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看懂MOSFET數(shù)據(jù)表,第2部分—連續(xù)電流額定值

  •   今天我們來談一談MOSFET電流額定值,以及它們是如何變得不真實(shí)的。好,也許一個(gè)比較好的解釋就是這些額定值不是用確定RDS(ON)?和柵極電荷等參數(shù)的方法測量出來的,而是被計(jì)算出來的,并且有很多種不同的方法可以獲得這些值?! ±?,大多數(shù)部件中都有FET“封裝電流額定值”,這個(gè)值同與周圍環(huán)境無關(guān),并且是硅芯片與塑料封裝之間內(nèi)在連接線的一個(gè)函數(shù)。超過這個(gè)值不會(huì)立即對FET造成損壞,而在這個(gè)限值以上長時(shí)間使用將開始減少器件的使用壽命。高于這個(gè)限值的故障機(jī)制包括但不限于線路融合、成型復(fù)合材料的熱降
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場效應(yīng)管(MOSFET)檢測方法與經(jīng)驗(yàn)

  •   本文總結(jié)了場效應(yīng)管(MOSFET)檢測方法與經(jīng)驗(yàn)  一、用指針式萬用表對場效應(yīng)管進(jìn)行判別  (1)用測電阻法判別結(jié)型場效應(yīng)管的電極  根據(jù)場效應(yīng)管的PN結(jié)正、反向電阻值不一樣的現(xiàn)象,可以判別出結(jié)型場效應(yīng)管的三個(gè)電極。具體方法:將萬用表撥在R×1k檔上,任選兩個(gè)電極,分別測出其正、反向電阻值。當(dāng)某兩個(gè)電極的正、反向電阻值相等,且為幾千歐姆時(shí),則該兩個(gè)電極分別是漏極D和源極S。因?yàn)閷Y(jié)型場效應(yīng)管而言,漏極和源極可互換,剩下的電極肯定是柵極G。也可以將萬用表的黑表筆(紅表筆也行)任意接觸一個(gè)電極,另一只表筆
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看懂MOSFET數(shù)據(jù)表,第1部分—UIS/雪崩額定值

  •   在看到MOSFET數(shù)據(jù)表時(shí),你一定要知道你在找什么。雖然特定的參數(shù)很顯眼,也一目了然,其它的一些參數(shù)會(huì)十分的含糊不清、模棱兩可,而其它的某些參數(shù)自始至終就毫無用處(比如說:開關(guān)時(shí)間)。在這個(gè)即將開始的博文系列中,我們將試著破解FET數(shù)據(jù)表,這樣的話,讀者就能夠很輕松地找到和辨別那些對于他們的應(yīng)用來說,是最常見的數(shù)據(jù),而不會(huì)被不同的生產(chǎn)商為了使他們的產(chǎn)品看起來更吸引人而玩兒的文字游戲所糊弄。   自從20世紀(jì)80年代中期在MOSFET 數(shù)據(jù)表中廣泛使用的以來,無鉗位電感開關(guān) (UIS) 額定值就已經(jīng)被
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一種寬范圍可調(diào)的小型DC-DC降壓變換器

  • 提出了一種小型可調(diào)壓DC-DC降壓變換器的結(jié)構(gòu)。主電路由MOSFET管、電感器及濾波電容器構(gòu)成。通過PWM波控制,由于PWM波的驅(qū)動(dòng)能力較差,設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)電路通過與PWM發(fā)生器一同控制MOSFET管的通斷。通過改變PWM波的占空比來改變輸出電壓以達(dá)到可調(diào)壓的目的。該降壓變換器設(shè)計(jì)簡單、經(jīng)濟(jì)適用、體積較小,輸出電壓可調(diào)。主要由主電路和驅(qū)動(dòng)電路組成。該變換器適用于較低壓工作場合,輸入電壓在5V至20V之間,輸出電壓在3V至18V之間。對電路的工作原理和結(jié)構(gòu)進(jìn)行了深入分析,并通過實(shí)物制作驗(yàn)證其可行性。
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意法半導(dǎo)體(ST)推出新款功率MOSFET,實(shí)現(xiàn)更小、更環(huán)保的汽車電源

  •   意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM)針對汽車市場推出了新系列高壓N溝道功率MOSFET。新產(chǎn)品通過AEC-Q101汽車測試認(rèn)證,采用意法半導(dǎo)體最先進(jìn)、內(nèi)置快速恢復(fù)二極管的MDmeshTM DM2超結(jié)制造工藝,擊穿電壓范圍為400V至650V,可提供D2PAK、TO-220及TO-247三種封裝。  400V和500V兩款新產(chǎn)品是市場上同級產(chǎn)品中首個(gè)獲得AEC-Q101認(rèn)證的功率MOSFET,而600V和650V產(chǎn)品性能則高于現(xiàn)有競爭產(chǎn)品。全
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如何通過配置負(fù)載點(diǎn)轉(zhuǎn)換器提供負(fù)電壓或隔離輸出電壓

  •   在溫度高達(dá) 210 攝氏度或需要耐輻射解決方案的惡劣環(huán)境應(yīng)用中,集成型降壓解決方案可充分滿足系統(tǒng)需求。有許多應(yīng)用需要負(fù)輸出電壓或諸如 +12V 或 +15V 等隔離輸出電壓為 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器電路供電或者為運(yùn)算放大器實(shí)現(xiàn)偏置。我們將在本文中探討如何使用 TPS50x01 配置降壓轉(zhuǎn)換器,提供負(fù)輸出電壓。此外,我們還將討論如何通過提供高于輸入壓的電壓來滿足應(yīng)用需求?! PS50601-SP和TPS50301-HT都是專為耐輻射、地質(zhì)、重工業(yè)以及油氣應(yīng)用等惡劣環(huán)境開發(fā)的集成型同步降壓轉(zhuǎn)換器解決方
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意法半導(dǎo)體(ST)推出新款電源芯片,將大幅降低家電、照明及工業(yè)設(shè)備中的待機(jī)功耗

  •   橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡稱ST)推出符合國際零待機(jī)功耗標(biāo)準(zhǔn)的新電源管理芯片,率先為白色家電(white good)、照明及工業(yè)設(shè)備提供喚醒功能智能管理方式。這也代表著電能吸血鬼(裝置在被關(guān)掉或處于閑置狀態(tài)時(shí)仍在消耗電能)將不復(fù)存在。   最大限度降低用電設(shè)備的待機(jī)耗電量(也稱:電能吸血鬼)是設(shè)計(jì)人員長期努力的目標(biāo),這也推動(dòng)了全世界啟用IEA[1]等國際組織提出的節(jié)能建議,即在2010年和2013年前將電器待機(jī)功耗分別降至1W和0
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意法半導(dǎo)體(ST)推出世界首款1500V超結(jié)功率MOSFET,實(shí)現(xiàn)更環(huán)保、更安全的電源應(yīng)用

  •   意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡稱ST)的新系列功率MOSFET讓電源設(shè)計(jì)人員實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品效能最大化,同時(shí)提升工作穩(wěn)健性和安全系數(shù)。MDmeshTM K5產(chǎn)品是世界首款兼?zhèn)涑Y(jié)技術(shù)優(yōu)點(diǎn)與1500V漏源(drain-to-source)擊穿電壓(breakdown voltage)的晶體管,并已贏得亞洲及歐美主要客戶用于其重要設(shè)計(jì)中。   新產(chǎn)品瞄準(zhǔn)計(jì)算機(jī)服務(wù)器及工業(yè)自動(dòng)化市場。服務(wù)器要求更高的輔助開關(guān)式電源輸出功率,同時(shí)電源穩(wěn)健性是最大限度減少斷電停機(jī)時(shí)間的關(guān)鍵要素,電焊、工廠自
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更小、更快、更酷、更高效,900V SiC MOSFET在PFC中的應(yīng)用

  •   Wolfspeed (原CREE Power產(chǎn)品)推出業(yè)界首款900V SiC MOSFET系列產(chǎn)品,拓展了高頻電力電子應(yīng)用的范圍。相比于相當(dāng)于硅MOSFET,這一突破900V SiC使我們的產(chǎn)品的新市場通過擴(kuò)大我們在終端系統(tǒng)解決功率范圍。該系列產(chǎn)品提供了更高的開關(guān)速率和更低的開關(guān)損耗,從而為電力電子工程師們提供了設(shè)計(jì)出更小,更快,更酷,更高效的電源解決方案可能。   新的900V SiC MOSFET系列產(chǎn)品極大的擴(kuò)大了產(chǎn)品應(yīng)用空間,能夠更好的應(yīng)對不斷發(fā)展變化的應(yīng)用領(lǐng)域,更高的直流母線電壓可以覆蓋
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性價(jià)比:SiC MOSFET比Si MOSFET不只高出一點(diǎn)點(diǎn)

  •   Si MOSFET管因?yàn)槠漭斎胱杩垢?,隨著其反向耐壓的提高,通態(tài)電阻也急劇上升,從而限制了其在高壓場合的應(yīng)用。SiC作為一種寬禁代半導(dǎo)體器件,具有飽和電子漂移速度高、電場擊穿強(qiáng)度高、介電常數(shù)低和熱導(dǎo)率高等特性。世強(qiáng)代理的Wolfspeed的SiC MOSFET管具有阻斷電壓高、工作頻率高且耐高溫能力強(qiáng),同時(shí)又具有通態(tài)電阻低和開關(guān)損耗小等特點(diǎn),是高頻高壓場合功率密度提高和效率提高的應(yīng)用趨勢。   SiC與Si性能對比   簡單來說,SiC主要在以下3個(gè)方面具有明顯的優(yōu)勢為:擊穿電壓強(qiáng)度高(10倍于S
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Diodes全新100V MOSFET優(yōu)化以太網(wǎng)供電應(yīng)用

  •   Diodes公司 (Diodes Incorporated) 新推出的DMN10H120SFG MOSFET作為符合IEEE 802.3標(biāo)準(zhǔn)的48V以太網(wǎng)供電 (PoE) 系統(tǒng)的開關(guān),能夠通過以太網(wǎng)線纜向無線接入點(diǎn)、VoIP網(wǎng)絡(luò)電話、銷售點(diǎn)終端、呼叫系統(tǒng)、IP網(wǎng)絡(luò)監(jiān)控鏡頭及樓房管理設(shè)備等終端應(yīng)用供電。   在局域網(wǎng)路由器及中跨設(shè)備等供電設(shè)備內(nèi),100V N通道MOSFET把電源接到五類或六類網(wǎng)線。然后網(wǎng)線就會(huì)借由消除供終端設(shè)備內(nèi)的電源降低成本,并提供電力和數(shù)據(jù)。該器件還保障了終端用戶,因?yàn)橐蕴W(wǎng)
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用于功率開關(guān)的電阻-電容(RC)緩沖電路設(shè)計(jì)

  •   功率開關(guān)是所有功率轉(zhuǎn)換器的核心組件。功率開關(guān)的工作性能直接決定了產(chǎn)品的可靠性和效率。若要提升功率轉(zhuǎn)換器開關(guān)電路的性能,可在功率開關(guān)上部署緩沖器,抑制電壓尖峰,并減幅開關(guān)斷開時(shí)電路電感產(chǎn)生的振鈴。正確設(shè)計(jì)緩沖器可提升可靠性和效率,并降低EMI。在各種不同類型的緩沖器中,電阻電容(RC)緩沖器是最受歡迎的緩沖器電路。本文介紹功率開關(guān)為何需要使用緩沖器。此外還提供一些實(shí)用小技巧,助您實(shí)現(xiàn)最優(yōu)緩沖器設(shè)計(jì)。        圖1: 四種基本的功率開關(guān)電路   有多種不同的拓?fù)溆糜诠β兽D(zhuǎn)換器、
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學(xué)習(xí)總結(jié)之電路是計(jì)算出來的

  •   簡介:不斷的思考,不斷的理解,不斷的總結(jié)!希望大家堅(jiān)持下去!   1、CS單管放大電路   共源級單管放大電路主要用于實(shí)現(xiàn)輸入小信號的線性放大,即獲得較高的電壓增益。在直流分析時(shí),根據(jù)輸入的直流柵電壓即可提供電路的靜態(tài)工作點(diǎn),而根據(jù)MOSFET的I-V特性曲線可知,MOSFET的靜態(tài)工作點(diǎn)具有較寬的動(dòng)態(tài)范圍,主要表現(xiàn)為MOS管在飽和區(qū)的VDS具有較寬的取值范圍,小信號放大時(shí)輸入的最小電壓為VIN-VTH,最大值約為VDD,假設(shè)其在飽和區(qū)可以完全表現(xiàn)線性特性,并且實(shí)現(xiàn)信號的最大限度放大【理想條件下】
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如何降低MOSFET損耗并提升EMI性能

  •   摘要: 本文主要闡述了MOSFET在模塊電源中的應(yīng)用,分析了MOSFET損耗特點(diǎn),提出了優(yōu)化方法;并且闡述了優(yōu)化方法與EMI之間的關(guān)系。   關(guān)鍵詞:MOSFET 損耗分析 EMI  金升陽R3   一、引言   MOSFET作為主要的開關(guān)功率器件之一,被大量應(yīng)用于模塊電源。了解MOSFET的損耗組成并對其分析,有利于優(yōu)化MOSFET損耗,提高模塊電源的功率;但是一味的減少M(fèi)OSFET的損耗及其他方面的損耗,反而會(huì)引起更嚴(yán)重的EMI問題,導(dǎo)致整個(gè)系統(tǒng)不能穩(wěn)定工作。所以需要在減少M(fèi)OSFET的損耗
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Power Integrations新推出的725 V InnoSwitch-EP IC為輔助和待機(jī)電源帶來革命性變化

  •   關(guān)注高能效電源轉(zhuǎn)換的高壓集成電路業(yè)界領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations公司今日發(fā)布InnoSwitch™-EP系列恒壓/恒流離線反激式開關(guān)IC。新的IC產(chǎn)品系列采用集成式725 V MOSFET、同步整流和精確的次級反饋檢測控制,因此可提供出色的多路輸出交叉調(diào)整率,同時(shí)提供全面的輸入電壓保護(hù)和即時(shí)動(dòng)態(tài)響應(yīng),并且空載功耗低于10 mW。InnoSwitch-EP IC還采用Power Integrations創(chuàng)新的FluxLink™技術(shù),可設(shè)計(jì)出無需光耦的高效率、高精度和
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