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EEPW首頁 >> 主題列表 >> s7 mosfet

BCM硬件設計的平臺化和半導體化(中)

  • 　　接上篇 　　2.2 驅(qū)動類型 　　在BCM設計中涉及到許多負載，對應不同的負載會采用不同的驅(qū)動類型，主要包括開關(guān)驅(qū)動和LED驅(qū)動兩類。 　　2.2.1 開關(guān)驅(qū)動 　　驅(qū)動類型主要是從驅(qū)動負載的電路拓撲加以考慮，主要有高邊驅(qū)動、低邊驅(qū)動、半橋驅(qū)動和全橋驅(qū)動(包括兩相全橋和三相全橋)四種，如圖8所示。 　　這四種拓撲常采用開關(guān)器件來實現(xiàn)，開關(guān)器件種類很多，其中常見的有機械開關(guān)和半導體開關(guān)兩種，出于能效和壽命方面的優(yōu)勢，目前半導體開關(guān)是BCM設計中的主流選擇。半導體開關(guān)中有三極管、MOSFET和I
  • 關(guān)鍵字： BCM  ECU  LED  負載  MOSFET  MCU  

帶狀鍵合5x6mm PQFN為車用MOSFET提高了密度

  • 　　1 汽車電氣化要求系統(tǒng)設計者提高電源密度 　　由于嚴格要求降低CO2污染和提高燃料經(jīng)濟性，汽車制造商更加積極地尋找電氣解決方案(所謂的“汽車電氣化”)。用創(chuàng)新型電子電路代替機械解決方案(例如轉(zhuǎn)向系統(tǒng)、繼電器等)如今已成了主流趨勢。然而，汽車電氣化的趨勢會繼續(xù)加重12V電池系統(tǒng)的負擔?，F(xiàn)在，總負載能夠輕松達到3 kW或更高，還有很多汽車應用將汽車的電力負載提高到更高的水平。 　　節(jié)油功能(例如電動助力轉(zhuǎn)向(EPS)、啟停微混合和48V板網(wǎng)結(jié)構(gòu))、更復雜的安全特性(例如電動駐車
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  DPAK  SO-8  PQFN  PCB  

更強勁、更簡單：看電源模塊的未來趨勢

  • 　　有線、無線網(wǎng)絡以及云計算的快速膨脹，這是擺在人們眼前的重要趨勢。這一上層的大趨勢，帶動了下層的硬件及其組成部分的發(fā)展趨勢。網(wǎng)絡吞吐量的迅速攀升，需要強大而復雜的FPGA和處理器等來做性能支持。而這，需要高性能、高可靠的電源模塊來作保障。 　　最近，Intersil發(fā)布了最新的50A密封式數(shù)字電源模塊ISL8272M，從它我們可以看出電源模塊領域的一些最新趨勢。 　　Intersil公司高級應用經(jīng)理梁志翔介紹說，Intersil開發(fā)電源模塊產(chǎn)品的歷史大概要從2008年開始算起，ISL8272M可以說
  • 關(guān)鍵字： Intersil  ISL8272M  MOSFET  201504  

8種噪聲測試技術(shù)的實現(xiàn)，包括模塊電源、MOSFET等

  • 　　噪聲通常指任意的隨機干擾。熱噪聲又稱白噪聲或約翰遜噪聲，是由處在一定溫度下的各種物質(zhì)內(nèi)部微粒作無規(guī)律的隨機熱運動而產(chǎn)生的，常用統(tǒng)計數(shù)學的方法進行研究。熱噪聲普遍存在于電子元件、器件、網(wǎng)絡和系統(tǒng)中，因此噪聲測量主要指電子元件和器件、網(wǎng)絡和系統(tǒng)的熱噪聲和特性的測量。 　　附加相位噪聲測試技術(shù)及注意事項 　　本文簡單介紹了相位噪聲的定義，詳細介紹了附加相位噪聲的測試過程，給出了實際的測試結(jié)果，指出了附加相位噪聲測試過程中的一些注意事項，希望對附加相位噪聲測試人員有一定的借鑒意義。 　　用于4G-LTE
  • 關(guān)鍵字： 模塊電源  MOSFET  

短溝道MOSFET散粒噪聲測試方法研究

  • 　　近年來隨著介觀物理和納米電子學對散粒噪聲研究的不斷深入，人們發(fā)現(xiàn)散粒噪聲可以很好的表征納米器件內(nèi)部電子傳輸特性。由于宏觀電子元器件中也會有介觀或者納米尺度的結(jié)構(gòu)，例如缺陷、小孔隙和晶粒等，因而也會產(chǎn)生散粒噪聲，并且可能攜帶內(nèi)部結(jié)構(gòu)的信息。這使人們對宏觀電子元器件中散粒噪聲研究產(chǎn)生了極大的興趣。另一方面，隨著器件尺寸的不斷縮小，MOSFET器件中散粒噪聲成分也越來越顯著，已經(jīng)嚴重影響器件以及電路的噪聲水平，人們必須要了解電子元器件中散粒噪聲的產(chǎn)生機理和特性，以便更好的抑制器件的散粒噪聲，實現(xiàn)器件和電路的
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  

CISSOID 公司推出 HADES v2

  • 　　CISSOID公司推出第二代 HADES®，一款高度集成的隔離式柵極驅(qū)動器產(chǎn)品。HADES® 旨在面向基于快速開關(guān)碳化硅 (SiC) 晶體管、傳統(tǒng)功率 MOSFET 及 IGBT 的高密度功率轉(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動器和致動器應用。憑借 CISSOID 產(chǎn)品無與倫比的耐用性，柵極驅(qū)動器 HADES® 在嚴酷的環(huán)境下可實現(xiàn)更高可靠性和更長的使用壽命，從而滿足系統(tǒng)設計者對航空、汽車、工業(yè)、石油和天然氣市場的應用需求。 　　HADES®包括氣密性陶瓷封裝和塑料封裝兩種，前者可以在溫
  • 關(guān)鍵字： CISSOID  MOSFET   

聯(lián)合收獲機凹板間隙調(diào)節(jié)系統(tǒng)研究

  • 　　摘要：聯(lián)合收獲機凹板間隙的大小是影響聯(lián)合收獲機脫離質(zhì)量的關(guān)鍵因素之一，本文設計了一款基于聯(lián)合收獲機的凹板結(jié)構(gòu)，通過控制線性驅(qū)動器對凹板間隙進行自動調(diào)節(jié)的系統(tǒng)，實現(xiàn)了聯(lián)合收獲機凹板間隙自動調(diào)節(jié)，通過試驗研究結(jié)果表明：該系統(tǒng)調(diào)節(jié)方便實用，且調(diào)節(jié)精度在5%以內(nèi)。 　　引言 　　谷物聯(lián)合收獲機的作業(yè)性能指標，主要包括總損失率、破損率和含雜率等。脫粒與分離滾筒是谷物聯(lián)合收獲機的重要工作部件。脫粒與分離滾筒由高速旋轉(zhuǎn)的滾筒和固定的弧型凹板配合，使谷物從滾筒與凹板之問通過，經(jīng)脫粒元件的打擊、揉搓、碾壓和梳刷，通
  • 關(guān)鍵字： 凹板間隙  CAN  PWM  MOSFET  BTS7960  201504  

打造合作共贏面向世界的創(chuàng)新模式

  • 　　摘要：本文通過對大唐恩智浦訪問，分析國產(chǎn)汽車電子現(xiàn)狀以及分析未來汽車電子發(fā)展現(xiàn)狀。 　　中國看世界，汽車電子是一個經(jīng)久不衰的市場;而世界也在看中國, 中國是否已準備好在這個市場上大展宏圖?中國首個汽車半導體設計合資公司成立一年了，名稱為“大唐恩智浦半導體有限公司”(Datang NXP Semiconductors Co. Ltd.以下簡稱：大唐恩智浦)，占盡著天時、地利、人和，如何通過建立起新型合作模式，用全球的視角去贏取市場呢?通過與總經(jīng)理張鵬崗的交流，使筆者對其創(chuàng)新理念
  • 關(guān)鍵字： 大唐恩智浦  MOSFET  汽車電子  201504  

繼電器相關(guān)技術(shù)文獻及應用電路設計匯總

  • 　　繼電器是一種電控制器件，是當輸入量(激勵量)的變化達到規(guī)定要求時，在電氣輸出電路中使被控量發(fā)生預定的階躍變化的一種電器。它具有控制系統(tǒng)(又稱輸入回路)和被控制系統(tǒng)(又稱輸出回路)之間的互動關(guān)系。通常應用于自動化的控制電路中，它實際上是用小電流去控制大電流運作的一種“自動開關(guān)”。故在電路中起著自動調(diào)節(jié)、安全保護、轉(zhuǎn)換電路等作用。 　　極限條件下的時間繼電器設計方案 　　時間繼電器是一種使用在較低的電壓或較小電流的電路上，用來接通或切斷較高電壓、較大電流的電路的電氣元件，也許可
  • 關(guān)鍵字： PIC18F6585  MOSFET  

Fairchild新的擴展溫度中壓MOSFET額定結(jié)溫為175° C

  • 　　全球領先的高性能功率半導體解決方案供應商Fairchild (NASDAQ: FCS)正在利用其擴展溫度(ET)中壓MOSFET(能在175° C下工作)的擴充產(chǎn)品系列幫助生產(chǎn)商提高產(chǎn)品可靠性和性能。 更高的工作溫度將功率密度提高了85%，可靠性比額定值為150° C業(yè)內(nèi)標準值的MOSFET高三倍。 　　這一新的ET MOSFET產(chǎn)品系列符合IPC-9592電源轉(zhuǎn)換標準，換言之，其最大結(jié)溫可高達150° C，超過標準150° C MOSFET能達到的125°
  • 關(guān)鍵字： Fairchild  MOSFET  

Fairchild新的擴展溫度中壓MOSFET額定結(jié)溫為175° C 適合超高功率密度應用

  • 　　全球領先的高性能功率半導體解決方案供應商Fairchild 正在利用其擴展溫度(ET)中壓MOSFET(能在175° C下工作)的擴充產(chǎn)品系列幫助生產(chǎn)商提高產(chǎn)品可靠性和性能。 更高的工作溫度將功率密度提高了85%，可靠性比額定值為150° C業(yè)內(nèi)標準值的MOSFET高三倍。 　　這一新的ET MOSFET產(chǎn)品系列符合IPC-9592電源轉(zhuǎn)換標準，換言之，其最大結(jié)溫可高達150° C，超過標準150° C MOSFET能達到的125° C，使更大的設計裕量成
  • 關(guān)鍵字： Fairchild   MOSFET  

Fairchild 的 800V SuperFET II MOSFET 系列提供最低的導通電阻和多種可選封裝

  • 　　全球領先的高性能功率半導體解決方案供應商Fairchild 今日推出 800V SuperFET® II MOSFET 系列，該系列提供廣泛的可選封裝并擁有業(yè)內(nèi)最低的導通電阻 (Rdson) 和輸出電容 (Coss)。新系列幫助設計師提高高性能解決方案(需要 600V/650V 以上的擊穿電壓)的效率、成本效益和可靠性，同時通過減少元件的使用從而減少這些設計的電路板空間。 　　800V SuperFET II MOSFET 系列的最佳可靠性，加上出色的效率和熱特性，使其成為各種應用的理想之選
  • 關(guān)鍵字： Fairchild  MOSFET   

一種軟啟動與防反接保護電路

  • 　　摘要：在很多消費電子設備中用到了軟啟動電路與防反接電路，其保護作用非常顯著。多數(shù)的設計中，這兩種電路獨立存在，或者僅有一種保護電路，導致部分保護功能缺失或者電路設計復雜。本設計提出一種設計方法，同時實現(xiàn)軟啟動與防反接保護功能，且電路簡單。 　　軟啟動與防反接保護電路對電子設備有很好的保護作用，由于消費電子客戶存在多次開關(guān)機的應用場景和輸入接反的可能性。但是由于成本與電路設計的復雜性，很多設計中只提供了一種保護電路。本文基于提供全面保護與降低成本、降低設計復雜性的角度，提出一種電路，整合了軟啟動與防反
  • 關(guān)鍵字： 保護電路  軟啟動  繼電器  MOSFET  反接電路  二極管  201503  

一種高性能可智能控制型LED路燈驅(qū)動電源的設計

  • 　　摘要：本文針對傳統(tǒng)驅(qū)動電源電能損耗大、效率和智能化程度低的缺點，設計了一款適用于大功率LED路燈的高性能可智能控制型驅(qū)動電源。本文選擇了多級驅(qū)動方案，即功率因數(shù)校正(PFC)電路、LLC諧振控制電路和多路恒流輸出的三級式結(jié)構(gòu)。本文采用合理的設計，優(yōu)化了功率校正因數(shù)，增大了輸入電壓范圍，提高了整機效率，使輸出電流在全負載范圍內(nèi)更加穩(wěn)定，同時增加了PWM調(diào)光控制功能，可根據(jù)外界環(huán)境的變化智能控制LED路燈的亮度，從而達到進一步節(jié)能減排的效果。 　　引言 　　由于具有高光效、長壽命、燈具效率高、環(huán)保和易
  • 關(guān)鍵字： LED  驅(qū)動電源  PFC  LLC  PWM  MOSFET  201503  

意法半導體(ST)擴大碳化硅MOSFET產(chǎn)品系列，為更多應用帶來寬帶隙技術(shù)優(yōu)勢

  • 　　意法半導體 (STMicroelectronics，簡稱ST) 推出新款SCT20N120碳化硅功率MOSFET晶體管，其先進的能效與卓越的可靠性將為更多節(jié)能應用帶來技術(shù)優(yōu)勢，包括純電動汽車和混合動力汽車的逆變器、太陽能或風力發(fā)電、高能效驅(qū)動器、電源以及智能電網(wǎng)設備。 　　意法半導體是業(yè)界少數(shù)具有高可靠性、高能效碳化硅功率半導體研發(fā)的領導廠商之一，并始終致力于技術(shù)的研發(fā)與升級。這次推出的1200V SCT20N120進一步擴大了碳化硅MOSFET產(chǎn)品系列，具有小于290m?的通態(tài)電阻 (RDS(ON
  • 關(guān)鍵字： 意法半導體  SCT20N120  MOSFET  
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