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SiC功率模塊關(guān)鍵在價格,核心在技術(shù)
- 日前,碳化硅(SiC)技術(shù)全球領(lǐng)導(dǎo)者半導(dǎo)體廠商Cree宣布推出采用 SiC材料可使感應(yīng)加熱效率達(dá)到99%的Vds最大值為1.2KV、典型值為5.0 m?半橋雙功率模塊CAS300M12BM2。該款產(chǎn)品目標(biāo)用途包括感應(yīng)加熱設(shè)備、電機(jī)驅(qū)動器、太陽能和風(fēng)能逆變器、UPS和開關(guān)電源以及牽引設(shè)備等。 世強(qiáng)代理的CAS300M12BM2外殼采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的62mm x 106mm x 30mm,封裝則采用Half-Bridge Module,具有超低損耗、高頻率特性以及易于并聯(lián)等特點(diǎn)。漏極電流方面,連續(xù)通電時
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EV/HEV市場可期 SiC/GaN功率器件步入快車道
- 根據(jù)Yole Development預(yù)測,功率晶體管將從硅晶徹底轉(zhuǎn)移至碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)基板,以期能在更小的空間中實(shí)現(xiàn)更高功率。 在最新出版的“GaN與SiC器件驅(qū)動電力電子應(yīng)用”(GaN and SiC Devices for Power Electronics Applications)報告中,Yole Development指出,促進(jìn)這一轉(zhuǎn)型的巨大驅(qū)動力量之一來自電動車(EV)與混合動力車(HEV)產(chǎn)業(yè)。Yole預(yù)期EV/HEV產(chǎn)業(yè)將持續(xù)大力推動Si
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矢野經(jīng)濟(jì)研究所:SiC功率半導(dǎo)體將在2016年形成市場
- 矢野經(jīng)濟(jì)研究所2014年8月4日公布了全球功率半導(dǎo)體市場的調(diào)查結(jié)果。 ? 全球功率半導(dǎo)體市場規(guī)模的推移變化和預(yù)測(出處:矢野經(jīng)濟(jì)研究所) (點(diǎn)擊放大) 2013年全球功率半導(dǎo)體市場規(guī)模(按供貨金額計算)比上年增長5.9%,為143.13億美元。雖然2012年為負(fù)增長,但2013年中國市場的需求恢復(fù)、汽車領(lǐng)域的穩(wěn)步增長以及新能源領(lǐng)域設(shè)備投資的擴(kuò)大等起到了推動作用。 預(yù)計2014年仍將繼續(xù)增長,2015年以后白色家電、汽車及工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域的需求有望擴(kuò)大。矢野經(jīng)濟(jì)研究
- 關(guān)鍵字: SiC 功率半導(dǎo)體
ROHM發(fā)布2015年度第一季度(4~6月)財務(wù)報告
- ROHM Co., Ltd.(總部:日本 京都,社長 澤村諭,下稱"ROHM")發(fā)布了2015年度第一季度(4~6月)的業(yè)績。 第一季度銷售額為949億2千萬日元(去年同比增長7.4%),營業(yè)利潤為115億6千7百萬日元(去年同比增長24.7%)。 縱觀電子行業(yè),在IT相關(guān)市場方面,雖然智能手機(jī)和可穿戴設(shè)備等市場的行情仍然在持續(xù)走高,然而一直以來都保持持續(xù)增長的平板電腦的普及率的上升勢頭大幅下降,個人電腦市場呈現(xiàn)低迷態(tài)勢。在AV相關(guān)市場方面,雖然4K電視(※1)等高附加
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專利設(shè)計發(fā)功 ROHM量產(chǎn)溝槽式SiC-MOSFET
- SiC-MOSFET技術(shù)新突破。羅姆半導(dǎo)體(ROHM)近日研發(fā)出采用溝槽(Trench)結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET,并已建立完整量產(chǎn)機(jī)制。新推出的溝槽式SiC-MOSFET和平面型SiC-MOSFET相比,可降低50%導(dǎo)通電阻,大幅降低太陽能發(fā)電用功率調(diào)節(jié)器和工業(yè)用變流器等設(shè)備的功率損耗。 羅姆半導(dǎo)體功率元件制造部部長伊野和英(左2)表示,新發(fā)布的溝槽式SiC-MOSFET采用該公司獨(dú)有的雙溝槽結(jié)構(gòu)專利,目前已開始量產(chǎn)。 羅姆半導(dǎo)體應(yīng)用設(shè)計支援部課長蘇建榮表示,相對于Si-IGBT,SiC
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高精度的功率轉(zhuǎn)換效率測量
- 目前,電動汽車和工業(yè)馬達(dá)的可變速馬達(dá)驅(qū)動系統(tǒng),其低損耗·高效率·高頻率的性能正在不斷進(jìn)化。因?yàn)槭褂昧艘缘碗娮琛⒏咚匍_關(guān)為特點(diǎn)的SiC和GaN等新型功率元件的PWM變頻器和AC/DC轉(zhuǎn)換器、DC/DC轉(zhuǎn)換器,其應(yīng)用系統(tǒng)的普及正在不斷加速。構(gòu)成這些系統(tǒng)的變頻器·轉(zhuǎn)換器·馬達(dá)等裝置的開發(fā)與測試則需要相較以前有著更高精度、更寬頻帶、更高穩(wěn)定性的能夠迅速測量損耗和效率的測量系統(tǒng)。 各裝置的損耗和效率與裝置的輸入功率和輸出功率同時測量,利用它們的差和比
- 關(guān)鍵字: SiC GaN 電流傳感器
一款專為SiC Mosfet設(shè)計的DC-DC模塊電源
- SiC Mosfet具有耐高壓、低功耗、高速開關(guān)的特質(zhì),極大地提升了太陽能逆變器的電源轉(zhuǎn)換效率,拉長新能源汽車的可跑里程,應(yīng)用在高頻轉(zhuǎn)換器上,為重型電機(jī)、工業(yè)設(shè)備帶來高效率、大功率、高頻率優(yōu)勢。。。。。。。據(jù)調(diào)查公司Yole developmet統(tǒng)計,SiC Mosfet現(xiàn)有市場容量為9000萬美元,估計在2013-2020年SiC Mosfet市場將每年增長39%。由此可預(yù)見,SiC即將成為半導(dǎo)體行業(yè)的新寵! SiC Mosfet對比Si IGBT主要有以下優(yōu)勢: i. 低導(dǎo)通電阻RDS
- 關(guān)鍵字: SiC Mosfet DC-DC
世界首家!ROHM開始量產(chǎn)采用溝槽結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET
- 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM近日于世界首家開發(fā)出采用溝槽結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET,并已建立起了完備的量產(chǎn)體制。與已經(jīng)在量產(chǎn)中的平面型SiC-MOSFET相比,同一芯片尺寸的導(dǎo)通電阻可降低50%,這將大幅降低太陽能發(fā)電用功率調(diào)節(jié)器和工業(yè)設(shè)備用電源、工業(yè)用逆變器等所有相關(guān)設(shè)備的功率損耗。 另外,此次開發(fā)的SiC-MOSFET計劃將推出功率模塊及分立封裝產(chǎn)品,目前已建立起了完備的功率模塊產(chǎn)品的量產(chǎn)體制。前期工序的生產(chǎn)基地為ROHM Apollo Co., Ltd.(日本福岡縣),后期工序的生產(chǎn)基地為
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SiC功率器件的技術(shù)市場走勢
- 摘要:探討了SiC的技術(shù)特點(diǎn)及其市場與應(yīng)用。 近期,全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM在清華大學(xué)內(nèi)舉辦了以“SiC功率元器件技術(shù)動向和ROHM的SiC功率元器件產(chǎn)品”為主題的交流學(xué)習(xí)會。此次交流學(xué)習(xí)會上,ROHM在對比各種功率器件的基礎(chǔ)上,對SiC元器件的市場采用情況和發(fā)展趨勢做了分析,并對ROHM的SiC產(chǎn)品陣容、開發(fā)以及市場情況做了詳盡的介紹。 各種功率器件的比較 功率元器件主要用于轉(zhuǎn)換電源,包括四大類:逆變器、轉(zhuǎn)換器(整流器)、直流斬波器DC/DC轉(zhuǎn)換器、矩陣
- 關(guān)鍵字: SiC 功率器件 ROHM IGBT 201503
LED襯底第三代半導(dǎo)體SiC技術(shù)的崛起
- 第一代半導(dǎo)體材料Si點(diǎn)燃了信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展的“星星之火”,而Si材料芯片也成就了“美國硅谷”高科技產(chǎn)業(yè)群,促使英特爾等世界半導(dǎo)體巨頭的誕生,95%以上的半導(dǎo)體器件和99%以上的集成電路都是由Si材料制作。 目前全球40%能量作為電能被消耗,而電能轉(zhuǎn)換最大耗散是半導(dǎo)體功率器件。曾經(jīng)的“中流砥柱”Si功率器件已日趨其發(fā)展的材料極限,難以滿足當(dāng)今社會發(fā)展對于高頻、高溫、高功率、高能效、耐惡劣環(huán)境以及輕便小型
- 關(guān)鍵字: LED SiC MOSFET
ROHM:國際半導(dǎo)體巨頭的“小”追求和“低”要求
- 近年來,隨著柔性屏幕、觸控技術(shù)和全息技術(shù)在消費(fèi)電子領(lǐng)域的應(yīng)用日益廣泛,智能手機(jī)、平板電腦等智能終端功能越來越多樣化。加上可穿戴設(shè)備的興起、汽車電子的發(fā)展、通信設(shè)備的微型化,設(shè)備內(nèi)部印制電路板所需搭載的半導(dǎo)體器件數(shù)大幅提升,而在性能不斷提升的同時,質(zhì)量和厚度卻要求輕便、超薄。有限的物理空間加上大量的器件需求,對電子元器件的小型化、薄型化以及高精度、高可靠性提出了更高的要求,各個領(lǐng)域元器件小型化的需求日益高漲。小型化不僅是過去幾年的發(fā)展方向,也是將來的趨勢。 談到元器件的小型化,我們就不得不提為此作
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SiC功率半導(dǎo)體將在2016年形成市場 成為新一輪趨勢
- 矢野經(jīng)濟(jì)研究所2014年8月4日公布了全球功率半導(dǎo)體市場的調(diào)查結(jié)果。 全球功率半導(dǎo)體市場規(guī)模的推移變化和預(yù)測(出處:矢野經(jīng)濟(jì)研究所) 2013年全球功率半導(dǎo)體市場規(guī)模(按供貨金額計算)比上年增長5.9%,為143.13億美元。雖然2012年為負(fù)增長,但2013年中國市場的需求恢復(fù)、汽車領(lǐng)域的穩(wěn)步增長以及新能源領(lǐng)域設(shè)備投資的擴(kuò)大等起到了推動作用。 預(yù)計2014年仍將繼續(xù)增長,2015年以后白色家電、汽車及工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域的需求有望擴(kuò)大。矢野經(jīng)濟(jì)研究所預(yù)測,2020年全球功率半導(dǎo)體市場規(guī)
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SiC對醫(yī)療設(shè)備電源為最佳選擇,三菱電機(jī)展示高頻功率模塊
- 三菱電機(jī)開發(fā)出了支持50kHz左右高頻開關(guān)動作的工業(yè)設(shè)備用混合SiC功率半導(dǎo)體模塊,并在7月23~25日舉辦的“日本尖端技術(shù)展(TECHNO-FRONTIER)2014”上展示。該模塊組合了高頻用Si-IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)和SiC-SBD(肖特基勢壘二極管),從2014年5月開始樣品供貨。 據(jù)介紹,新產(chǎn)品可用于光伏發(fā)電用逆變器等多種工業(yè)設(shè)備,尤其適合經(jīng)常采用高開關(guān)頻率的醫(yī)療設(shè)備用電源。新產(chǎn)品有6種,耐壓均為1200V,額定電流為100A~600A不等。通過采
- 關(guān)鍵字: SiC 醫(yī)療設(shè)備
東芝擴(kuò)大650V碳化硅肖特基勢壘二極管產(chǎn)品陣容
- 東京—東芝公司(TOKYO:6502)旗下的半導(dǎo)體&存儲產(chǎn)品公司今天宣布,該公司將通過添加TO-220F-2L絕緣封裝產(chǎn)品擴(kuò)大其650V碳化硅(SiC)肖特基勢壘二極管(SBD)系列產(chǎn)品。四款新產(chǎn)品將擴(kuò)大現(xiàn)有TO-220-2L封裝產(chǎn)品的6A、8A、10A和12A陣容。量產(chǎn)出貨即日啟動?! BD適合各種應(yīng)用,包括光伏發(fā)電系統(tǒng)用的服務(wù)器電源和功率調(diào)節(jié)器。此外,它還可作為開關(guān)電源中的硅二極管的替換件,能夠?qū)⑿侍嵘?0%(東芝調(diào)查)?! iC功率器件提供比當(dāng)前硅器件更加穩(wěn)定的運(yùn)行,即便是在高電壓
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