ultra c sic 文章 進入ultra c sic技術(shù)社區(qū)
曝iPhone 15 “Ultra”將取代“Pro Max”
- IT之家 9 月 25 日消息,彭博記者 Mark Gurman 今天表示,蘋果正準備在明年用全新的 iPhone 15 “Ultra”機型取代其“Pro Max”型號。Gurman 在最新的 Power On 時事通訊中寫道,對于 iPhone 15 系列,蘋果正計劃帶來 USB-C 改進設計并可能更改名稱。據(jù) Gurman 稱,蘋果有望采用“Ultra”取代從 iPhone 11 系列起使用的“Pro Max”品牌?!案鶕?jù)蘋果目前的模式,我們可以期待明年 iPhone 的設計會有所改進,這與轉(zhuǎn)向 US
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貿(mào)澤開售采用D2PAK-7L 封裝的工業(yè)用 UnitedSiC 750V UJ4C/SC SiC FET
- 2022年9月23日 – 提供超豐富半導體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨采用行業(yè)標準D2PAK-7L表面貼裝封裝的UnitedSiC(現(xiàn)已被 Qorvo?收購)UJ4C/SC FET。UJ4C/SC系列器件是750 V碳化硅場效應晶體管 (SiC FET),借助D2PAK-7L封裝選項提供低開關(guān)損耗、在更高速度下提升效率,同時提高系統(tǒng)功率密度。這些FET經(jīng)優(yōu)化適合車載充電器、軟開關(guān)DC/DC
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東芝推出面向更高效工業(yè)設備的第三代SiC MOSFET
- 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,推出新款功率器件---第三代碳化硅(SiC)MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。該系列具有低導通電阻,可顯著降低開關(guān)損耗。該系列10款產(chǎn)品包括5款1200V產(chǎn)品和5款650V產(chǎn)品,已于今日開始出貨。 新產(chǎn)品的單位面積導通電阻(RDS(ON)A)下降了大約43%[3],從而使“漏源導通電阻×柵漏電荷(RDS(ON)×Qgd)”降低了大約80%[4],這是體現(xiàn)導通損耗與開關(guān)損耗間關(guān)系的重要指標。這樣可以將開關(guān)損耗減少大約
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基于Proteus的溫控超聲波測距半物理仿真系統(tǒng)設計*
- 摘要:針對單片機開發(fā)學習過程中實物硬件短缺或易損,以及仿真軟件庫中缺少元器件模型,實驗現(xiàn)象不明 顯等問題,提出了基于Proteus的半物理電路仿真的設想和方法,即由PC機上的Proteus仿真軟件作為上位機,實 物硬件電路作為下位機,使其互相通訊完成預期的功能。并設計了基于Proteus的溫控超聲波測距半物理仿真系 統(tǒng),用以闡述具體的實現(xiàn)過程。設計過程中發(fā)現(xiàn)實物硬件與Proteus仿真電路之間可通過RS-232-C異步串行接 口進行通信。通過進一步實驗,發(fā)現(xiàn)傳統(tǒng)的USB串行總線式接口也可實現(xiàn)通信功
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安森美慶祝在新罕布什爾州擴張?zhí)蓟韫S
- 領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi,美國納斯達克股票代號:ON),昨天美國時間舉行了剪彩儀式,慶祝其位于新罕布什爾州哈德遜 (Hudson, New Hampshire) 的碳化硅 (SiC) 工廠的落成。該基地將使安森美到2022年底的SiC晶圓產(chǎn)能同比增加五倍,在哈德遜的員工人數(shù)幾乎翻兩番。此擴張使安森美能完全控制其SiC制造供應鏈,從SiC粉末和石墨原料的采購,到封裝好的SiC器件的交付。這使安森美能為其客戶提供必要的供應保證,以滿足對基于SiC的方案迅速增長的需求。SiC對于提高電
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Littelfuse完成對C&K Switches的并購
- 致力于打造可持續(xù)發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全之世界的工業(yè)技術(shù)制造公司Littelfuse, Inc.宣布完成對C&K Switches (“C&K”)的并購。C&K 是高性能機電開關(guān)和互連解決方案的領(lǐng)先設計和制造商,在工業(yè)、交通運輸、航空航天和數(shù)據(jù)通信等多個終端市場擁有廣泛而活躍的全球業(yè)務。 Littelfuse電子業(yè)務部高級副總裁兼總經(jīng)理 Deepak Nayar表示:“兩家企業(yè)的合并顯著擴展了雙方的技術(shù)范圍和生產(chǎn)能力,使得我們能夠為廣泛垂直終端市場的眾多客戶提供全
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大聯(lián)大詮鼎集團推出基于RICHTEK產(chǎn)品的Type-C PD電源擴展塢方案
- 2022年8月11日,致力于亞太地區(qū)市場的領(lǐng)先半導體元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布,其旗下詮鼎推出基于立锜科技(RICHTEK)RT6190芯片的Type-C PD電源擴展塢方案。圖示1-大聯(lián)大詮鼎基于RICHTEK產(chǎn)品的Type-C PD電源擴展塢方案的展示板圖 近年來雖然USB Type-C接口憑借著出色的傳輸速率成為了智能手機的一大標配,但大多數(shù)電腦等其它電子都尚在跟進階段,并沒有完全普及。而隨著新規(guī)格USB Type-C接口性能不斷提升,一些最新發(fā)售的筆記電腦已經(jīng)搭載Type-C接口,
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UnitedSiC(現(xiàn)已被 Qorvo收購)為功率設計擴展高性能且高效的750V SiC FET產(chǎn)品組合
- 移動應用、基礎(chǔ)設施與航空航天、國防應用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應商 Qorvo?, Inc.(納斯達克代碼:QRVO)今日宣布推出 7 款采用表貼 D2PAK-7L 封裝的 750V 碳化硅 (SiC) FET。憑借該封裝方案,Qorvo 的 SiC FET 針對快速增長的車載充電器、軟開關(guān) DC/DC 轉(zhuǎn)換器、電池充電(快速 DC 和工業(yè))和 IT/服務器電源應用實現(xiàn)量身定制。它們采用熱性能增強型封裝,為需求最大效率、低傳導損失和高性價比的高功耗應用提供理想解決方案。在 650/750V 狀態(tài)下,第四
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基于Richtek RTQ2117C的多協(xié)議USB Type C車載快充方案
- 隨著電子產(chǎn)品尺寸的輕薄化,電子設備的數(shù)據(jù)接口也在做出改變,很多老舊的接口因為電子產(chǎn)品厚度問題無法使用而被淘汰。在保持micro-USB 2.0尺寸的同時,還能夠擁有更高帶寬來傳輸數(shù)據(jù),于是Type-C出現(xiàn)了。因為Type-C擁有眾多優(yōu)點,即便是固執(zhí)如OPPO,vivo這樣的手機廠商,也趕緊用上了Type-C。敏銳的車企也看到了這一變化,于是試著把Type-C應用在汽車上,比如CT6、探界者,X1等等車型上都有Type-C接口,因為Type-C在數(shù)據(jù)傳輸速度和充電功率上擁有很大優(yōu)勢,會給消費者帶來很大便利,
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UnitedSiC(現(xiàn)為 Qorvo)針對電源設計擴展更高性能和效率的750V SiC FET 產(chǎn)品組合
- Qorvo?今天宣布推出采用表面貼裝 D2PAK-7L 封裝的七款 750V 碳化硅 (SiC) FET,借助此封裝選項,Qorvo 的 SiC FET可為車載充電器、軟開關(guān) DC/DC 轉(zhuǎn)換器、電池充電(快速 DC 和工業(yè))以及IT/服務器電源等快速增長的應用量身定制,能夠為在熱增強型封裝中實現(xiàn)更高效率、低傳導損耗和卓越成本效益的高功率應用提供更佳解決方案。Qorvo 的第四代 UJ4C/SC 系列在 650/750V 時具有9mΩ的業(yè)界更低 RDS(on),其額定值分別為 9、11、18、23、33、
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安森美: 打造可提供從襯底到模塊的端到端SiC方案供應商
- 由于 SiC 具有更快的開關(guān)速度,因此對于某些拓撲結(jié)構(gòu),可縮減無源元器件如電感器的尺寸以降低系統(tǒng)尺寸和成本。光伏發(fā)電和大規(guī)模儲能變得越來越重要,最終將取代所有的污染性能源。由于可再生能源目前僅占全球總發(fā)電量的一小部分,因此 SiC 將有長遠的發(fā)展路向。隨著電動車采用率的增加,充電樁將大規(guī)模部署,另外,SiC 最終還將成為電動車主驅(qū)逆變器的首選材料,因為它可減少車輛的整體尺寸和重量,且能效更高,可延長電池使用壽命。安森美首席碳化硅專家,中國汽車OEM技術(shù)負責人 吳桐 博士安森美 (onsemi) 在收購上游
- 關(guān)鍵字: 202207 安森美 SiC
【坐享“騎”成】系列之三:泰克示波器大總管TekScope,助你進行D-PHY/C-PHY解碼
- 泰克提供TekScope PC電腦客戶端進行示波器的波形獲取及分析,往往在示波器端進行波形的解碼及 分析,需要來回進行數(shù)據(jù)拷貝和處理,并占用示波器資源。利用TekScope PC客戶端可以遠程在多臺 示波器獲取波形,并且可以在自己的電腦上就可以進行MIPI的D-PHY/C-PHY 解碼、搜索及分析。本文主要介紹了采用TekScope PC進行MIPI D-PHY/ C-PHY解碼的使用方法和步驟。 1. 波形的采集 打開TekScope軟件后,可以通過點擊示波器下方的 “Add New Scope”添加需
- 關(guān)鍵字: 泰克 示波器 TekScope D-PHY/C-PHY 解碼
安森美:打造可提供從襯底到模塊的端到端SiC方案供應商
- 受訪人:安森美首席碳化硅專家,中國汽車OEM技術(shù)負責人吳桐博士1.氮化鎵和碳化硅同屬第三代半導體,在材料特性上有什么相似之處和不同之處?根據(jù)其不同的特性,分別適用在哪些應用領(lǐng)域?貴公司目前在SiC和GaN兩種材料的半導體器件方面都有哪些主要的產(chǎn)品? 氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)具有較高的電子遷移率和較高的能帶隙,用它們制成的晶體管具有比硅基晶體管更高的擊穿電壓和更耐受高溫,可以突破硅基器件的應用極限,開關(guān)速度更快,導通電阻更低,損耗更小,能效更高?! aN的開關(guān)頻率比SiC高得多,而SiC的可靠
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