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sic fets 文章 進(jìn)入sic fets技術(shù)社區(qū)
新型激光材料加工專利大幅提升SiC生產(chǎn)率
- 日本 DISCO 公司的科學(xué)家們使用一種稱為關(guān)鍵無(wú)定形黑色重復(fù)吸收(key amorphous-black repetitive absorption,KABRA)的專利和正在申請(qǐng)專利的激光材料加工技術(shù),可以將碳化硅(SiC)晶圓的生產(chǎn)率提升到原來(lái)的四倍,并且在提高產(chǎn)量的同時(shí)減少材料損耗。該技術(shù)適用于單晶和多晶錠,不管晶體層的取向如何。目前,SiC 功率器件在市場(chǎng)中的滲透較慢,主要是因?yàn)槠洚a(chǎn)量小、且生產(chǎn)成本高。然而,KABRA 方法能夠顯著提高 SiC 器件的產(chǎn)量,并且應(yīng)該能夠使 SiC 器件作為功率
- 關(guān)鍵字: SiC
“十三五”期間,功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)應(yīng)有怎樣的路線圖?
- 如果說(shuō)中央處理器(CPU)是一臺(tái)計(jì)算機(jī)的心臟,功率半導(dǎo)體就是電機(jī)的心臟,它可以實(shí)現(xiàn)對(duì)電能的高效產(chǎn)生、傳輸、轉(zhuǎn)換、存儲(chǔ)和控制。我國(guó)發(fā)布《中國(guó)制造2025》,勾勒出未來(lái)十年產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級(jí)的整體方向與發(fā)展規(guī)劃,在此過(guò)程中,功率半導(dǎo)體發(fā)揮的作用不可替代。 然而,與集成電路產(chǎn)業(yè)相似,我國(guó)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展水平與國(guó)際先進(jìn)水平也存在著巨大差距。人們常拿我國(guó)每年集成電路進(jìn)口額與石油進(jìn)行比較,其實(shí)如果按比例計(jì)算,我國(guó)功率半導(dǎo)體的進(jìn)口替代能力可能更弱。隨著“節(jié)能減排”、“開發(fā)綠色
- 關(guān)鍵字: 功率半導(dǎo)體 SiC
第三代半導(dǎo)體技術(shù)、應(yīng)用、市場(chǎng)全解析
- 第一代半導(dǎo)體材料是元素半導(dǎo)體的天下,第一代半導(dǎo)體材料是化合物半導(dǎo)體材料,然而隨著半導(dǎo)體器件應(yīng)用領(lǐng)域的不斷擴(kuò)大,特別是特殊場(chǎng)合要求半導(dǎo)體能夠在高溫、強(qiáng)輻射、大功率等環(huán)境下依然堅(jiān)挺,第一、二代半導(dǎo)體材料便無(wú)能為力,于是賦予使命的第三代半導(dǎo)體材料——寬禁帶半導(dǎo)體材料誕生了。
- 關(guān)鍵字: 寬禁帶半導(dǎo)體 SiC
無(wú)畏氮化鎵角逐中功率市場(chǎng) 碳化硅功率元件/模組商機(jī)涌現(xiàn)
- 有鑒于全球環(huán)保意識(shí)抬頭,碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN)兩種功率轉(zhuǎn)換材料備受矚目。其中,碳化矽掌握早期開發(fā)優(yōu)勢(shì),其功率模組在再生能源與車用電子領(lǐng)域,商機(jī)已紛紛涌現(xiàn)。而主要鎖定低功率市場(chǎng)的氮化鎵,則將緩步進(jìn)軍中功率市場(chǎng)。 可以彌補(bǔ)天然能源不足缺口的再生能源設(shè)備,為聚焦于中功率、高功率應(yīng)用的碳化矽創(chuàng)造大量需求。另一方面,近期豐田汽車(Toyota)在電動(dòng)車中導(dǎo)入碳化矽(SiC)元件的測(cè)試結(jié)果也已出爐,其在改善能源效率、縮小電源控制系統(tǒng)(PCU)尺寸上的效果,明顯勝過(guò)矽元件。 臺(tái)達(dá)電技術(shù)長(zhǎng)暨總
- 關(guān)鍵字: SiC GaN
GaN、SiC功率元件帶來(lái)更輕巧的世界
- 眾人皆知,由于半導(dǎo)體制程的不斷精進(jìn),數(shù)位邏輯晶片的電晶體密度不斷增高,運(yùn)算力不斷增強(qiáng),使運(yùn)算的取得愈來(lái)愈便宜,也愈來(lái)愈輕便,運(yùn)算力便宜的代表是微電腦、個(gè)人電腦,而輕便的成功代表則是筆電、智慧型手機(jī)、平板。 ? GaN、SiC、Si電源配接電路比較圖 (source:www.nedo.go.jp) 不過(guò),姑且不論摩爾定律(Moors’ Law)能否持續(xù)下去,有些電子系統(tǒng)的輕便度仍待改進(jìn)提升,例如筆電出門經(jīng)常要帶著一個(gè)厚重占體積的電源配接器(Power Ad
- 關(guān)鍵字: GaN SiC
Zaptec公司采用意法半導(dǎo)體先進(jìn)的功率技術(shù),開發(fā)出獨(dú)具特色的便攜式電動(dòng)汽車充電器
- 橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱ST)的享譽(yù)業(yè)界的碳化硅(SiC)功率元器件,讓高科技創(chuàng)業(yè)公司Zaptec開發(fā)出世界上最小、最智能、最安全的電動(dòng)汽車充電站ZapCharger。Zaptec是變壓器產(chǎn)業(yè)革命性的創(chuàng)新性初創(chuàng)公司。 作為市場(chǎng)首款內(nèi)置電子變壓器的電動(dòng)汽車便攜式充電器,ZapCharger可以連接任何電網(wǎng)給任何電動(dòng)汽車充電。意法半導(dǎo)體的SiC MOSFET[1]碳化硅功率芯片具有非凡的功率轉(zhuǎn)換性能,讓Zaptec工程師得以設(shè)
- 關(guān)鍵字: 意法半導(dǎo)體 SiC
SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將開始高速發(fā)展
- SiC功率半導(dǎo)體正進(jìn)入多個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域 當(dāng)首款碳化硅(SiC)二極管于2001年推出時(shí),整個(gè)產(chǎn)業(yè)都對(duì)SiC功率半導(dǎo)體的未來(lái)發(fā)展存在疑慮,它會(huì)有市場(chǎng)嗎?它能夠真正實(shí)現(xiàn)商業(yè)化嗎?然而15年之后的今天,人們不再會(huì)有這樣的疑慮。SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)是真實(shí)存在的,而且具有廣闊的發(fā)展前景。2015年,SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)(包括二極管和晶體管)規(guī)模約為2億美元,到2021年,其市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)將超過(guò)5.5億美元,這期間的復(fù)合年均增長(zhǎng)率預(yù)計(jì)將達(dá)19%。毫無(wú)懸念,消耗大量二極管的功率因素校正(powerfactorcor
- 關(guān)鍵字: SiC 功率半導(dǎo)體
SiC使通訊電源PFC設(shè)計(jì)更高效、更簡(jiǎn)單
- 通訊電源是服務(wù)器,基站通訊的能源庫(kù),為各種傳 輸設(shè)備提供電能,保證通訊系統(tǒng)正常運(yùn)行,通信電源系統(tǒng)在整個(gè)通信行業(yè)中占的比例比較小,但它是整個(gè)通信網(wǎng)絡(luò)的關(guān)鍵基礎(chǔ)設(shè)施,是通信網(wǎng)絡(luò)上一個(gè)完整而又不可 替代的關(guān)鍵部件。通信電源產(chǎn)品種類繁多,一般集中放在機(jī)房里,如圖1所示?! ?nbsp; 圖1:通訊電源機(jī)房 目前主流的通訊電源,其參數(shù)如下: ? 輸入電壓AC:90-264V 50/60Hz ? 輸出功率:2kw ? 
- 關(guān)鍵字: SiC PFC
英飛凌推出具備更大爬電距離的寬體封裝,進(jìn)一步擴(kuò)大緊湊型門級(jí)驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品陣容
- 英飛凌科技股份公司為其EiceDRIVER? Compact隔離型門級(jí)驅(qū)動(dòng)IC產(chǎn)品家族帶來(lái)了寬體封裝新成員。全新1EDI Compact 300 mil器件采用DSO-8 300 mil封裝,可增大爬電距離并改善熱性能?! ∪翴C的爬電距離為8 mm,輸入至輸出隔離電壓1200 V。它們專為驅(qū)動(dòng)高壓功率MOSFET和IGBT而設(shè)計(jì)。目標(biāo)應(yīng)用包括通用和光伏逆變器、工業(yè)變頻器、電動(dòng)汽車充電站、焊接設(shè)備及商用和農(nóng)用車等。優(yōu)化的
- 關(guān)鍵字: 英飛凌 SiC-MOSFET
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