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東芝第3代SiC肖特基勢壘二極管產品線增添1200 V新成員，其將助力工業(yè)電源設備實現(xiàn)高效率

  • 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，最新推出第3代碳化硅（SiC）肖特基勢壘二極管（SBD）產品線中增添“TRSxxx120Hx系列”1200 V產品，為其面向太陽能逆變器、電動汽車充電站和開關電源等工業(yè)設備降低功耗。東芝現(xiàn)已開始提供該系列的十款新產品，其中包括采用TO-247-2L封裝的五款產品和采用TO-247封裝的五款產品。最新TRSxxx120Hxx系列為1200 V產品，其采用東芝第3代650 V SiC SBD的改進型結勢壘肖特基（JBS）結構[1]。在結勢壘中使用新型金屬，有
  • 關鍵字： 東芝  SiC  肖特基勢壘二極管  工業(yè)電源  

第4講：SiC的物理特性

  • 與Si材料相比，SiC半導體材料在物理特性上優(yōu)勢明顯，比如擊穿電場強度高、耐高溫、熱傳導性好等，使其適合于制造高耐壓、低損耗功率器件。本篇章帶你詳細了解SiC材料的物理特性。SiC作為半導體功率器件材料，具有許多優(yōu)異的特性。4H-SiC與Si、GaN的物理特性對比見表1。與Si相比，4H-SiC擁有10倍的擊穿電場強度，可實現(xiàn)高耐壓。與另一種寬禁帶半導體GaN相比，物理特性相似，但在p型器件導通控制和熱氧化工藝形成柵極氧化膜方面存在較大差異，4H-SiC在多用途功率MOS晶體管的制備方面具有優(yōu)勢。此外，由
  • 關鍵字： 三菱電機  SiC  

第5講：SiC的晶體缺陷

  • SiC晶體中存在各種缺陷，對SiC器件性能有直接的影響。研究清楚各類缺陷的構成和生長機制非常重要。本文帶你了解SiC的晶體缺陷及其如何影響SiC器件特性。在SiC晶體中存在各種缺陷，其中一些會影響器件的特性。SiC缺陷的主要類型包括微管、晶界、多型夾雜物、碳夾雜物等大型缺陷、以及堆垛層錯（SF）、以及刃位錯（TED）、螺旋位錯（TSD）、基面位錯（BPD）和這些復合體的混合位錯。就密度而言，最近質量相對較好的SiC晶體中，微管是1?10個/cm2，位錯的密度約為103～10?長達個/cm2。至今，與Si相
  • 關鍵字： 三菱電機  SiC  

6.6 kW車載電動汽車充電器設計

  • 我們采用單全橋LLC拓撲結構，以獲得高效率和合理的成本。它由U60和Q60、Q62、Q70、Q72等組成。NCV4390（U60）是一種電流模式高級LLC控制器。它是FAN7688的引腳到引腳兼容設備。如果您在網站上找不到該設備，可以參考FAN7688的說明。有關該零件的更多詳細信息，請參閱數(shù)據(jù)表和應用說明。由于輸出電壓高（250?450 Vdc），同步整流器對整流器的幫助不大傳導損失。因此，我們省略了NCV4390的SR功能。NCV57000是一款具有內部電隔離功能的大電流單通道IGBT驅動器。
  • 關鍵字： 車載電動汽車充電器  NVHL060N090SC1  SiC   

羅姆第4代SiC MOSFET裸芯片批量應用于吉利集團電動汽車品牌“極氪”3種主力車型

  • 8月29日上午，備受矚目的2024年武漢鐵人三項亞洲杯賽、2024年武漢全國鐵人三項冠軍杯系列賽暨U系列冠軍杯賽、2024年中國·武漢鐵人三項公開賽新聞發(fā)布會成功召開。發(fā)布會上，賽事組委會發(fā)布了賽事宣傳片、賽事分組、競賽距離、競賽日程、公開賽標志、賽事獎牌等相關內容。武漢市體育局黨組成員、副局長洪旭艷，江夏區(qū)人民政府黨組成員、副區(qū)長梁爽出席此次發(fā)布會；武漢市社會體育指導中心副主任邱海防代表武漢市體育局發(fā)布賽事信息；江夏區(qū)文化和旅游局（體育局）局長繆璐進行江夏區(qū)文旅推介，向社會各界發(fā)出“跟著賽事游江夏”的邀
  • 關鍵字： 羅姆  SiC MOSFET  極氪  

新潔能SiC/GaN功率器件及封測研發(fā)及產業(yè)化項目延期

  • 8月13日，新潔能發(fā)布公告稱，擬將此前募投項目中的“第三代半導體 SiC/GaN 功率器件及封測的研發(fā)及產業(yè)化”項目達到預定可使用狀態(tài)日期延期至2025年8月。此次延期是受宏觀環(huán)境等不可控因素的影響，項目的工程建設、設備采購及人員安排等相關工作進度均受到一定程度的影響，無法在計劃時間內完成。據(jù)悉，此次延期項目屬新潔能二廠區(qū)擴建項目，項目總投資約2.23億元，2022年開建，原計劃2024年建設完成。項目建成后，將實現(xiàn)年產 SiC/GaN 功率器件2640萬只。新潔能稱，本次募投項目延期僅涉及項目進度的
  • 關鍵字： 新潔能  SiC  GaN  功率器件  封測  

羅姆將亮相2024深圳國際電力元件、可再生能源管理展覽會

  • 全球知名半導體制造商羅姆（總部位于日本京都市）將于8月28日～30日參加在深圳國際會展中心（寶安新館）舉辦的2024深圳國際電力元件、可再生能源管理展覽會（以下簡稱PCIM Asia）（展位號：11號館D14）。屆時，將聚焦碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等寬禁帶半導體，展示其面向工業(yè)設備和汽車領域的豐富產品陣容及解決方案。同時，羅姆工程師還將在現(xiàn)場舉辦的“寬禁帶半導體器件— 氮化鎵及碳化硅論壇”以及“電動汽車論壇”等同期論壇上發(fā)表演講，分享羅姆最新的功率電子技術成果。展位效果圖羅姆擁有世界先進的碳化硅
  • 關鍵字： 羅姆  SiC  氮化鎵  GaN  

第三代半導體，距離頂流差了什么

  • 潮流就是即便你放棄了我，也不妨礙我越來越火。距離特斯拉宣布放棄碳化硅已經過去了一年，這個市場非但沒有被拋棄，反而以 GaN、SiC 為代表的第三代半導體發(fā)展備受關注：Yole 數(shù)據(jù)顯示，2026 年 GaN 市場規(guī)模預計可達 6.72 億美元。SiC 碳化硅 2027 年全球 SiC 功率半導體市場規(guī)模有望突破 60 億美元。預測是人算不如天算，第三代半導體優(yōu)勢已經被講的翻來覆去了，市場的反饋是最真實和殘酷的—很火但不是主流。碳化硅與新能源車能不能齊飛？新能源是第三代半導體應用的重要驅動力。新能源車的最大
  • 關鍵字： GaN  SiC  

悉智科技首顆DCM封裝8并SiC產品量產下線

  • 7月22日，蘇州悉智科技有限公司（以下簡稱“悉智科技”）宣布，其首批車規(guī)級功率模塊量產產品正式下線投產。悉智科技表示，此次下線的首批量產模塊，是悉智科技自研的高端電驅SiC塑封功率模塊產品。在SiC DCM塑封功率模塊的定制化開發(fā)上，悉智科技取得了顯著進展，目前該產品已獲取到客戶的量產訂單，并會在今年四季度實現(xiàn)大規(guī)模量產。資料顯示，悉智科技自2022年1月1日正式運營以來，始終專注于車規(guī)級功率與電源模塊的研發(fā)與生產，致力于為智能電動汽車、光儲新能源等客戶提供深度定制化的解決方案。目前，該公司已在蘇州建成具
  • 關鍵字： 悉智科技  DCM封裝  8并  SiC  

電動汽車和光伏逆變器的下一項關鍵技術

  • 圖1 半導體對許多新興綠色科技至關重要毋庸置疑，從社會發(fā)展的角度，我們必須轉向采用可持續(xù)的替代方案。日益加劇的氣候異常和極地冰蓋的不斷縮小，清楚地證明了氣候變化影響的日益加劇。但有一個不幸的事實是，擺脫化石燃料正被證明極其困難，向綠色技術的轉變也帶來了一系列技術挑戰(zhàn)。無論是生產要跟上快速擴張的市場步伐，還是新解決方案努力達到現(xiàn)有系統(tǒng)產出水平，如果我們要讓化石燃料成為過去，這些難題都必須被克服。對于電動汽車（EV）和太陽能電池板等應用，工程師面臨著更多的挑戰(zhàn)，因為敏感的電子元件必須在惡劣的環(huán)境中持續(xù)可靠地運
  • 關鍵字： 電動汽車  光伏逆變器  SiC  

碳化硅模塊在太陽能逆變器中的應用

  • 碳化硅場效應晶體管(SiC FET)接近于理想的開關，具有低損耗、寬帶隙技術和易于集成設計等優(yōu)勢。Qorvo的SiC FET技術如今以高效模塊化產品的形式呈現(xiàn);本文探討了這種產品形態(tài)如何使SiC FET成為太陽能逆變器應用的理想之選。
  • 關鍵字： 202407  太陽能  PV  SiC FET  寬帶隙  碳化硅  光伏  

瞻芯電子：第三代SiC MOSFET通過車規(guī)認證

  • 6月23日，瞻芯電子宣布，公司基于第三代工藝平臺開發(fā)的1200V 13.5mΩ SiC MOSFET產品已經通過車規(guī)級可靠性(AEC-Q101)測試認證。同時，瞻芯電子第三代1200V SiC MOSFET工藝平臺正式量產，后續(xù)將依托浙江義烏的車規(guī)級SiC晶圓廠推出更多第三代SiC MOSFET產品。瞻芯電子成立于2017年，是一家聚焦于碳化硅(SiC)半導體領域的高科技芯片公司，致力于開發(fā)碳化硅(SiC)功率器件、驅動和控制芯片、碳化硅(SiC)功率模塊產品。瞻芯電子表示，第三代1200V 13
  • 關鍵字： 瞻芯電子  SiC  MOSFET  車規(guī)認證  

2023年SiC功率元件營收排名，ST以32.6%市占率穩(wěn)居第一

  • 據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示，2023年全球SiC功率元件產業(yè)在純電動汽車應用的驅動下保持強勁成長，前五大SiC功率元件供應商約占整體營收91.9%，其中ST以32.6%市占率持續(xù)領先，onsemi則是由2022年的第四名上升至第二名。TrendForce集邦咨詢分析，2024年來自AI服務器等領域的需求則顯著大增，然而，純電動汽車銷量成長速度的明顯放緩和工業(yè)需求走弱正在影響SiC供應鏈，預計2024年全球SiC功率元件產業(yè)營收年成長幅度將較過去幾年顯著收斂。作為關鍵的車用SiC MOSFE
  • 關鍵字： SiC  功率元件  ST  

碳化硅的新爆發(fā)

  • 隨著全球對于電動汽車接納程度的逐步提升，碳化硅（SiC）在未來十年將會迎來全新的增長契機。預計將來，功率半導體的生產商與汽車行業(yè)的運作方會更踴躍地參與到這一領域的價值鏈建設里。SiC 作為第三代半導體以其優(yōu)越的性能，在今年再次掀起風潮。6 英寸到 8 英寸的過渡推動由于截至 2024 年開放 SiC 晶圓市場缺乏批量出貨，因此 8 英寸 SiC 平臺被認為具有戰(zhàn)略性意義。SiC 具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導率、高電子密度和高遷移率等特點，是良好的半導體材料，目前已經在汽車電子、工業(yè)半導體等領域有
  • 關鍵字： SiC  

純電車需求放緩 SiC功率組件業(yè)年營收動能降溫

  • 在純電動汽車應用的驅動下，根據(jù)TrendForce研究顯示，2023年全球SiC功率組件產業(yè)保持強勁成長，但2024年純電動汽車銷量成長速度的明顯放緩與工業(yè)需求走弱，預估今年全球SiC功率組件產業(yè)營收年成長幅度將較過去幾年顯著收斂。根據(jù)TrendForce研究顯示，2023年全球前5大SiC功率組件供貨商約占整體營收91.9%，其中ST以32.6%市占率持續(xù)領先，onsemi則是由2022年的第4名上升至第2名。 TrendForce表示，作為關鍵的車用SiC MOSFET供貨商，ST正在意大利卡塔尼亞打
  • 關鍵字： 純電車  SiC  功率組件  TrendForce  
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