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工程師們心目中那永遠的十款王牌存儲器

  • 　　在如今這工程師漫山遍野的年代，工程師已經變得隨處可見、遍地都是，但我相信每個工程師心目中都有屬于自己的“王牌”器件。如電腦的記憶芯片 - 存儲器，SRAM、DRAM、EEPROM、PLASH、可讀寫類、只可讀類等等。同時存儲器在我們日常生活中也隨處可見，每人必備的U盤、硬盤、光盤等等，所以作為工程師的我們必須關注下這十款經典的存儲器。下面就為大家?guī)砉こ處焸冃哪恐心怯肋h的十款“王牌”存儲器。 　　NO.1：24C16 火熱度：????? 　　一款非常
  • 關鍵字： 存儲器  SRAM  DRAM  

全球存儲及觸摸感應領導廠商賽普拉斯簽約世強合力開拓中國成長型新市場

  • 　　前不久，全球高性能、混合信號、可編程解決方案的領先供應商賽普拉斯(Cypress)簽下中國本土最具實力的分銷商世強(Sekorm)，由后者負責其全線產品包括PSoC®可編程片上系統(tǒng)器件、觸摸感應解決方案、SRAM和非易失性存儲器、USB控制器等等在中國區(qū)的分銷業(yè)務。 　　賽普拉斯全球分銷高級總監(jiān)Kamal Haddad表示很高興找到了值得信賴的分銷伙伴一起開拓市場，中國市場對賽普拉斯非常重要，世強將在開拓新市場的同時，直接支持新的設計，擴展客戶基礎并建立持續(xù)的合作關系。 　　賽普拉斯198
  • 關鍵字： Cypress  Sekorm  PSoC  SRAM  

基于SRAM/DRAM的大容量FIFO的設計與實現(xiàn)

  • 1 引言 FIFO(First In First Out)是一種具有先進先出存儲功能的部件。在高速數(shù)字系統(tǒng)當中通常用作數(shù)據(jù)緩存。在高速數(shù)據(jù)采集、傳輸和實時顯示控制領域中.往往需要對大量數(shù)據(jù)進行快速存儲和讀取，而這種先進先出的結構特點很好地適應了這些要求，是傳統(tǒng)RAM無法達到的。 許多系統(tǒng)都需要大容量FIFO作為緩存，但是由于成本和容量限制，常采用多個FIFO芯片級聯(lián)擴展，這往往導致系統(tǒng)結構復雜，成本高。本文分別針對Hynix公司的兩款SRAM和DRAM器件，介紹了使用CPLD進行接口連接和編程控制，來
  • 關鍵字： FIFO  SRAM  DRAM  CPLD   

賽普拉斯加強在中國和韓國的分銷力量 增加五家新代理商

  • 　　賽普拉斯半導體公司日前宣布，已經與中國及韓國的五家新代理商達成協(xié)議。即日起，中國的大豆科技、世強和利爾達，韓國的HB公司和STC公司將加入賽普拉斯的銷售隊伍。這些分銷合作伙伴將銷售賽普拉斯的全線產品，包括PSoC?可編程片上系統(tǒng)器件、觸摸感應解決方案、SRAM和非易失性存儲器、USB控制器等等。　　賽普拉斯全球分銷高級總監(jiān)Kamal Haddad說：“我們很高興和這些值得信賴的合作伙伴一起拓展我們的分銷渠道。中國和韓國市場對于賽普拉斯來說非常重要，這五個合作伙伴將協(xié)助我們將各類產品滲透到新增的65個分
  • 關鍵字： 賽普拉斯  PSoC  SRAM  

賽普拉斯發(fā)布異步SRAM

  • 　　靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)市場領導者賽普拉斯半導體公司日前宣布，其具有錯誤校正代碼(ECC)的16Mb快速異步SRAM 已開始出樣。片上ECC功能可使新的SRAM具有最高水準的數(shù)據(jù)可靠性，而無需另外的錯誤校正芯片，從而簡化設計并節(jié)省電路板空間。該器件可確保工業(yè)、軍事、通訊、數(shù)據(jù)處理、醫(yī)療、消費電子和汽車等應用領域里的數(shù)據(jù)安全。 　　背景輻射造成的軟錯誤可損壞存儲內容，丟失重要數(shù)據(jù)。賽普拉斯新型異步SRAM中的硬件ECC模塊可在線執(zhí)行所有錯誤校正動作，無需用戶干預，因而具有業(yè)界最佳的軟錯誤(S
  • 關鍵字： 賽普拉斯  SRAM  ECC  

一種采用分離柵極閃存單元實現(xiàn)可編程邏輯陣列的新型測試結構

  • 　　大多數(shù)可編程陣列使用易失性存儲器SRAM作為配置數(shù)據(jù)存儲元件。最近，有人嘗試使用非易失性存儲器(NVM)替代SRAM?；贜VM的FPGA是嵌入式IP應用的理想選擇，其架構和許多增強功能可改善芯片集成度、IP使用率和測試時間。Robert Lipp等人提出了一種采用淺溝槽隔離(STI)工藝的高壓三阱EEPROM檢測方案。
  • 關鍵字： 可編程  閃存  SRAM  SST  SCE  

賽普拉斯推出QDR-IV SRAM用于下一代網絡設備

  • 　　靜態(tài)隨機存取存儲器市場領導者賽普拉斯半導體公司日前宣布，量產業(yè)界首款四倍速(QDR?-IV?)SRAM。賽普拉斯的QDR-IV?SRAM有144和72-Megabit?(Mbit)兩種容量，可滿足下一代交換機和路由器的100-400?Gigabit線卡對隨機傳輸速率的要求。賽普拉斯的QDR-IV?SRAM是市場上性能最高的標準網絡存儲器解決方案。　　對于不斷提升的線卡和交換速率來說，RTR(每秒完整隨機存取次數(shù))是存儲器性能的重要指標。提升線卡速率的瓶
  • 關鍵字： 賽普拉斯  SRAM  QDR-IV  

基于SRAM芯片立體封裝大容量的應用

  • 　　靜態(tài)隨機存儲器(static?RAM)，簡稱SRAM。在電子設備中，常見的存儲器有SRAM(靜態(tài)隨機訪問存儲器)、FLASH(閃速存儲器)、DRAM(動態(tài)存儲器)等。其中不同的存儲器有不同的特性，SRAM無需刷新電路即能保存它內部存儲的數(shù)據(jù)。而DRAM每隔一段時間，要刷新充電一次，否則內部的數(shù)據(jù)即會消失。與SDRAM相比，SRAM不需要時鐘信號，即可保持數(shù)據(jù)不丟失。　　1、VDMS16M32芯片介紹　　VDSR16M32是一款工作電壓3.3V，16Mbit，32位數(shù)據(jù)總線的立體封裝SRAM模
  • 關鍵字： SRAM  FLASH  DRAM  VDSR16M32  

東芝產出從深度休眠模式快速喚醒的極低泄漏SRAM

  • 　　東芝公司(Toshiba Corporation,TOKYO:6502)今天宣布，該公司已經開發(fā)出適用于低功耗微控制器備用RAM的極低泄漏65納米靜態(tài)隨機存儲器(SRAM)，它可以實現(xiàn)從深度休眠模式快速喚醒。 　　東芝于2月11日在2014年美國電氣和電子工程師協(xié)會(IEEE)國際固態(tài)電路會議上公布了這一進展，此次大會在加州舊金山舉行。 　　可穿戴式設備、醫(yī)療保健工具和智能電表等低功耗系統(tǒng)對較長的電池放電時間存在強勁需求。降低這些系統(tǒng)所使用微控制器的功耗存在許多挑戰(zhàn)，隨著工藝的升級換代，泄漏電流的
  • 關鍵字： 東芝  SRAM  

基于FPGA動態(tài)可重構技術的二模冗余MIPS處理器

  • 現(xiàn)場可編程門陣列(Field Programmable Gate Array， FPGA)是基于SRAM的一種硬件電路可重配置電子邏輯器件，可通過將硬件描述語言編譯生成的硬件配置比特流編程到FPGA中，而使其硬件邏輯發(fā)生改變。
  • 關鍵字： FPGA  SRAM  MIPS  存儲器  BIST  

富士通推出全新4 Mbit FRAM產品

  • 2013年11月14日，富士通半導體(上海)有限公司宣布，推出全新具有SRAM兼容型并列接口的4 Mbit FRAM芯片---MB85R4M2T。MB85R4M2T采用44-pinTSOP封裝并且與標準低功耗SRAM兼容，因此能夠應用在工業(yè)控制、辦公自動化設備、醫(yī)療設備以及其他設備中，取代原有具備高速數(shù)據(jù)寫入功能的SRAM。
  • 關鍵字： 富士通  SRAM  FRAM  

基于SRAM/DRAM的大容量FIFO的設計與實現(xiàn)

  • 引言　　CMMB(China Mobile Multimedia BroADCasting)即中國移動多媒體廣播，是中國第一套具有自主知識產權 ...
  • 關鍵字： FIFO  SRAM  CPLD    

Cortex M3的SRAM單元故障軟件的自檢測研究

  • 目前，對于存儲單元SRAM的研究都是基于硬件電路來完成，而且這些方法都是運用在生產過程中，但是生產過程并不能完 ...
  • 關鍵字： Cortex  M3  SRAM  單元故障  自檢測研究  

從Flash和SRAM中觸發(fā)中斷的過程示例（二）

  • 啟動匯編代碼　　;*********************************************************************　　; 匯編 ...
  • 關鍵字： Flash  SRAM  觸發(fā)中斷  

從Flash和SRAM中觸發(fā)中斷的過程示例（一）

  • 使用LPC2106的Timer 1 進行的簡單的中斷處理。示例代碼中Timer1分為FIQ和IRQ，用戶可以從Flash或者SRAM中運行 ...
  • 關鍵字： Flash  SRAM  觸發(fā)中斷  
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