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Transphorm推出SuperGaN FET低成本驅(qū)動(dòng)器方案

加利福尼亞州戈萊塔 – 2023 年 6 月 15 日 –新世代電力系統(tǒng)的未來(lái), 氮化鎵（GaN）功率轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的全球領(lǐng)先供應(yīng)商Transphorm, Inc.（Nasdaq: TGAN）發(fā)布了一款高性能、低成本的驅(qū)動(dòng)器解決方案。這款設(shè)計(jì)方案面向中低功率的應(yīng)用，適用于LED照明、充電、微型逆變器、UPS和電竟電腦，加強(qiáng)了公司在這個(gè)30億美元電力市場(chǎng)客戶(hù)的價(jià)值主張。不同于同類(lèi)競(jìng)爭(zhēng)的 e-mode GaN 解決方案需要采用定制驅(qū)動(dòng)器或柵極保護(hù)器件的電平移位電路，Transphorm 的 SuperG
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Transphorm發(fā)布業(yè)界首款1200伏GaN-on-Sapphire器件的仿真模型

加州戈利塔--(2023年5月31日)-- 高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的先鋒企業(yè)和全球供應(yīng)商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)宣布推出其1200伏功率管仿真模型及初始規(guī)格書(shū)。TP120H070WS功率管是迄今為止推出的唯一一款1200伏GaN-on-Sapphire功率半導(dǎo)體，領(lǐng)先同類(lèi)產(chǎn)品。這款產(chǎn)品的發(fā)布展現(xiàn)Transphorm有能力支持未來(lái)的汽車(chē)電力系統(tǒng)，以及已普遍用于工業(yè)、數(shù)據(jù)通信和可再生能源市場(chǎng)的三相電力系統(tǒng)。與替代技術(shù)相比，這些應(yīng)用可受益于1
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Transphorm和偉詮電子合作發(fā)布集成式GaN SiP

Transphorm將在APEC2023會(huì)議上展出該產(chǎn)品(展位#853)。加州戈利塔和臺(tái)灣新竹—March 1, 2023 -- 高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)功率轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的先鋒企業(yè)和全球供貨商Transphorm, Inc.?(Nasdaq: TGAN)與偉詮電子 (Weltrend Semiconductor Inc.，TWSE: 2436)今天宣布雙方合作推出首款系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)的氮化鎵電源控制芯片。偉詮電子是用于適配器USB PD的控制器IC的全球領(lǐng)導(dǎo)者之一，新推出的WT7162R
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Transphorm發(fā)布緊湊型240瓦電源適配器參考設(shè)計(jì),該方案采用了高性能TO-220封裝氮化鎵功率管

目前，同業(yè)競(jìng)爭(zhēng)氮化鎵技術(shù)均未推出插件式封裝的氮化鎵器件。采用符合產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的插件式封裝，電源能夠以更低的成本獲得功率密度優(yōu)勢(shì)。
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Transphorm按功率段發(fā)布氮化鎵功率管可靠性評(píng)估數(shù)據(jù)

高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的先鋒企業(yè)和全球供貨商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)今日發(fā)布了針對(duì)其氮化鎵功率管的最新可靠性評(píng)估數(shù)據(jù)。評(píng)估可靠性使用的失效率（FIT）是分析客戶(hù)現(xiàn)場(chǎng)應(yīng)用中失效的器件數(shù)。迄今為止，基于超過(guò)850億小時(shí)的現(xiàn)場(chǎng)應(yīng)用數(shù)據(jù)，該公司全系列產(chǎn)品的平均失效率(FIT)小于0.1?，F(xiàn)有氮化鎵功率解決方案的全功率可靠性評(píng)估中，這一失效率是業(yè)界報(bào)道過(guò)的最好的評(píng)估結(jié)果之一。Transphorm在構(gòu)建其氮化鎵平臺(tái)時(shí)考慮了可靠性的要求, 了解寬禁帶技術(shù)進(jìn)入市
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Transphorm拓展中國(guó)區(qū)業(yè)務(wù),擴(kuò)大氮化鎵應(yīng)用實(shí)驗(yàn)室

Transphorm拓展中國(guó)區(qū)業(yè)務(wù),擴(kuò)大氮化鎵應(yīng)用實(shí)驗(yàn)室大中華區(qū)新增辦事處提升服務(wù)亞太區(qū)域電力電子客戶(hù)的能力加州戈利塔—2022年12月1 日--高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的先鋒企業(yè)和全球供貨商Transphorm, Inc. 宣布在中國(guó)深圳開(kāi)設(shè)新的辦事處。作為一家外商獨(dú)資企業(yè)(WFOE)，Transphorm的深圳辦事處將負(fù)責(zé)加強(qiáng)當(dāng)?shù)乜蛻?hù)支持、銷(xiāo)售和市場(chǎng)營(yíng)銷(xiāo)工作，另外，該辦事處將作為當(dāng)?shù)刂С挚蛻?hù)開(kāi)發(fā)氮化鎵電源系統(tǒng)的應(yīng)用實(shí)驗(yàn)室，并同時(shí)支持全球研發(fā)工作。深圳辦事處將由Transphorm
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Transphorm拓展中國(guó)區(qū)業(yè)務(wù), 擴(kuò)大氮化鎵應(yīng)用實(shí)驗(yàn)室

加州戈利塔—2022年12月1 日--高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的先鋒企業(yè)和全球供貨商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)宣布在中國(guó)深圳開(kāi)設(shè)新的辦事處。作為一家外商獨(dú)資企業(yè)(WFOE)，Transphorm的深圳辦事處將負(fù)責(zé)加強(qiáng)當(dāng)?shù)乜蛻?hù)支持、銷(xiāo)售和市場(chǎng)營(yíng)銷(xiāo)工作，另外，該辦事處將作為當(dāng)?shù)刂С挚蛻?hù)開(kāi)發(fā)氮化鎵電源系統(tǒng)的應(yīng)用實(shí)驗(yàn)室，并同時(shí)支持全球研發(fā)工作。深圳辦事處將由Transphorm現(xiàn)任亞洲銷(xiāo)售副總裁Kenny Yim管理，他同時(shí)也擔(dān)任中國(guó)區(qū)總經(jīng)理一職。Trans
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Transphorm贏得美國(guó)能源部先進(jìn)能源研究計(jì)劃署的合同，提供具有雙向電流和電壓控制功能的新型四象限氮化鎵開(kāi)關(guān)

加州戈利塔----高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的先鋒企業(yè)和全球供應(yīng)商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)今天宣布，公司已贏得一份美國(guó)能源部先進(jìn)能源研究計(jì)劃署(ARPA-E)的合同。該項(xiàng)目是ARPA-E CIRCUITS計(jì)劃的一部分，通過(guò)與伊利諾伊理工大學(xué)的分包合同開(kāi)展，包括提供基于氮化鎵的四象限雙向開(kāi)關(guān)管(FQS)。這些開(kāi)關(guān)管可用于多種電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用，如電流源型逆變器、變頻器用于驅(qū)動(dòng)器和微型逆變器、矩陣式開(kāi)關(guān)和固態(tài)斷路器等新型應(yīng)用。此項(xiàng)計(jì)劃的開(kāi)展得益于Transph
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飛宏新推出的65W 2C1A USB PD適配器采用Transphorm的氮化鎵技術(shù)

高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的先鋒和全球供應(yīng)商Transphorm, Inc.?(Nasdaq: TGAN)宣布，全球電源產(chǎn)品和電動(dòng)汽車(chē)充電站供應(yīng)商飛宏(Phihong)新推出的65W 2C1A USB PD適配器采用了該公司的氮化鎵技術(shù)。這款適配器采用Transphorm的SuperGaN?第四代技術(shù)，這是一種氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)管(FET)平臺(tái)，具有以下優(yōu)點(diǎn)：系統(tǒng)設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單，元件數(shù)量少，性能更高，可靠性一流。飛宏的65W適配器外形小巧(51 x 55.3 x 29 mm)，配備兩個(gè)US
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Transphorm的表面貼裝封裝產(chǎn)品系列增加行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)TO-263 (D2PAK)封裝產(chǎn)品，擴(kuò)大SuperGaN平臺(tái)的優(yōu)勢(shì)

高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的先鋒和全球供應(yīng)商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN) 今天宣布，新增的TP65H050G4BS器件擴(kuò)充了其表面貼裝封裝產(chǎn)品系列。這款全新高功率表面貼裝器件(SMD)是一款采用TO-263 (D2PAK) 封裝的650V SuperGaN?場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET)，典型導(dǎo)通阻抗為50mOhm。TP65H050G4BS是Transphorm的第七款SMD，豐富了目前面向中低功率應(yīng)用的PQFN器件。TP65H050G4BS通過(guò)了J
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Transphorm推出參考設(shè)計(jì)組合，加快USB-C PD氮化鎵電源適配器的開(kāi)發(fā)

高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的先驅(qū)和全球供應(yīng)商Transphorm, Inc.?近日宣布推出七款參考設(shè)計(jì)，旨在加快基于氮化鎵的USB-C PD電源適配器的研發(fā)。該參考設(shè)計(jì)組合包括廣泛的開(kāi)放式框架設(shè)計(jì)選項(xiàng)，覆蓋多種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)、輸出和功率（45W至140W）。SuperGaN?技術(shù)的差異化優(yōu)勢(shì)?電源適配器參考設(shè)計(jì)采用SuperGaN第IV代650V FET，具有設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單、可靠性高和性能強(qiáng)勁的優(yōu)勢(shì)，這些特點(diǎn)已經(jīng)成為T(mén)ransphorm氮化鎵器件的代名詞。在最近的對(duì)比分析中，與1
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安森美半導(dǎo)體和Transphorm推出600 V GaN 晶體管用于緊湊型電源及適配器

　　推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體 (ON Semiconductor)，和功率轉(zhuǎn)換器專(zhuān)家Transphorm，先前宣布雙方建立了合作關(guān)系，把基于氮化鎵(GaN)的電源方案推出市場(chǎng)，今天美國(guó)時(shí)間宣布推出聯(lián)名的NTP8G202N (TPH3202PS)和NTP8G206N (TPH3206PS) 600 V GaN共源共柵(cascade)晶體管和使用這些器件的240 W參考設(shè)計(jì)。　　安森美半導(dǎo)體電源分立分部副總裁兼總經(jīng)理Paul Leonard說(shuō)：“GaN晶體管為開(kāi)關(guān)電源和其它在能效及功率密
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