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ROHM建立8V閘極耐壓150V GaN HEMT量產(chǎn)體制

  • 半導(dǎo)體制造商ROHM已建立150V耐壓GaN HEMT GNE10xxTB系列（GNE1040TB）?的量產(chǎn)體制，該系列產(chǎn)品的閘極耐壓（閘極-源極間額定電壓）高達(dá)8V，非常適用于基地臺(tái)、數(shù)據(jù)中心等工控設(shè)備和各類型IoT通訊裝置的電源電路。 EcoGaN首波產(chǎn)品 GNE10xxTB系列?有助基地臺(tái)和數(shù)據(jù)中心實(shí)現(xiàn)低功耗和小型化一般來說，GaN組件具有優(yōu)異的低導(dǎo)通電阻和高速開關(guān)性能，有助降低各種電源功耗和實(shí)現(xiàn)外圍組件小型化。但其閘極耐壓很低，因此在開關(guān)工作時(shí)的組件可靠性方面尚存在課題。針對(duì)該課題，RO
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蘋果M1 Ultra封裝是普通CPU的3倍

  • 據(jù)外媒videocardz報(bào)道，Mac Studio的全面拆解表明，蘋果最新的M1 Ultra芯片到底有多大。此多芯片模塊包含兩個(gè)使用 UltraFusion 技術(shù)相互連接的 M1 max 芯片。需要注意的是，這款超大型封裝還包含128GB內(nèi)存。不幸的是，在拆卸過程中看不到硅芯片，因?yàn)檎麄€(gè)封裝被一個(gè)非常大的集成散熱器覆蓋。M1 Ultra具有兩個(gè)10核CPU和32核GPU。整體有1140億個(gè)晶體管。根據(jù)蘋果的基準(zhǔn)測試，該系統(tǒng)應(yīng)該與采用RTX 3090顯卡的高端臺(tái)式機(jī)競爭。雖然該系統(tǒng)確實(shí)功能強(qiáng)大，并
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羅姆SiC評(píng)估板測評(píng)：快充測試

  • 一、測試工裝準(zhǔn)備1、P02SCT3040KR-EVK-001測試板2、電壓源3、示波器4、負(fù)載儀二、測試項(xiàng)目進(jìn)行1、安裝 SIC后的空載波形SiC安裝空載波形空板，空載GS 為100hz 25V 信號(hào)2、DCDC 在線測試1）空載測試驅(qū)動(dòng)空載輸出12V，gs驅(qū)動(dòng)為200hz總寬度3.6uS的錐形信號(hào)2）加載  24轉(zhuǎn)55V  2A dcdc驅(qū)動(dòng)信號(hào)波形如下：帶載 6.6k 15V驅(qū)動(dòng)信號(hào)單脈沖寬度，3uS左右總結(jié)由于輕負(fù)載，溫度始終未超過50度。開關(guān)速度方面優(yōu)于硅基產(chǎn)品，以后有對(duì)應(yīng)設(shè)備
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羅姆SiC評(píng)估板測評(píng)：射頻熱凝控制儀測試

  • 測試設(shè)備①直流電源由于手上沒有高電壓的直流電源，只能使用一般的電源，且手上只有一個(gè)低壓直流穩(wěn)壓源，所以這穩(wěn)壓電源既用于給開發(fā)板電源供電，又用于半橋母線電源。②電子負(fù)載半橋電源電源的輸出負(fù)載，可恒流或者恒壓或者恒負(fù)載，測試電源的帶載能力非常好用。③信號(hào)發(fā)生器產(chǎn)生不同頻率的可調(diào)制的方波信號(hào)，用于MOS管的驅(qū)動(dòng)④示波器觀察驅(qū)動(dòng)信號(hào)、輸出信號(hào)、MOS管的波形⑤萬用表測量各測試點(diǎn)的電壓⑥溫度巡檢儀測量帶載后MOS管的溫度測試拓?fù)鋵⒄f明書中電路按照上述描述修改：兩個(gè)直流電源換成CBB電容，在Hvdc母線上加上12V電
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羅姆SiC評(píng)估板測評(píng)：基于碲化鎘弱光發(fā)電玻璃的高效功率變換技術(shù)研究

  • 感謝ROHM公司提供的P02SCT3040KR-EVK-001評(píng)估板，有幸參與評(píng)估板的測試。拿到評(píng)估板的第一感覺就是扎實(shí)，評(píng)估板四層PCB的板子厚度達(dá)到了30mm；高壓區(qū)域也有明顯的標(biāo)識(shí)。
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SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)解析

  • 本文將對(duì)SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)和工作進(jìn)行介紹。
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碳化硅MOSFET晶體管的特征

  • 功率轉(zhuǎn)換電路中的晶體管的作用非常重要，為進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)低損耗與應(yīng)用尺寸小型化，一直在進(jìn)行各種改良。
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SiC-SBD與Si-PND的正向電壓比較

  • 本文對(duì)二極管最基本的特性–正向電壓VF特性的區(qū)別進(jìn)行說明。
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SiC-SBD與Si-PND的反向恢復(fù)特性比較

  • 反向恢復(fù)特性是二極管、特別是高速型二極管的基本且重要的參數(shù)，所以不僅要比較trr的數(shù)值，還要理解其波形和溫度特性，這樣有助于有效使用二極管。
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SiC肖特基勢壘二極管的特征，及與Si二極管的比較

  • 繼SiC功率元器件的概述之后，將針對(duì)具體的元器件進(jìn)行介紹。首先從SiC肖特基勢壘二極管開始。
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SiC功率元器件的開發(fā)背景和優(yōu)點(diǎn)

  • SiC功率元器件具有優(yōu)于Si功率元器件的更高耐壓、更低導(dǎo)通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來將針對(duì)SiC的開發(fā)背景和具體優(yōu)點(diǎn)進(jìn)行介紹。
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什么是碳化硅？SiC的特性和特征

  • 碳化硅（SiC）是比較新的半導(dǎo)體材料。本文來了解一下它的物理特性和特征。
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ST先進(jìn)SiC牽引電機(jī)逆變器解決方案

  • 意法半導(dǎo)體（ST）作為全球領(lǐng)先的汽車半導(dǎo)體供應(yīng)商之一，多年前就開始布局新能源汽車領(lǐng)域，在2019年正式成立新能源車技術(shù)創(chuàng)新中心，推出了SiC牽引電機(jī)逆變器的整體解決方案。該方案按照功能安全I(xiàn)S026262標(biāo)準(zhǔn)流程開發(fā)，滿足ASIL D等級(jí)?；贏utoSAR的軟件架構(gòu)和模型化的軟件算法，為客戶前期方案評(píng)估和后續(xù)開發(fā)提供了便利，大大縮短了整個(gè)研發(fā)周期。
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ST第三代碳化硅技術(shù)問世 瞄準(zhǔn)汽車與工業(yè)市場應(yīng)用

  • 電源與能源管理對(duì)人類社會(huì)未來的永續(xù)發(fā)展至關(guān)重要。意法半導(dǎo)體汽車和離散組件產(chǎn)品部（ADG）執(zhí)行副總裁暨功率晶體管事業(yè)部總經(jīng)理Edoardo MERLI說明，從圖二可以看到由于全球能源需求正在不斷成長，我們必須控制碳排放，并將氣溫上升控制在1.5度以下，減排對(duì)此非常重要，但要實(shí)現(xiàn)這些要有科技的支持，包括可再生能源的利用，ST對(duì)此也有制定一些具體的目標(biāo)。?圖二圖三顯示的是一些關(guān)于如何利用電力科技實(shí)現(xiàn)各種節(jié)能目標(biāo)的具體數(shù)據(jù)，圖中是對(duì)全球電力消耗狀況的統(tǒng)計(jì)。僅就工業(yè)領(lǐng)域來說，如果能將電力利用效率提升1%，
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蘋果UltraFusion連接技術(shù)是如何實(shí)現(xiàn)史上最強(qiáng)PC芯片的？

  • 3月9日，蘋果發(fā)布了一款顛覆性的產(chǎn)品 —— M1 Ultra芯片，不管是宣傳上還是工藝上，都能夠看出蘋果對(duì)它寄予了厚望。M1 Ultra采用了蘋果創(chuàng)新性的UltraFusion封裝架構(gòu)，通過兩顆M1 Max晶粒的內(nèi)部互連，打造出一款性能與實(shí)力都達(dá)到空前水平的SoC芯片，可為全新的Mac Studio提供令人震撼的算力，同時(shí)依然保持著業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的能耗比水平。M1 Ultra性能如何？M1 Ultra支持高達(dá)128GB的高帶寬、低延遲統(tǒng)一內(nèi)存，晶體管數(shù)量達(dá)到了驚人的1140億個(gè)，每秒可運(yùn)行高達(dá)22萬億次運(yùn)算，提
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