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安森美半導體推出新的900 V和 1200 V SiC MOSFET用于高要求的應用

  • 近日，推動高能效創(chuàng)新的安森美半導體（ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON），推出另兩個碳化硅（SiC） MOSFET系列，擴展了其寬禁帶（WBG）器件系列。?這些新器件適用于各種高要求的高增長應用，包括太陽能逆變器、電動汽車（EV）車載充電、不間斷電源（UPS）、服務器電源和EV充電樁，提供的性能水平是硅（Si）?MOSFET根本無法實現(xiàn)的。安森美半導體的新的1200伏（V）和900 V N溝道SiC MOSFET提供比硅更快的開關性能和更高的可靠性?？焖俦菊鞫?/li>
  • 關鍵字： SiC  WBG  

相機成本高達107.50美元！三星Galaxy S20 Ultra物料成本曝光

  • 拆解機構TechInsights拆解了一部三星S20 Ultra韓版并給出了這部手機的物料成本分析。從圖表中可以看出，三星Galaxy S20 Ultra的總物料成本為528.50美元，值得注意的是S20 Ultra所采用的后攝模組成本最高，達到了107.50美元，此外驍龍865處理器芯片價值81美元，屏幕價值67美元，存儲元件價值44美元。獲悉，整部三星Galaxy S20 Ultra中成本最高的相機元件由108MP主攝+48MP長焦+12MP超廣角+TOF四攝組成，其中包括一顆潛望式鏡頭，支持10X潛
  • 關鍵字： 相機  Galax  S20 Ultra  

CISSOID宣布推出用于電動汽車的三相碳化硅（SiC）MOSFET智能功率模塊

  • 各行業(yè)所需高溫半導體解決方案的領導者CISSOID近日宣布，將繼續(xù)致力于應對汽車和工業(yè)市場的挑戰(zhàn)，并推出用于電動汽車的三相碳化硅（SiC）MOSFET智能功率模塊（IPM）平臺。這項新的智能功率模塊技術提供了一種一體化解決方案，即整合了內(nèi)置柵極驅動器的三相水冷式碳化硅MOSFET模塊。這個全新的可擴展平臺同時優(yōu)化了功率開關的電氣、機械和散熱設計及其臨界控制，對于電動汽車（EV）整車廠和愿意快速采用基于碳化硅的逆變器以實現(xiàn)更高效、更簡潔電機驅動的電動機制造商而言，該平臺可以幫助他們加快產(chǎn)品上市時間。該可擴展
  • 關鍵字： SiC  IPM  

電機的應用趨勢及控制解決方案

  • 顧偉俊? （羅姆半導體（上海）有限公司?技術中心?現(xiàn)場應用工程師）摘? 要：介紹了電機的應用趨勢，以及MCU、功率器件的產(chǎn)品動向。 關鍵詞：電機；BLDC；MCU；SiC；IPM1? 電機的應用趨勢?隨著智能家居、工業(yè)自動化、物流自動化等概念的 普及深化，在與每個人息息相關的家電領域、車載領 域以及工業(yè)領域，各類電機在技術方面都出現(xiàn)了新的 需求。?在家電領域，電器的 智能化需要電器對人機交 流產(chǎn)生相應的反饋。例如 掃地機器人需要掃描計算 空間，規(guī)劃路線，然后執(zhí) 行移動以及相應
  • 關鍵字： 202003  電機  BLDC  MCU  SiC  IPM  

碳化硅（SiC）功率器件或在電動汽車領域一決勝負

  • 電力電子器件的發(fā)展歷史大致可以分為三個大階段：硅晶閘管（可控硅）、IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）和剛顯露頭角的碳化硅（SiC）系列大功率半導體器件。碳化硅屬于第三代半導體材料，與普通的硅材料相比，碳化硅的優(yōu)勢非常突出，它不僅克服了普通硅材料的某些缺點，在功耗上也有非常好的表現(xiàn)，因而成為電力電子領域目前最具前景的半導體材料。正因為如此，已經(jīng)有越來越多的半導體企業(yè)開始進入SiC市場。到2023年，SiC功率半導體市場預計將達到15億美元。SiC器件的供應商包括Fuji、英飛凌、Littelfuse、三菱、安森
  • 關鍵字： 碳化硅、SiC、功率器件、電動汽車  

英飛凌650V CoolSiC MOSFET系列為更多應用帶來最佳可靠性和性能水平

  • 近日，英飛凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）進一步擴展其碳化硅（SiC）產(chǎn)品組合，推出650V器件。其全新發(fā)布的CoolSiC? MOSFET滿足了包括服務器、電信和工業(yè)SMPS、太陽能系統(tǒng)、能源存儲和電池化成、不間斷電源（UPS）、電機控制和驅動以及電動汽車充電在內(nèi)的大量應用與日俱增的能效、功率密度和可靠性的需求?！半S著新產(chǎn)品的發(fā)布，英飛凌完善了其600V/650V細分領域的硅基、碳化硅以及氮化鎵功率半導體產(chǎn)品組合，”英飛凌電源管理及多元化市場事業(yè)部高壓轉換業(yè)務高級總監(jiān)St
  • 關鍵字： SiC  MOSFET  

如何利用 SiC 打造更好的電動車牽引逆變器

  • 在本文中，我們將調(diào)查電動車牽引逆變器采用 SiC 技術的優(yōu)勢。我們將展示在各種負荷條件下逆變器的能效是如何提升的，包括從輕負荷到滿負荷。使用較高的運行電壓與高效的 1200V SiC FET 可以幫助降低銅損。還可以提高逆變器開關頻率，以對電機繞組輸出更理想的正弦曲線波形和降低電機內(nèi)的鐵損。預計在所有這些因素的影響下，純電動車的單次充電行駛里程將提高 5-10%，同時，降低的損耗還能簡化冷卻問題。簡介近期的新聞表明，純電動車?(BEV) 的數(shù)量增加得比之前的預期要快。這促使汽車制造商（包括現(xiàn)有制
  • 關鍵字： SiC  BEV  牽引逆變器  

設計人員在為產(chǎn)品添加USB Type-C?連接時需要了解的信息

  • 在過去的幾年里，有許多文章都對USB-C連接器的優(yōu)點交口稱贊。除了它的萬兆每秒（Gbps）帶寬和交替模式視頻功能之外，還有兩個非常有價值的優(yōu)點：可正反插的插頭和智能大功率功能?？烧床宓牟孱^的價值顯而易見：我們終于可以輕松接入設備，而不必翻轉插頭（通常需要兩次）。然而，智能電源的存在讓USB-C連接器變得非常實用。USB始終可以持續(xù)供電（只需要5V電壓和小于1.5A的電流即可滿足需求）。由于之前的Type-A和Type-B的外形尺寸限制，使其只能為小型電子設備（如U盤或鍵盤）供電，或者為手機等涓流充電設備
  • 關鍵字： USB-C  PD  

SK海力士沖擊16層堆疊內(nèi)存：1平方毫米打10萬個孔

  • SK海力士宣布，已經(jīng)與Xperi Corp旗下子公司Invensas簽訂新的專利與技術授權協(xié)議，獲得了后者DBI Ultra 2.5D/3D互連技術的授權。
  • 關鍵字： SK海力士  Invensas  DBI Ultra  

ERNI推出全新線對板連接器系列

  • 近日，ERNI推出iBridge Ultra連接器系列的全新型款，這為已經(jīng)很廣泛的線對板解決方案新增了其他連接器。這些2.0mm間距連接器經(jīng)設計提供緊湊和可靠的連接，可承受強烈的振動，適合在惡劣環(huán)境中使用。其中的關鍵功能包括端子位置保證(TPA)，用于在母連接器外殼中為壓接觸點提供輔助鎖定。除了公連接器部件的定位銷之外，這個輔助鎖定功能還可以特別增強連接的抗強振動能力，比如汽車應用中發(fā)生的強振動。iBridge Ultra已根據(jù)汽車行業(yè)的USCAR-2和USCAR-21要求進行了測試，此外，這款牢固且緊湊
  • 關鍵字： ERNI  iBridge Ultra  

羅姆集團旗下的SiCrystal與意法半導體就碳化硅（SiC）晶圓長期供貨事宜達成協(xié)議

  • 近日，全球知名半導體制造商羅姆和意法半導體（以下簡稱“ST”）宣布，雙方就碳化硅（以下簡稱“SiC”）晶圓由羅姆集團旗下的SiCrystal GmbH （以下簡稱“SiCrystal”）供應事宜達成長期供貨協(xié)議。在SiC功率元器件快速發(fā)展及其需求高速增長的大背景下，雙方達成超1.2億美元的協(xié)議，由SiCrystal（SiC晶圓生產(chǎn)量歐洲第一）向ST（面向眾多電子設備提供半導體的全球性半導體制造商）供應先進的150mm SiC晶圓。ST　總經(jīng)理 兼 首席執(zhí)行官（CEO）　Jean-Marc Chery 說：
  • 關鍵字： SiC  車載  

使用ADuM4136隔離式柵極驅動器和LT3999 DC/DC轉換器驅動1200 V SiC電源模塊

  • 簡介電動汽車、可再生能源和儲能系統(tǒng)等電源發(fā)展技術的成功取決于電力轉換方案能否有效實施。電力電子轉換器的核心包含專用半導體器件和通過柵極驅動器控制這些新型半導體器件開和關的策略。目前最先進的寬帶器件，如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)半導體具有更高的性能，如600 V至2000 V的高電壓額定值、低通道阻抗，以及高達MHz范圍的快速切換速度。這些提高了柵極驅動器的性能要求，例如，，通過去飽和以得到更短的傳輸延遲和改進的短路保護。本應用筆記展示了ADuM4136 柵極驅動器的優(yōu)勢，這款單通道器件的輸出驅動能
  • 關鍵字： DC/DC  SiC  

Keysight C-V2X射頻一致性測試用例率先通過3GPP驗證

  • 近日，是德科技公司（NYSE：KEYS）宣布，該公司的 C-V2X（蜂窩車聯(lián)網(wǎng)通信）射頻一致性測試用例率先通過了 3GPP（第三代合作伙伴計劃）的驗證。是德科技是一家領先的技術公司，致力于幫助企業(yè)、服務提供商和政府客戶加速創(chuàng)新，創(chuàng)造一個安全互聯(lián)的世界。此項驗證意味著，是德科技將會推動汽車行業(yè)中的互聯(lián)汽車和自動駕駛汽車加快商用化進程。C-V2X 性能驗證對于實現(xiàn) C-V2X 認證和商業(yè)應用極其關鍵。3GPP 完成對是德科技一致性測試用例的驗證，這將促使 C-V2X 互聯(lián)生態(tài)系統(tǒng)順利實現(xiàn) 3GPP 規(guī)定的性能
  • 關鍵字： 3GPP  C-V2X  

CISSOID與國芯科技簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議

  • 各行業(yè)所需高溫半導體解決方案的領導者CISSOID近日宣布：在湖南株洲舉行的中國IGBT技術創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟第五屆國際學術論壇上，公司與湖南國芯半導體科技有限公司（簡稱“國芯科技”）簽署了戰(zhàn)略合作協(xié)議，將攜手開展寬禁帶功率技術的研究開發(fā)，充分發(fā)揮其耐高溫、耐高壓、高能量密度、高效率等優(yōu)勢，并推動其在眾多領域實現(xiàn)廣泛應用。近年來，寬禁帶半導體功率器件（如碳化硅SiC和氮化鎵GaN等）憑借多方面的性能優(yōu)勢，在航空航天、電力傳輸、軌道交通、新能源汽車、智能家電、通信等領域開始逐漸取代傳統(tǒng)硅器件。然而，在各類應用中
  • 關鍵字： IGBT  SiC  GaN  

意法半導體USB Type-C端口保護IC全面防護，簡化大眾市場設備數(shù)據(jù)線升級過程

  • 11月6日，借助意法半導體的 TCPP01－M12端口保護芯片，設計人員能夠將小型電子設備數(shù)據(jù)線從舊式USB Micro－A或Micro－B數(shù)據(jù)線輕松升級到最新的Type－C接口線。TCPP01－M12端口保護芯片符合USB－C連接技術的所有電氣保護要求。
  • 關鍵字： USB Type-C  IC  市場  
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