國際領先！新一代SIC晶體生長用材料

半導體產業(yè)網訊：隨著導電型SIC襯底的逐漸量產，對工藝的穩(wěn)定性、可重復性都提出更高的要求。特別是缺陷的控制，爐內熱場微小的調整或漂移，都會帶來晶體的變化或缺陷的增加。后期，更要面臨“長快、長厚、長大”的挑戰(zhàn)，除了理論和工程的提高外，還需要更先進的熱場材料作為支撐。使用先進材料，長先進晶體。

熱場中坩堝的材料，石墨、多孔石墨、碳化鉭粉等使用不當，會帶來碳包裹物增多等缺陷。另外在有些應用場合，多孔石墨的透氣率不夠，需要額外開孔來增加透氣率。透氣率大的多孔石墨，面臨加工、掉粉、蝕刻等挑戰(zhàn)。

恒普科技推出全新一代SIC晶體生長熱場材料，多孔碳化鉭。全球首發(fā)！碳化鉭的強度和硬度都很高，做成多孔狀，更是挑戰(zhàn)。做成孔隙率大、純度高的多孔碳化鉭更是極具挑戰(zhàn)。恒普科技突破性的推出大孔隙率的多孔碳化鉭，孔隙率最大可以做到75%，國際領先。

氣相組元過濾，調整局部溫度梯度，引導物質流方向，控制泄漏等都可以使用。

可與恒普科技另外一款固體碳化鉭（致密）或碳化鉭涂層，形成局部不同流導的構件。

部分構件可以重復使用。

恒普科技推出全新一代SIC晶體生長熱場材料，多孔碳化鉭。

·孔隙率 ≤75% 國際領先

·形狀：片狀、筒狀 國際領先

·孔隙度均勻

恒普科技 | 零實驗室

恒普科技 | 零實驗室，致力于材料的基礎研究和創(chuàng)新方向探索。