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意法半導體（ST）推出新款電源芯片，將大幅降低家電、照明及工業(yè)設備中的待機功耗

  • 　　橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST)推出符合國際零待機功耗標準的新電源管理芯片，率先為白色家電(white good)、照明及工業(yè)設備提供喚醒功能智能管理方式。這也代表著電能吸血鬼(裝置在被關掉或處于閑置狀態(tài)時仍在消耗電能)將不復存在。 　　最大限度降低用電設備的待機耗電量(也稱：電能吸血鬼)是設計人員長期努力的目標，這也推動了全世界啟用IEA[1]等國際組織提出的節(jié)能建議，即在2010年和2013年前將電器待機功耗分別降至1W和0
  • 關鍵字： 意法半導體  MOSFET  

意法半導體（ST）推出世界首款1500V超結功率MOSFET，實現(xiàn)更環(huán)保、更安全的電源應用

  • 　　意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST)的新系列功率MOSFET讓電源設計人員實現(xiàn)產(chǎn)品效能最大化，同時提升工作穩(wěn)健性和安全系數(shù)。MDmeshTM K5產(chǎn)品是世界首款兼?zhèn)涑Y技術優(yōu)點與1500V漏源(drain-to-source)擊穿電壓(breakdown voltage)的晶體管，并已贏得亞洲及歐美主要客戶用于其重要設計中。 　　新產(chǎn)品瞄準計算機服務器及工業(yè)自動化市場。服務器要求更高的輔助開關式電源輸出功率，同時電源穩(wěn)健性是最大限度減少斷電停機時間的關鍵要素，電焊、工廠自
  • 關鍵字： 意法半導體  MOSFET  

更小、更快、更酷、更高效，900V SiC MOSFET在PFC中的應用

  • 　　Wolfspeed (原CREE Power產(chǎn)品)推出業(yè)界首款900V SiC MOSFET系列產(chǎn)品，拓展了高頻電力電子應用的范圍。相比于相當于硅MOSFET，這一突破900V SiC使我們的產(chǎn)品的新市場通過擴大我們在終端系統(tǒng)解決功率范圍。該系列產(chǎn)品提供了更高的開關速率和更低的開關損耗，從而為電力電子工程師們提供了設計出更小，更快，更酷，更高效的電源解決方案可能。 　　新的900V SiC MOSFET系列產(chǎn)品極大的擴大了產(chǎn)品應用空間，能夠更好的應對不斷發(fā)展變化的應用領域，更高的直流母線電壓可以覆蓋
  • 關鍵字： Wolfspeed   MOSFET  

性價比：SiC MOSFET比Si MOSFET不只高出一點點

  • 　　Si MOSFET管因為其輸入阻抗高，隨著其反向耐壓的提高，通態(tài)電阻也急劇上升，從而限制了其在高壓場合的應用。SiC作為一種寬禁代半導體器件，具有飽和電子漂移速度高、電場擊穿強度高、介電常數(shù)低和熱導率高等特性。世強代理的Wolfspeed的SiC MOSFET管具有阻斷電壓高、工作頻率高且耐高溫能力強，同時又具有通態(tài)電阻低和開關損耗小等特點，是高頻高壓場合功率密度提高和效率提高的應用趨勢。 　　SiC與Si性能對比 　　簡單來說，SiC主要在以下3個方面具有明顯的優(yōu)勢為:擊穿電壓強度高(10倍于S
  • 關鍵字： SiC  MOSFET  

Diodes全新100V MOSFET優(yōu)化以太網(wǎng)供電應用

  • 　　Diodes公司 (Diodes Incorporated) 新推出的DMN10H120SFG MOSFET作為符合IEEE 802.3標準的48V以太網(wǎng)供電 (PoE) 系統(tǒng)的開關，能夠通過以太網(wǎng)線纜向無線接入點、VoIP網(wǎng)絡電話、銷售點終端、呼叫系統(tǒng)、IP網(wǎng)絡監(jiān)控鏡頭及樓房管理設備等終端應用供電。 　　在局域網(wǎng)路由器及中跨設備等供電設備內(nèi)，100V N通道MOSFET把電源接到五類或六類網(wǎng)線。然后網(wǎng)線就會借由消除供終端設備內(nèi)的電源降低成本，并提供電力和數(shù)據(jù)。該器件還保障了終端用戶，因為以太網(wǎng)
  • 關鍵字： Diodes  MOSFET  

史上第一次！三星S7傳有3種CPU版本、專推“印度款”

  • 　　三星電子次代旗艦智慧手機Galaxy S7目前傳出有望在明年初亮相，而原先傳出S7的CPU有2種版本，分別為高通(Qualcomm)Snapdragon 820、以及三星自家Exynos處理器，不過最新傳出，S7恐將打破慣例，成為三星旗下第一款將有3種CPU版本的旗艦機種! 　　日 本智慧手機/平板電腦評價部落格livedoor Blog 8日轉(zhuǎn)述SamMobile的報導指出，根據(jù)最新接獲的情報顯示，三星S7的CPU版本將有3款，分別為Snapdragon 820、三星次世代晶片Exynos 889
  • 關鍵字： 三星  S7  

用于功率開關的電阻-電容(RC)緩沖電路設計

  • 　　功率開關是所有功率轉(zhuǎn)換器的核心組件。功率開關的工作性能直接決定了產(chǎn)品的可靠性和效率。若要提升功率轉(zhuǎn)換器開關電路的性能，可在功率開關上部署緩沖器，抑制電壓尖峰，并減幅開關斷開時電路電感產(chǎn)生的振鈴。正確設計緩沖器可提升可靠性和效率，并降低EMI。在各種不同類型的緩沖器中，電阻電容(RC)緩沖器是最受歡迎的緩沖器電路。本文介紹功率開關為何需要使用緩沖器。此外還提供一些實用小技巧，助您實現(xiàn)最優(yōu)緩沖器設計。 　　   　　圖1： 四種基本的功率開關電路 　　有多種不同的拓撲用于功率轉(zhuǎn)換器、
  • 關鍵字： 功率開關  MOSFET  

學習總結之電路是計算出來的

  • 　　簡介：不斷的思考，不斷的理解，不斷的總結!希望大家堅持下去! 　　1、CS單管放大電路 　　共源級單管放大電路主要用于實現(xiàn)輸入小信號的線性放大，即獲得較高的電壓增益。在直流分析時，根據(jù)輸入的直流柵電壓即可提供電路的靜態(tài)工作點，而根據(jù)MOSFET的I-V特性曲線可知，MOSFET的靜態(tài)工作點具有較寬的動態(tài)范圍，主要表現(xiàn)為MOS管在飽和區(qū)的VDS具有較寬的取值范圍，小信號放大時輸入的最小電壓為VIN-VTH，最大值約為VDD，假設其在飽和區(qū)可以完全表現(xiàn)線性特性，并且實現(xiàn)信號的最大限度放大【理想條件下】
  • 關鍵字： CMOS  MOSFET  

如何降低MOSFET損耗并提升EMI性能

  • 　　摘要： 本文主要闡述了MOSFET在模塊電源中的應用，分析了MOSFET損耗特點，提出了優(yōu)化方法;并且闡述了優(yōu)化方法與EMI之間的關系。 　　關鍵詞：MOSFET 損耗分析 EMI　　金升陽R3 　　一、引言 　　MOSFET作為主要的開關功率器件之一，被大量應用于模塊電源。了解MOSFET的損耗組成并對其分析，有利于優(yōu)化MOSFET損耗，提高模塊電源的功率;但是一味的減少MOSFET的損耗及其他方面的損耗，反而會引起更嚴重的EMI問題，導致整個系統(tǒng)不能穩(wěn)定工作。所以需要在減少MOSFET的損耗
  • 關鍵字： MOSFET  EMI  

Power Integrations新推出的725 V InnoSwitch-EP IC為輔助和待機電源帶來革命性變化

  • 　　關注高能效電源轉(zhuǎn)換的高壓集成電路業(yè)界領導者Power Integrations公司今日發(fā)布InnoSwitch™-EP系列恒壓/恒流離線反激式開關IC。新的IC產(chǎn)品系列采用集成式725 V MOSFET、同步整流和精確的次級反饋檢測控制，因此可提供出色的多路輸出交叉調(diào)整率，同時提供全面的輸入電壓保護和即時動態(tài)響應，并且空載功耗低于10 mW。InnoSwitch-EP IC還采用Power Integrations創(chuàng)新的FluxLink™技術，可設計出無需光耦的高效率、高精度和
  • 關鍵字： Power Integrations  MOSFET  

意法半導體（ST）的先進60V功率MOSFET為提高同步整流電路能效量身定制

  • 　　意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST)的槽柵結構低壓MOSFETs STripFET™ F7系列將新增60V的產(chǎn)品線，可協(xié)助電信、服務器和臺式PC機的電源以及工業(yè)電源和太陽能微逆變器的直流-直流(DC/DC)電源轉(zhuǎn)換器達到嚴格的能效標準要求，最大限度提升電源功率密度。 　　STripFET F7 MOSFET不僅大幅提高了晶體管的導通能效和開關性能，還簡化了通道間的槽柵結構(trench-gate structure)，實現(xiàn)極低的導通電阻、電容和柵電荷量，并取得
  • 關鍵字： 意法半導體  MOSFET  

全新英飛凌功率MOSFET系列使電動工具更緊湊耐用

  • 　　DIY工具，比如無線電鉆和電鋸必須方便使用且經(jīng)久耐用。因此，其所用的電子元件必須緊湊、堅固。英飛凌科技股份公司擴展StrongIRFET™ Power MOSFET產(chǎn)品系列，推出同時滿足緊湊和耐用要求的解決方案。新推出的邏輯電平 StrongIRFET™ 器件可以直接由單片機驅(qū)動，節(jié)省空間和降低成本。此外，StrongIRFET™十分堅固耐用，幫助延長電子產(chǎn)品的使用壽命。 　　經(jīng)過實驗證明StrongIRFET系列器件能夠最大限度提高電動工具的能效。這次邏輯電
  • 關鍵字： 英飛凌  MOSFET  

e絡盟為醫(yī)療、消費電子及可替代能源等應用領域新增五款業(yè)內(nèi)首選的威世Super 12系列創(chuàng)新產(chǎn)品

  • 　　e絡盟日前宣布新增多款來自全球半導體和分立器件領先供應商威世2015 Super 12系列的創(chuàng)新型無源元件和半導體產(chǎn)品，其中包括電容、電阻及MOSFET，適用于醫(yī)療、消費電子、可替代能源、工業(yè)、電信、計算及汽車電子等各種應用領域。 　　e絡盟大中華區(qū)區(qū)域銷售總監(jiān)朱偉弟表示：“e絡盟擁有來自全球領先供應商的豐富產(chǎn)品系列，可充分滿足廣大用戶對最新技術的需求，幫助他們進行產(chǎn)品開發(fā)與制造。此次新增的幾款威世Super 12系列創(chuàng)新型產(chǎn)品均為全球最佳產(chǎn)品。用戶可通過e絡盟升級版網(wǎng)站，更加快捷地查看
  • 關鍵字： e絡盟  MOSFET  

Fairchild推出業(yè)內(nèi)首款8x8 Dual Cool封裝的中壓MOSFET

  • 　　全球領先的高性能功率半導體解決方案供應商Fairchild (NASDAQ: FCS) 推出了其行業(yè)領先的中壓MOSFET產(chǎn)品，采用了8x8 Dual Cool封裝。這款新型Dual Cool 88 MOSFET為電源轉(zhuǎn)換工程師替換體積大的D2-PAK封裝提供了卓越的產(chǎn)品，在尺寸縮減了一半的同時，提供了更高功率密度和更佳效率，且通過在封裝上下表面同時流動的氣流提高了散熱性能。 　　Castle Creations, Inc首席執(zhí)行官Patrick Castillo說：“在我們?yōu)槊恳晃?/li>
  • 關鍵字： Fairchild  MOSFET  

三星新專利：Galaxy S7將支持全息顯示技術？

  • 　　三星對于智能手機屏幕變革的探索似乎從未停止腳步，就當我們還在感嘆現(xiàn)如今三星S6Edge雙側弧面屏的視覺沖擊，以及它極其出色的色準時，三星手機屏幕的最新一項黑科技又被曝光了。 　　   　　據(jù)外媒報道，根據(jù)美國專利商標局信息顯示，三星在2014年第三季度申請了一項3D全息顯示專利技術，如今正式公布。不過這里提到的全息顯示并非是你在影視作品或者其他高科技產(chǎn)品中看到的那樣。 　　   　　根據(jù)專利文件顯示，該移動設備所使用的都是普通的機身和屏幕。一個導光模組將置于屏幕
  • 關鍵字： 三星  S7  
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