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大功率電源MOS工作溫度確定之計算功率耗散

  • 在電子電路設計中，散熱設計是非常重要的一項指標。但在很多設計環(huán)境下，空間的狹小程度限制了散熱功能設計與發(fā)揮。在大功率電源MOSFET當中這種情況尤
  • 關鍵字： 大功率電  MOSFET  功率耗散  

功率MOSFET在集成驅(qū)動電路中的設計應用簡析

  • 功率MOSFET目前在一些大中型開關電源的驅(qū)動電路中得到了廣泛的應用，此前我們曾經(jīng)為大家總結了幾種MOSFET在驅(qū)動電路中的常見應用方式，在今天的文章中
  • 關鍵字： MOSFET  驅(qū)動電路  電源  

干貨!一種簡易的MOSFET自舉驅(qū)動電路設計分享

  • 功率開關器件MOSFET在驅(qū)動電路中的應用頻率在最近幾年直線上升，在一些中小功率的開關電源產(chǎn)品中，利用MOSFET完成驅(qū)動電路的設計不僅省時省力，還具有
  • 關鍵字： MOSFET  驅(qū)動電路  設計  

同步整流降壓式DC-DC變換器應怎樣選擇MOSFET?

  • 功率器件MOSFET在很多電路系統(tǒng)的設計中都得到了廣泛的應用，而對于同步整流降壓式的DC-DC變換器來說，怎樣選擇合適的MOSFET則是非常重要的一環(huán)，需要研
  • 關鍵字： MOSFET  同步整流  DC-DC  

MOSFET開關損耗分析

  • 摘要：為了有效解決金屬一氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)在通信設備直流-48 V緩啟動應用電路中出現(xiàn)的開關損耗失效問題，通過對MOSFET柵極電荷、極間
  • 關鍵字： MOSFET  帶電插拔  緩啟動  開關損耗  

6種IGBT中的MOS器件隔離驅(qū)動入門

  • 由于不間斷電源的興起，IGBT技術得以飛速發(fā)展。IGBT的特點是具有電流拖尾效應，因此在關斷的瞬間對于抗干擾的性能要求非常嚴格，需要負壓驅(qū)動進行輔助
  • 關鍵字： MOSFET  IGBT  隔離驅(qū)動  

基于大功率開關電源中功率MOSFET的驅(qū)動技術

  • 1.MOSFET柵極驅(qū)動電平的上升時間和下降時間功率MOSFET具有導通電阻低、負載電流大的優(yōu)點，因而非常適合用作開關電源(switch-mode power supplies，S
  • 關鍵字： MOSFET  筆記本電源  降壓變換器  

大國器重 功率半導體小行業(yè)大機會

  • 在傳統(tǒng)應用領域，功率半導體分立器件引領工業(yè)發(fā)展方式向節(jié)能型轉變，實現(xiàn)家電工業(yè)轉型升級，優(yōu)化產(chǎn)業(yè)結構。而隨著物聯(lián)網(wǎng)、云計算、新能源、節(jié)能環(huán)保等新興產(chǎn)業(yè)的高速發(fā)展，新興領域成為支撐功率半導體分立器件保持較好發(fā)展勢頭的重要市場。
  • 關鍵字： 功率半導體  MOSFET  

功率MOSFET關斷損耗計算攻略

  • 本文介紹了MOSFET管關斷損耗的計算方式，供大家參考。
  • 關鍵字： MOSFET  關斷損耗  

看懂MOSFET數(shù)據(jù)表，第1部分―UIS/雪崩額定值

  • 在看到MOSFET數(shù)據(jù)表時，你一定要知道你在找什么。雖然特定的參數(shù)很顯眼，也一目了然(BVDS、RDS(ON)、柵極電荷)，其它的一些參數(shù)會十分的含糊不清、模
  • 關鍵字： MOSFET  雪崩  

傳中興急單ODM/OEM抬價20%搶貨：MOSFET全年漲價30%

  • 　　MOSFET漲價已經(jīng)很長一段時間，從今年年初至今，其漲價幅度已經(jīng)達到了5%-10%，相對另外一種被動元器件MLCC，MOSFET漲價幅度還算在可接受范圍之內(nèi)。簡而言之，今年以來MOSFET一直處于供貨吃緊狀態(tài)，包括英飛凌、威世、意法半導體、安森美等國際IDM大廠近些年并沒有新增產(chǎn)能?！　∮捎谌ツ晗掳肽暌詠?，汽車電子、物聯(lián)網(wǎng)、云端計算等新應用加大對MOSFET的需求，導致電腦以及智能手機等3C電子產(chǎn)品用MOSFET供貨嚴重不足，價格已經(jīng)從今年年初上漲至今持續(xù)了3個季度!據(jù)市場表示，今年上半年MOSFET
  • 關鍵字： 中興  ODM  OEM  MOSFET  

汽車級N溝道MOSFET SQJQ480E

  • 功率 MOSFET 是眾多汽車子系統(tǒng)的重要組成部分，其能夠幫助實現(xiàn)各種各樣的功能，包括負載切換、電機控制以及DC/DC轉換等。SQJQ480E 的意義在于它可以處
  • 關鍵字： MOSFET  DC/DC轉換  SQJQ480E  

IGBT掃盲文，IGBT基礎與運用知識學習

  • 　　IGBT基礎與運用　　IGBT， 中文名字為絕緣柵雙極型晶體管，它是由MOSFET(輸入級)和PNP晶體管(輸出級)復合而成的一種器件，既有MOSFET器件驅(qū)動功率小和開關速度快 的特點(控制和響應)，又有雙極型器件飽和壓降低而容量大的特點(功率級較為耐用)，頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常工作于幾十kHz 頻率范圍內(nèi)?！　±硐氲刃щ娐放c實際等效電路如圖所示：　　IGBT 的靜態(tài)特性一般用不到，暫時不用考慮，重點考慮動態(tài)特性(開關特性)?！　討B(tài)特性的簡易過程可從下面的表格和圖形中獲取
  • 關鍵字： IGBT，MOSFET  

宜特跨攻MOSFET晶圓后端處理集成服務

  • 　　隨著電子產(chǎn)品功能愈來愈多元，對于低功耗的要求也愈來愈高， MOSFET成為車用電子、電動車勢不可擋的必備功率組件，而在目前市面上產(chǎn)能不足，客戶龐大需求下，電子產(chǎn)品驗證服務龍頭-iST宜特科技今宣布，正式跨入「MOSFET晶圓后端處理集成服務」，目前已有20多家海內(nèi)外廠商，包括全球知名晶圓廠、IDM廠商、IC設計企業(yè)已于今年第一季底，前來宜特進行工程試樣，并于第二季初開始進行小量產(chǎn)，并在下半年正式量產(chǎn)?！　∫颂囟麻L 余維斌指出，在車用可靠度驗證分析本業(yè)上，已做到亞洲龍頭，然而在服務客戶的同時，發(fā)現(xiàn)了此
  • 關鍵字： MOSFET  晶圓  

意法半導體推出離線轉換器 提高5-30V電源的雪崩耐量、能效和靈活性

  • 　　意法半導體的VIPer11離線轉換器內(nèi)置800V耐雪崩MOSFET，可幫助設備制造商設計更耐用的輔助電源和電源適配器，其26Vdc漏極啟動電壓允許超寬的線路輸入電壓，并提高諸多消費和工業(yè)電源的靈活性?！　∵壿嫾壴匨OSFET讓VIPer11能夠在4.5V至30V的寬電源電壓范圍內(nèi)工作，可用于設計高效的5V輸出開關電源。結合內(nèi)部高壓啟動、誤差放大器和降低EMI干擾的抖動振蕩器等功能，這種優(yōu)勢可簡化設計，節(jié)省空間和物料清單成本?！　IPer11高壓轉換器可實現(xiàn)由整流的AC線或其它直流電源直接供電的反激
  • 關鍵字： 意法半導體，MOSFET  
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