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富士通半導體與SuVolta攜手合作

  • 富士通半導體有限公司和SuVolta，Inc今日宣布，通過將SuVolta的PowerShrink低功耗CMOS與富士通半導體的低功耗工藝技術(shù)集成，已經(jīng)成功地展示了在0.425V超低電壓下，SRAM(靜態(tài)隨機存儲)模塊可以正常運行。這些技術(shù)降低能耗，為即將出現(xiàn)的終極“生態(tài)”產(chǎn)品鋪平道路。技術(shù)細節(jié)和結(jié)果將會在12月5日開始在華盛頓召開的2011年國際電子器件會議(IEDM)上發(fā)表。
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新型高可靠性低功耗6管SRAM單元設計

  • 摘要：提出一種新型的6管SRAM單元結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)采用讀／寫分開技術(shù)，從而很大程度上解決了噪聲容限的問題，并且該結(jié)構(gòu)在數(shù)據(jù)保持狀態(tài)下，采用漏電流以及正反饋保持數(shù)據(jù)，從而不需要數(shù)據(jù)的刷新來維持數(shù)據(jù)。仿真顯示了正
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非易失性SRAM DS1747

  • DS1747是功能完備、2000年兼容(Y2KC)的實時時鐘/日歷(RTC)和512k x 8非易失性SRAM。用戶可通過如圖1所示的 ...
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Altera 選擇賽普拉斯的高容量QDR?II 和 QDRII+ SRAM器件用于28 納米 Stratix V FPGA 開發(fā)套件

  • 2011年10月24日，北京訊，加州圣何塞訊——SRAM領(lǐng)域的業(yè)界領(lǐng)先者賽普拉斯半導體公司（納斯達克股票代碼：CY）日...
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科學家研制出新型鐵電晶體管隨機存取存儲器

  • 　　據(jù)美國物理學家組織網(wǎng)近日報道，美國科學家們正在研制一種新的計算機存儲設備——鐵電晶體管隨機存取存儲器(FeTRAM)，其將比現(xiàn)在的商用存儲設備更快捷，且比占主流的閃存能耗更低。研究發(fā)表在美國化學學會的《納米快報》雜志上。 　
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嵌入式MIPS32 M4K處理器內(nèi)核SRAM接口應用

  • 嵌入式MIPS32 M4K處理器內(nèi)核SRAM接口應用, 在微控制器尺寸和成本的限制下，M4K內(nèi)核內(nèi)部不支持指令高速緩存(I-cache)或數(shù)據(jù)高速緩存(D-cache)的標準功能。本文重點討論的一個內(nèi)容--SRAM接口，這是MIPS32 M4K內(nèi)核的一個標準功能?！　4K內(nèi)核SRAM接口基本描述
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基于SRAM的可重配置電路PLD

  • 本文介紹了一種基于微控制器的PLD ICR控制電路，該控制電路結(jié)構(gòu)簡單、占用空間小、性價比較高，適用于需要ICR功能的電子裝置中，該ICR控制電路是為配置ALTERR系列PLD器件來設計的，稍加屐也適用于XILINX公司的FPGA器件。這個配置電路的主要弱點在于配置速率較慢，只能適應用于配置速率要求不高的應用。
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賽普拉斯推出32位總線寬度低耗異步SRAM

  • 　　賽普拉斯半導體公司日前宣布推出具有 32 位總線寬度的 128 Mb、64 Mb 和 32 Mb MoBL(更長電池使用壽命)異步 SRAM。這些器件的推出進一步豐富了賽普拉斯業(yè)界領(lǐng)先的 SRAM 產(chǎn)品系列(包括高性能同步、異步和微功耗器件)。這些全新 MoBL SRAM 與 32 位 DSP、FPGA 和處理器配合使用可顯著提升系統(tǒng)性能，從而充分滿足電信、計算機、外設、消費類產(chǎn)品、醫(yī)療、軍事等領(lǐng)域的應用需求。 　　
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賽普拉斯推出全球首批低功耗異步SRAM

  • 賽普拉斯半導體公司（納斯達克股票代碼：CY）日前宣布推出具有 32 位總線寬度的 128 Mb、64 Mb 和 32 Mb MoBL （更長電池使用壽命）異步 SRAM。這些器件的推出進一步豐富了賽普拉斯業(yè)界領(lǐng)先的 SRAM 產(chǎn)品系列（包括高性能同步、異步和微功耗器件）。這些全新 MoBL SRAM 與 32 位 DSP、FPGA 和處理器配合使用可顯著提升系統(tǒng)性能，從而充分滿足電信、計算機、外設、消費類產(chǎn)品、醫(yī)療、軍事等領(lǐng)域的應用需求。
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Cortex―M3的SRAM單元故障軟件的自檢測研究

  • Cortex―M3的SRAM單元故障軟件的自檢測研究,引言
    目前，對于存儲單元SRAM的研究都是基于硬件電路來完成，而且這些方法都是運用在生產(chǎn)過程中，但是生產(chǎn)過程并不能完全杜絕SRAM的硬件故障。在其使用過程中，如果SRAM硬件出錯，將導致程序出錯而且很難被發(fā)現(xiàn)
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四倍速SRAM與Spartan3 FPGA的接口設計

  • 互聯(lián)網(wǎng)的飛速發(fā)展極大地促進了高速數(shù)據(jù)通信系統(tǒng)的需求量增加，同時也促進了更快速的處理器的發(fā)展，推動了存儲器...
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QDR SRAM與Spartan3 FPGA的接口設計

  • QDR SRAM與Spartan3 FPGA的接口設計,為了滿足當前系統(tǒng)和處理器的生產(chǎn)量需求，更新的靜態(tài)存儲器應運而生。QDR SRAM就是由Cypress、Renesas、IDT、NEC和Samsung為高性能的網(wǎng)絡系統(tǒng)應用而共同開發(fā)的一種具有創(chuàng)新體系結(jié)構(gòu)的同步靜態(tài)存儲器?！　? QDR SRAM的
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QDR聯(lián)盟推出新型最高速的QDR SRAM

  • 　　北京訊，包括賽普拉斯半導體公司(NASDAQ:CY)和瑞薩電子公司(TSE: 6723)在內(nèi)的QDR聯(lián)盟日前宣布推出業(yè)界最快的四倍數(shù)據(jù)率(QDR) SRAM(靜態(tài)隨機存取存儲器)。這些新型存儲器將被命名為QDRII+ Xtreme并將以高達633兆赫茲(MHz)的時鐘頻率允許。這些器件將與現(xiàn)有的QDR II+器件在管腳、尺寸和功能方面兼容，從而使網(wǎng)絡交換機、路由器及聚合平臺制造商不必修改電路板設計，只需提高系統(tǒng)內(nèi)時鐘速度即可大幅改善產(chǎn)品性能?！?/li>
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AM-OLED顯示驅(qū)動芯片中內(nèi)置SRAM的設計

  • 摘要：詳細描述了一種內(nèi)置于AM-OLED顯示驅(qū)動芯片中的單端口SRAM電路的設計方法，提出了一種解決SRAM訪問時序沖突問題的仲裁算法。同時給出了基于0．18mu;m標準CMOS工藝設計的一款大小為320x240x18位的SRAM電路。通過
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Finfet+平面型架構(gòu)混合體：傳Intel近期將公布22nm節(jié)點制程工藝細節(jié)

  • 　　據(jù)消息來源透露，Intel公司近期可能會公開其22nm制程工藝的部分技術(shù)細節(jié)，據(jù)稱Intel的22nm制程工藝的SRAM部分將采用FinFET垂 直型晶體管結(jié)構(gòu)，而邏輯電路部分則仍采用傳統(tǒng)的平面型晶體管結(jié)構(gòu)。消息來源還稱Intel“很快就會”對外公開展示一款基于這種22nm制程的處理器實 物。不過記者詢問Intel發(fā)言人后得到的答復則是:"我們不會對流言或猜測進行評論。" 　　盡管早在2009年Intel高管Mark Bohr便曾公開過其22nm制程SRA
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