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意法半導(dǎo)體（ST）推出LED單片控制方法

2005年3月14日意法半導(dǎo)體日前推出一系列用于工業(yè)照明、標(biāo)牌和交通應(yīng)用的單片LED驅(qū)動(dòng)IC。功率邏輯STPxxC596 和STPxxCL596 系列產(chǎn)品集成了外部電阻設(shè)置和恒流驅(qū)動(dòng)LED所需的全部功能，一旦設(shè)置完成后，反饋機(jī)制就會(huì)監(jiān)視一個(gè)LED或一個(gè)LED陣列，并動(dòng)態(tài)調(diào)節(jié)輸出，以維持已編程的電流電平。這兩個(gè)器件分8個(gè)輸出或16個(gè)輸出兩種型號(hào)，輸入電壓3.3V
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ST推出世界上第一款超薄CRT顯示器用垂直偏轉(zhuǎn)升壓放大器

2005年3月15日意法半導(dǎo)體今天推出了世界第一個(gè)超薄CRT垂直偏轉(zhuǎn)升壓放大器。這款命名為STV8179F的放大器能夠滿足超大屏幕超薄CRT顯示器對高輸出電流和回掃電壓以及低散熱的需求。新出現(xiàn)的超薄CRT顯示器概念除具有平板顯示器的尺寸小的優(yōu)點(diǎn)外，還兼有CRT技術(shù)的所有優(yōu)點(diǎn)，如優(yōu)異的清晰度，鮮艷的色彩，出色的對比度，低廉的價(jià)格。超薄顯像管的厚度接近液晶電視和等離子電視，而價(jià)格只是平板電視的三分之一。 &n
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意法半導(dǎo)體（ST）推出便攜設(shè)備用2x1W立體聲音頻放大器

2005年3月17日意法半導(dǎo)體今天推出一款高質(zhì)量的音頻放大器IC，該產(chǎn)品的目標(biāo)應(yīng)用包括手機(jī)、筆記本電腦、個(gè)人數(shù)字助理、液晶顯示器、電視和隨身聽等便攜設(shè)備。 TS4984能夠在5V電壓下向8歐姆負(fù)載輸出每聲道1W的連續(xù)均方根輸出功率，THD+N（總諧波失真+噪聲）低于1%，工作電壓范圍2.2 到 5.5V。典型信噪比100dB(A)；輸入接地，電源電壓抑制比在217Hz時(shí)6
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ST推出一個(gè)新的32兆位汽車專用閃存

　　ST宣布推出一個(gè)新的32兆位汽車專用閃存，汽車專用閃存是其它類型存儲(chǔ)器件無法取代的汽車環(huán)境使用的芯片。除保持高速存取和寬工作溫度范圍之外，M58BW032還適用于傳動(dòng)系統(tǒng)和變速器的控制模塊、ABS控制器以及其它高性能的汽車系統(tǒng)。　　從閃存直接執(zhí)行代碼是寬溫度范圍應(yīng)用的主要需求之一，在這種環(huán)境內(nèi)，CPU不能從普通系統(tǒng)使用的大容量DRAM存儲(chǔ)器執(zhí)行代碼，相反，應(yīng)用設(shè)計(jì)師需要高速可靠的大容量閃存來執(zhí)行代碼，汽車應(yīng)用對閃存的要求接近了MCU芯片嵌入的閃存技術(shù)的容量極限，但是，獨(dú)立閃存芯片如M58BW032
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ST與Scientific-Atlanta再次提高有線電視機(jī)頂盒技術(shù)標(biāo)桿

　　2005年1月12日 — 世界最大的機(jī)頂盒芯片供應(yīng)商意法半導(dǎo)體（紐約證券交易所：STM）與著名的數(shù)字錄像機(jī)和高清電視機(jī)頂盒制造商Scientific-Atlanta有限公司聯(lián)合宣布兩家公司合作開發(fā)的一款高度集成的有線電視機(jī)頂盒芯片開始進(jìn)入量產(chǎn)階段。新產(chǎn)品集兩家公司的先進(jìn)的機(jī)頂盒和硅技術(shù)之大成，再次創(chuàng)立了系統(tǒng)芯片的集成基準(zhǔn)。　　新的Atlas芯片是一個(gè)可立即投產(chǎn)的定制集成電路，現(xiàn)已安裝在高級(jí)機(jī)頂盒產(chǎn)品之內(nèi)，如Scientific-Atlanta的Explorer® 8000™系列
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ST 公布第四季度收入和毛利率的初步統(tǒng)計(jì)結(jié)果

　　2005年1月11日 — 意法半導(dǎo)體（紐約證券交易所：STM）今日公布了2004財(cái)務(wù)年第四季度（截至2004年12月31日）的凈銷售收入的初步統(tǒng)計(jì)結(jié)果，截至今日公司第四財(cái)務(wù)季度的凈收入23.28億美元，環(huán)比增長4.3%，相比之下，上一季度公布的第四季度收入增長指標(biāo)為第四季度與上一季度持平到增長5%。根據(jù)現(xiàn)有的初步統(tǒng)計(jì)結(jié)果，毛利率估計(jì)為36.6%左右，而以前公布的第四季度毛利率指標(biāo)為38-39%。　　ST 認(rèn)為匯率和持續(xù)的價(jià)格壓力、制造設(shè)備利用率低于預(yù)期水平和某些制造廠業(yè)績不佳等不利因素是導(dǎo)致本季度
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意法半導(dǎo)體（ST）的混合發(fā)射極晶體管

意法半導(dǎo)體（紐約證券交易所：STM）推出了一個(gè)混合發(fā)射極開關(guān)雙極晶體管(ESBT)，這個(gè)被稱作STE50DE100的新器件可用于焊接設(shè)備、感應(yīng)加熱系統(tǒng)和音頻放大器的功率因數(shù)校正應(yīng)用。STE50D100的集電極-源極能經(jīng)受1000V的高壓，集電極電流高達(dá)50A，這個(gè)四端子器件采用工業(yè)專用螺釘組裝的TSOTOP封裝。在設(shè)計(jì)上，新器件集中了雙極晶體管和MOSFET管的優(yōu)點(diǎn)，并且摒棄了它們的缺點(diǎn)。目前，功率雙極晶體管技術(shù)廣泛用于頻率低于70KHz的電源開關(guān)應(yīng)用，因?yàn)榧姌O-發(fā)射極飽和電壓低，功率雙極晶體管具有較低
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ST推出兼容NorDig統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn)的單片COFDM解調(diào)器

數(shù)字電視系統(tǒng)芯片解決方案供應(yīng)商及世界上最大的機(jī)頂盒芯片供應(yīng)商*意法半導(dǎo)體，日前發(fā)布一個(gè)新的能夠在全歐洲進(jìn)行地面數(shù)字電視廣播前端處理功能的COFDM解調(diào)器芯片STV0361，新器件完全符合歐洲的COFDM（編碼正交分頻多工技術(shù)）解調(diào)標(biāo)準(zhǔn)，其中包括歐洲廣播聯(lián)合會(huì)數(shù)字視頻廣播——地面(EBU DVB-T)規(guī)范(ETS 300 744)，特別兼容NorDig統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn)1.0.1版。新的芯片用于設(shè)計(jì)數(shù)字電視和數(shù)字模擬混合電視、數(shù)字機(jī)頂盒和數(shù)字錄像機(jī)，可以與行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的ST OMEGA后端芯片無縫連接，為價(jià)格敏感的數(shù)字消
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Hynix與ST在中國合建一流存儲(chǔ)器前端制造廠

　　意法半導(dǎo)體與韓國現(xiàn)代半導(dǎo)體今天宣布雙方簽署了在中國江蘇省無錫市合資建立一家存儲(chǔ)器前端制造廠的合資企業(yè)協(xié)議書，這個(gè)專門用于制造DRAM和NAND閃存的全新的晶圓制造廠將有助于現(xiàn)代半導(dǎo)體（Hynix）DRAM業(yè)務(wù)的穩(wěn)定增長，而意法半導(dǎo)體公司可通過該廠建立其NAND閃存的產(chǎn)能。該合資公司同時(shí)可有效地拓展成功的NAND閃存制程/產(chǎn)品開發(fā)，并加強(qiáng)兩家公司間的生產(chǎn)制造能力。　　工廠選址無錫是因?yàn)樵摰貐^(qū)交通便利，緊臨上海，可提供大量經(jīng)驗(yàn)豐富的技術(shù)人員及工人，基礎(chǔ)設(shè)施完善。這個(gè)先進(jìn)的晶圓制造廠以及超過18,000
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ST的串行程序及數(shù)據(jù)閃存產(chǎn)品系列新增1兆位和2兆位成員

意法半導(dǎo)體（紐約證券交易所：STM）今天推出兩個(gè)新的數(shù)據(jù)和程序存儲(chǔ)器件，這兩個(gè)器件屬于ST的高速低壓串行閃存產(chǎn)品系列，新的M45PE10 和 M45PE20將用于大量的快速變化的參數(shù)數(shù)據(jù)應(yīng)用，例如應(yīng)答機(jī)、尋呼機(jī)、視頻游戲和電子玩具。這兩個(gè)1兆位和2兆位的器件維持了與串行EEPROM產(chǎn)品組合之間的連續(xù)性，并使ST規(guī)格齊全的代碼存儲(chǔ)M25P串行閃存系列變得更加完整。M45PE系列產(chǎn)品提供精細(xì)粒度，可以存儲(chǔ)快速變化的數(shù)據(jù)，而且系統(tǒng)額外開支被最小化。每個(gè)256字節(jié)的頁可以單獨(dú)擦除或編程，此外，寫入指令提供了修改1
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意法半導(dǎo)體（ST）推出WLAN IEEE802.11b/g功率放大器

意法半導(dǎo)體 (紐約證券交易所：STM) 今日推出一個(gè)用于無線LAN應(yīng)用的線性功率放大器，這個(gè)器件符合IEEE802.11b/g標(biāo)準(zhǔn)，目標(biāo)應(yīng)用包括筆記本電腦、PC機(jī)、個(gè)人數(shù)字助理和其它移動(dòng)產(chǎn)品。STB7720L是一個(gè)三級(jí)線性功率放大器，專門為WLAN應(yīng)用的2.4GHz ISM頻段設(shè)計(jì)。它包括用于提高線性的偏置網(wǎng)絡(luò)、關(guān)斷模式和靜流整流功能，功率增益32dB，線性輸出功率19dBm，以54Mbit/s速率進(jìn)行802.11g調(diào)制時(shí)，錯(cuò)誤矢量僅為2%。這個(gè)器件集成一個(gè)線性模擬控制器和一個(gè)平均通道功率檢測器，控制器用
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ST以更小、更強(qiáng)固的功率器件打破半導(dǎo)體規(guī)則

　　意法半導(dǎo)體日前推出新一代VIPower（縱向智能功率器件）技術(shù)，VIPower技術(shù)為ST公司獨(dú)家專有，新技術(shù)的問世進(jìn)一步加強(qiáng)了該公司在智能功率器件領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。代號(hào)為M0-5的新技術(shù)采用一項(xiàng)獲得專利的控制策略，使該公司能夠減小芯片及封裝的尺寸，同時(shí)輸出與現(xiàn)有產(chǎn)品相同的功率，而且還大幅度提高了產(chǎn)品的強(qiáng)固性。這項(xiàng)新技術(shù)特別適用于以更小、更輕、更便宜為需求特點(diǎn)的汽車應(yīng)用，使汽車元器件實(shí)現(xiàn)了在極具挑戰(zhàn)性的物理和電條件下必須穩(wěn)定工作的要求。　　ST開發(fā)新一代汽車智能功率技術(shù)的基礎(chǔ)是，對異常工況下導(dǎo)致元器件
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ST機(jī)頂盒IC產(chǎn)品新增單片DVB-S2硅調(diào)諧器

　　意法半導(dǎo)體近日推出一個(gè)新的機(jī)頂盒硅調(diào)諧器STB6100，新產(chǎn)品符合新的DVB-S2衛(wèi)星廣播規(guī)范的嚴(yán)格規(guī)定。與先前的DVB-S標(biāo)準(zhǔn)相比，新的DVB-S2標(biāo)準(zhǔn)將衛(wèi)星通信鏈路的容量提高了30%，實(shí)際性能已接近理論上的極限，從而促進(jìn)了高數(shù)據(jù)速率應(yīng)用如HDTV（高清電視）和寬帶互聯(lián)網(wǎng)的高效部署。　　ST是世界最大的機(jī)頂盒硅片供應(yīng)商*，產(chǎn)品范圍覆蓋衛(wèi)星、有線和地面電視，為優(yōu)化DVB-S2規(guī)范，該公司密切配合DVB（數(shù)字視頻廣播）技術(shù)組的工作。2004年5月，ST宣布開發(fā)成功一個(gè)符合新規(guī)范的模塊化設(shè)計(jì)，現(xiàn)在它正
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應(yīng)用STripFET技術(shù)的新低壓場效應(yīng)MOS晶體管

　　意法半導(dǎo)體（紐約證券交易所：STM）推出多個(gè)基于其STripFET技術(shù)的低壓N溝道場效應(yīng)MOS晶體管，這些產(chǎn)品的設(shè)計(jì)目標(biāo)是超高開關(guān)頻率的應(yīng)用，對計(jì)算機(jī)主板和電信客戶極具吸引力。　　STripFET采用優(yōu)化的布局和最新的制程，提高了柵電荷、柵電阻和輸入電容特性。低柵電荷特性使開關(guān)特性十分優(yōu)秀，低柵電阻意味著瞬間響應(yīng)速度快。這項(xiàng)技術(shù)還創(chuàng)造了極低的靈敏系數(shù)，等于降低了導(dǎo)通和開關(guān)損耗。　　意法半導(dǎo)體發(fā)布的新產(chǎn)品包括STS12NH3LL, STSJ50NH3LL, STD55NH2LL, STD95NH
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處理器體系結(jié)構(gòu)和嵌入式系統(tǒng)編譯技術(shù)新進(jìn)展

　　意法半導(dǎo)體是為嵌入式系統(tǒng)解決方案構(gòu)筑平臺(tái)的公司之一，最近該公司出版的新一期“ST Journal of Research”（《ST研究期刊》）著重介紹了處理器的體系結(jié)構(gòu)和嵌入式系統(tǒng)的編譯技術(shù)。　　今天復(fù)雜的嵌入式系統(tǒng)很少是由一個(gè)單一微控制器構(gòu)成，現(xiàn)在它們是含有幾個(gè)處理器、硬件加速器、總線、存儲(chǔ)器和外設(shè)的全計(jì)算系統(tǒng)，在構(gòu)建這些復(fù)雜的計(jì)算系統(tǒng)時(shí)，工程師必須采用一個(gè)真正和系統(tǒng)級(jí)的方法，設(shè)法同時(shí)并成功地解決硬件、操作系統(tǒng)和應(yīng)用的挑戰(zhàn)。在這種情況下，編譯器和軟件工具所起的作用日益重要。　　《ST研究期刊
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