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全面升級！安森美第二代1200V SiC MOSFET關(guān)鍵特性解析

  • 安森美(onsemi)發(fā)布了第二代1200V碳化硅 (SiC) MOSFET，命名為M3S，其中S代表開關(guān)。M3S 系列專注于提高開關(guān)性能，相比于第一代1200V碳化硅MOSFET，除了降低特定電阻RSP (即RDS(ON)*Area) ，還針對工業(yè)電源系統(tǒng)中的高功率應用進行了優(yōu)化，如太陽能逆變器、ESS、UPS 和電動汽車充電樁等。幫助開發(fā)者提高開關(guān)頻率和系統(tǒng)效率。本應用筆記將描述M3S的一些關(guān)鍵特性，與第一代相比的顯著性能提升，以及一些實用設(shè)計技巧。本文為第一部分，將重點介紹M3S的一些關(guān)鍵特性以及與
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SiC邁入8英寸時代，國際大廠量產(chǎn)前夕國內(nèi)廠商風口狂追

  • 近日，包括Wolfspeed、韓國釜山政府、科友等在第三代半導體SiC/GaN上出現(xiàn)新進展。從國內(nèi)外第三代化合物進展看，目前在碳化硅領(lǐng)域，國際方面8英寸SiC晶圓制造已邁向量產(chǎn)前夕，國產(chǎn)廠商方面則有更多廠家具備量產(chǎn)能力，產(chǎn)業(yè)鏈條進一步完善成熟，下文將進一步說明最新情況。SiC/GaN 3個項目最新動態(tài)公布Wolfspeed德國8英寸SiC工廠或?qū)⒀舆t至明年建設(shè)近日，據(jù)外媒消息，Wolfspeed與采埃孚聯(lián)合投資建設(shè)的德國8英寸SiC晶圓廠建設(shè)計劃或被推遲，最早將于2025年開始。據(jù)悉，該工廠由Wolfsp
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將達100億美元，SiC功率器件市場急速擴張

  • SiC 市場的快速擴張主要得益于電動汽車的需求，預計 2023 年市場將比上年增長 60%。
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Wolfspeed 8英寸SiC襯底產(chǎn)線一期工程封頂

  • 3月28日消息，當?shù)貢r間3月26日，Wolfspeed宣布第三座工廠——8英寸SiC襯底產(chǎn)線一期工程舉行了封頂儀式。據(jù)了解，該工廠位于貝卡萊納州查塔姆縣，總投資50億美元（約合人民幣356億元），占地面積445英畝，主要生產(chǎn)8英寸SiC單晶襯底。目前，該工廠已有一些長晶爐設(shè)備進場，預計2024年底將完成一期工程建設(shè)，2025年上半年開始生產(chǎn)，預計竣工達產(chǎn)后Wolfspeed的SiC襯底產(chǎn)量將擴大10倍。近期，Wolfspeed與瑞薩電子、英飛凌等公司簽署了客戶協(xié)議，查塔姆工廠的投建將為這些協(xié)議提供支持，同
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近年來對碳化硅（SiC）襯底需求的持續(xù)激增

  • 隨著近年來對碳化硅（SiC）襯底需求的持續(xù)激增，市場研究公司TrendForce表示，對于SiC的成本降低呼聲越來越高，因為最終產(chǎn)品價格仍然是消費者的關(guān)鍵決定因素。SiC襯底的成本占整個成本結(jié)構(gòu)的比例最高，約占50%。因此，襯底部分的成本降低和利用率提高尤為關(guān)鍵。由于其成本優(yōu)勢，大尺寸襯底逐漸開始被采用，市場對其寄予了很高的期望。中國SiC襯底制造商天科藍半導體計算，從4英寸升級到6英寸可以使單位成本降低50%，從6英寸升級到8英寸可以再次降低35%。與此同時，8英寸襯底可以生產(chǎn)更多的芯片，從而減少邊緣浪
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如何通過SiC增強電池儲能系統(tǒng)？

  • 電池可以用來儲存太陽能和風能等可再生能源在高峰時段產(chǎn)生的能量，這樣當環(huán)境條件不太有利于發(fā)電時，就可以利用這些儲存的能量。本文回顧了住宅和商用電池儲能系統(tǒng) (BESS) 的拓撲結(jié)構(gòu)，然后介紹了安森美 (onsemi) 的EliteSiC方案，可作為硅MOSFET或IGBT開關(guān)的替代方案，改善BESS的性能。圖1：BESS 實施概覽BESS 的優(yōu)勢最常用的儲能方法有四種，分別是電化學儲能、化學儲能、熱儲能和機械儲能。鋰離子電池是家喻戶曉的電化學儲能系統(tǒng)，具有高功率密度、高效率、外形緊湊、模塊化等特點
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SiC是如何「拯救」降價車企的？

  • 進入 2024 年，10 多家車企紛紛宣布降價。車企給供應商的降價壓力更大，普遍要求降價 20%，過去一般是每年降 3%-5%。有觀點認為，車市降價是由于新技術(shù)帶來的成本下降，但從大背景來看，2 月銷量下滑，或是更多企業(yè)加入價格戰(zhàn)的不得已選擇。但從另一個角度來看，成本的下降確實會緩解降價的壓力，SiC（碳化硅）會不會是出路呢？降價風波始末2 月 19 日，可以說是一切的開始。降價潮是由比亞迪掀起的，從 2 月 19 日到 3 月 6 日，在春節(jié)假期結(jié)束后的 17 天里，比亞迪密集推出了 13 款主力車型的
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納微半導體與您相約亞洲充電展，最新GaN+SiC技術(shù)展望快充未來

  • 唯一全面專注的下一代功率半導體公司及氮化鎵和碳化硅功率芯片行業(yè)領(lǐng)導者——納微半導體近日宣布將參加于2024年3月20-22日在深圳福田會展中心舉辦的亞洲充電展，邀請觀眾造訪由最新氮化鎵和碳化硅技術(shù)打造，象征著全電氣化未來的“納微芯球”展臺。納微半導體將展出最新的GaNFast?和GeneSiC?應用及解決方案，包括：●? ?功率水平更高、以應用為導向的GaNSense? Halfbridge半橋氮化鎵技術(shù)●? ?高性能、速度快的第三代高速碳化硅技術(shù)●? &
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納芯微推出基于創(chuàng)新型振鈴抑制專利的車規(guī)級CAN SIC: NCA1462-Q1

  • 納芯微宣布推出基于其自研創(chuàng)新型振鈴抑制專利的車規(guī)級CAN SIC（信號改善功能，Signal Improvement Capability）NCA1462-Q1。相比當前主流的CAN FD車載通信方案，NCA1462-Q1在滿足ISO 11898-2:2016標準的前提下，進一步兼容CiA 601-4標準，可實現(xiàn)≥8Mbps的傳輸速率。憑借納芯微專利的振鈴抑制功能，即使在星型網(wǎng)絡(luò)多節(jié)點連接的情況下，NCA1462-Q1仍具有良好的信號質(zhì)量；此外，超高的EMC表現(xiàn)，更加靈活、低至1.8V的VIO可有效助力工
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相當于4塊 M2 Ultra，蘋果汽車項目所用芯片細節(jié)曝光：已接近完成

  • 3 月 12 日消息，彭博社的馬克?古爾曼（Mark Gurman）在周一的 Q&A 活動中，披露了蘋果公司目前已經(jīng)擱置的“泰坦”汽車項目更多細節(jié)，表示 Apple Silicon 團隊深入?yún)⑴c，其定制芯片性能相當于 4 塊 M2 Ultra 芯片拼接。IT之家簡要回顧下蘋果 M2 Ultra 芯片的細節(jié)：每個 M2 Ultra 芯片配有 1340 億個晶體管，共有 24 核 CPU、最高 76 核的 GPU 和一個專用的 32 核神經(jīng)引擎（NPU）。蘋果在新一代 Mac Studio 和
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基于SiC的完整“傻瓜型”逆變器參考設(shè)計為先進電機應用鋪平了道路

  • 先進電機應用（如高轉(zhuǎn)速、高頻、高功率密度、高溫等）需要相匹配的逆變器支持，但業(yè)界一直為其開發(fā)難度所困擾。全球領(lǐng)先的高溫半導體解決方案提供商CISSOID公司近期推出的基于碳化硅（SiC）功率器件的完整逆變器參考設(shè)計很好地解決了這一問題。該參考設(shè)計整合了CISSOID 公司的SiC高壓功率模塊和相匹配的集成化柵極驅(qū)動器，Silicon Mobility公司的控制板和軟件，超低寄生電感的直流母線電容和EMI濾波器，直流和相電流傳感器等其它附件。由此為先進電機應用提供了一個已全面集成的完整“傻瓜型”逆變器開發(fā)平
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Qorvo推出緊湊型E1B封裝的1200V SiC模塊

  • 中國 北京，2024 年 2 月 29 日——全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案供應商 Qorvo?（納斯達克代碼：QRVO）近日宣布推出四款采用緊湊型 E1B 封裝的 1200V 碳化硅（SiC）模塊，其中兩款為半橋配置，兩款為全橋配置，導通電阻 RDS(on) 最低為 9.4mΩ。全新的高效率 SiC 模塊非常適合電動汽車充電站、儲能、工業(yè)電源和太陽能等應用。Qorvo SiC 電源產(chǎn)品線市場總監(jiān) Ramanan Natarajan 表示：“該全新系列中的模塊可以取代多達四個分立式 SiC FET，從而簡化
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小米14 Ultra發(fā)布：全面Ultra，見證新層次

  • 近日，小米召開主題為“新層次”的新品發(fā)布會，正式推出了小米14 Ultra手機。新機搭載第三代驍龍8移動平臺，集小米領(lǐng)先技術(shù)于一身，帶來全方位跨越的新一代專業(yè)影像旗艦，讓真實有層次。智能體驗新層次小米14 Ultra搭載了第三代驍龍8移動平臺，該平臺集終端側(cè)AI、強悍性能和能效于一體。相較上一代平臺，第三代驍龍8的Hexagon NPU AI性能提升高達98%，能效提升高達40%；全新的Kryo CPU最高主頻高達3.3GHz，性能提升30%，能效提升20%；Adreno GPU的圖形渲染速度也有25%的
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第三代驍龍8助力Xiaomi 14 Ultra定義移動影像新層次

  • 2月22日，小米召開Xiaomi 14 Ultra暨“人車家全生態(tài)”新品發(fā)布會，正式發(fā)布全新Xiaomi 14 Ultra。搭載第三代驍龍8移動平臺的龍年開年旗艦Xiaomi 14 Ultra，全面定義了未來移動影像新層次，并在性能、連接、音頻等方面帶來出色體驗。  Xiaomi 14 Ultra搭載第三代驍龍8，帶來巔峰性能和卓越能效表現(xiàn)。第三代驍龍8采用4nm制程工藝，其全新的Kryo CPU和Adreno GPU在性能和能效方面均實現(xiàn)了大幅提升，賦能極致流暢的日常使用體驗。第三代
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內(nèi)置1700V耐壓SiC MOSFET的AC-DC轉(zhuǎn)換器IC，助推工廠智能化

  • 本文的關(guān)鍵要點各行各業(yè)的工廠都在擴大生產(chǎn)線的智能化程度，在生產(chǎn)線上的裝置和設(shè)備旁邊導入先進信息通信設(shè)備的工廠越來越多。要將高壓工業(yè)電源線的電力轉(zhuǎn)換為信息通信設(shè)備用的電力，需要輔助設(shè)備用的高效率電源，而采用內(nèi)置1700V耐壓SiC MOSFET的AC-DC轉(zhuǎn)換器IC可以輕松構(gòu)建這種高效率的輔助電源。各行各業(yè)加速推進生產(chǎn)線的智能化如今，從汽車、半導體到食品、藥品和化妝品等眾多行業(yè)的工廠，既需要進一步提升生產(chǎn)效率和產(chǎn)品品質(zhì)，還需要推進無碳生產(chǎn)（降低功耗和減少溫室氣體排放）。在以往的制造業(yè)中，提高工廠的生產(chǎn)效率和
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