固定比CCD傳感器高10倍的噪音，固定的圖案噪音始終停留在屏幕上好像那就是一個圖案，因為CMOS傳感器在10
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一種帶有增益提高技術(shù)的高速CMOS運算放大器設(shè)計

  • 摘要：設(shè)計了一種用于高速ADC中的高速高增益的全差分CMOS運算放大器。主運放采用帶開關(guān)電容共模反饋的折疊式共源共柵結(jié)構(gòu)，利用增益提高和三支路電流基準(zhǔn)技術(shù)實現(xiàn)一個可用于12～14bit精度，100MS／s采樣頻率的高速流
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設(shè)定相位同調(diào)RF量測系統(tǒng)：從MIMO到波束賦形

  • 自從傳送出第一筆無線電波之后，工程師就持續(xù)發(fā)明新方法，以優(yōu)化電磁微波訊號。RF 訊號已廣泛用于多種應(yīng)用，其中又以無線通信與 RADAR 的 2 項特殊應(yīng)用正利用此常見技術(shù)。就本質(zhì)而言，此 2 項應(yīng)用的獨到之處，即是利用電磁波的空間維度 (Spatial dimension)。直到今天，許多無線通信系統(tǒng)整合了多重輸入/輸出 (MIMO) 天線架構(gòu)，以利用多重路徑的訊號傳播 (Propagation) 功能。
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RF芯片IA4420簡介及其在無線數(shù)據(jù)傳輸中的應(yīng)用

  • IA4420/21是射頻收發(fā)一體芯片，IA4420工作在315/433/868/915MHz頻段，IA4421工作在 433/868/915MHz頻段。芯片的工作電壓為2.2～5.4V，采用低功耗模式，待機電流為0.3mu;A，采用FSK調(diào)制模式，發(fā)射功率為 5～8dbm，接
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利用CMOS功率放大器優(yōu)化單芯片手機方案

  • 每年生產(chǎn)10多億部手機的手機市場已成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中競爭最激烈的領(lǐng)域。一直有這種說法：諸如砷化鎵（GaAs）、橫向 ...
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設(shè)定相位同調(diào) RF 量測系統(tǒng)：從 MIMO 到波束賦形

  • 設(shè)定相位同調(diào) RF 量測系統(tǒng)：從 MIMO 到波束賦形概觀自從傳送出第一筆無線電波之后，工程師就持續(xù)發(fā)明新方法，以優(yōu)化電磁微波訊號。RF 訊號已廣泛用于多種應(yīng)用，其中又以無線通信與 RADAR 的 2 項特殊應(yīng)用正利用此常見
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RF WCDMA基準(zhǔn)比較測試

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
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AMD明年啟用28nm CMOS工藝

  • 　　AMD公司高級副總裁兼首席技術(shù)官Mark Papermaster表示，AMD在2013年芯片生產(chǎn)工藝將有重大變化，將完全從現(xiàn)有的SOI制造工藝切換到28nm Bulk CMOS工藝。至于GPU制造，AMD并不打算作出任何改變。目前南方群島系列GPU，已經(jīng)采用臺積電28nm工藝，而AMD秋季即將推出的海島系列GPU將繼續(xù)采用相同工藝，海島系列GPU已經(jīng)進入樣品試生產(chǎn)階段，在2012年年底開始生批量生產(chǎn)，在2013年第一季度正式發(fā)布。 　　在評論異構(gòu)系統(tǒng)架構(gòu)(HSA)聯(lián)盟，是否用來應(yīng)對英特爾和NVIDI
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CMOS器件抗靜電措施的研究

  • 摘要：由于CMOS器件靜電損傷90％是延遲失效，對整機應(yīng)用的可靠性影響太大，因而有必要對CMOS器件進行抗靜電措施。本文描述了CMOS器件受靜電損傷的機理，從而對設(shè)計人員提出了幾種在線路設(shè)計中如何抗靜電，以保護CMOS
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RF預(yù)失真修正信號

  • 現(xiàn)代RF放大器既需要線性也需要高效率。線性要求是源于現(xiàn)代調(diào)制方法的使用，如QAM(正交幅度調(diào)制)和OFDM(正交頻分多址調(diào)制，參考文獻1)。這些放大器還需要效率，以降低功耗和減少散熱。開發(fā)人員通常將現(xiàn)代RF放大器組件
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IC芯片的晶圓級射頻(RF)測試分析

  • 　對于超薄介質(zhì)，由于存在大的漏電和非線性，通過標(biāo)準(zhǔn)I-V和C-V測試不能直接提取氧化層電容(Cox)。然而，使用高頻電路模型則能夠精確提取這些參數(shù)。隨著業(yè)界邁向65nm及以下的節(jié)點，對于高性能/低成本數(shù)字電路，RF電路
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CMOS工藝多功能數(shù)字芯片的輸出緩沖電路設(shè)計

  • 摘要：為了提高數(shù)字集成電路芯片的驅(qū)動能力，采用優(yōu)化比例因子的等比緩沖器鏈方法，通過Hspice軟件仿真和版圖設(shè)計測試，提出了一種基于CSMC 2P2M 0．6mu;m CMOS工藝的輸出緩沖電路設(shè)計方案。本文完成了系統(tǒng)的電原理
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