ultra c sic 文章進(jìn)入ultra c sic技術(shù)社區(qū)

TDK推出為USB-C提供完整ESD保護(hù)的超緊湊型TVS二極管

TDK株式會(huì)社（東京證券交易所代碼：6762）針對(duì)USB-C端口和其他高速接口的ESD保護(hù)應(yīng)用推出一款超緊湊型TVS二極管。對(duì)于USB-C等符合USB4（第1版）規(guī)范且傳輸速度高達(dá)40 Gbit/s的高速接口 (Tx / Rx)，ESD保護(hù)應(yīng)用特別需要具有超低寄生電容和低鉗位電壓的TVS二極管。新的B74111U0033M060和B74121U0033M060型元件的在1 MHz條件下的寄生電容分別為0.48 pF和0.65 pF，鉗位電壓僅為3.8 V或3.9 V，ITLP為8 A，不會(huì)干擾信號(hào)完整性，
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意法半導(dǎo)體發(fā)布靈活可變的隔離式降壓轉(zhuǎn)換器芯片

2023 年 5月 16 日，中國 —— 意法半導(dǎo)體發(fā) L6983i 10W 隔離降壓 (iso-buck) 轉(zhuǎn)換器芯片具有能效高、尺寸緊湊，以及低靜態(tài)電流、3.5V-38V 寬輸入電壓等優(yōu)勢。L6983i適合需要隔離式 DC-DC 轉(zhuǎn)換器應(yīng)用，采用隔離降壓拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，需要的外部組件比傳統(tǒng)隔離式反激式轉(zhuǎn)換器少，并且不需要光耦合器，從而節(jié)省了物料清單成本和 PCB面積。 L6983i 的其他優(yōu)勢包括 2μA 關(guān)斷電流，集成軟啟動(dòng)時(shí)間可調(diào)、內(nèi)部環(huán)路補(bǔ)償、電源正常指示，以及過流保護(hù)、熱關(guān)斷等保護(hù)功能。擴(kuò)
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驍龍支持Android 14全新Ultra HDR格式照片拍攝

在2023年Google I/O大會(huì)上，Android為照片拍攝引入了一個(gè)新的圖像格式——Ultra HDR。Android 14中將支持該照片格式，這一格式能夠以向后兼容的JPEG格式拍攝照片，同時(shí)提供超過8-bit的動(dòng)態(tài)范圍，使攝像頭捕捉的照片在亮部和暗部包含更多令人驚嘆的細(xì)節(jié)。 Ultra HDR將在頂級(jí)Android終端上大幅提高照片質(zhì)量，為用戶拍攝和分享的照片帶來10-bit HDR體驗(yàn)。我們很高興與高通技術(shù)公司合作，充分利用高通先進(jìn)的18-bit ISP功能，為驍龍移動(dòng)平臺(tái)帶來Ult
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相較IGBT，SiC如何優(yōu)化混動(dòng)和電動(dòng)汽車的能效和性能？

隨著人們對(duì)電動(dòng)汽車 (EV) 和混動(dòng)汽車 (HEV) 的興趣和市場支持不斷增加，汽車制造商為向不斷擴(kuò)大的客戶群提供優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品，競爭日益激烈。由于 EV 的電機(jī)需要高千瓦時(shí)電源來驅(qū)動(dòng)，傳統(tǒng)的 12 V 電池已讓位于 400-450 V DC 數(shù)量級(jí)的電池組，成為 EV 和 HEV 的主流電池電壓。市場已經(jīng)在推動(dòng)向更高電壓電池的轉(zhuǎn)變。800 V DC 和更大的電池將變得更占優(yōu)勢，因?yàn)槭褂酶叩碾妷阂馕吨到y(tǒng)可以在更低的電流下運(yùn)行，同時(shí)實(shí)現(xiàn)相同的功率輸出。較低電流的優(yōu)點(diǎn)是損耗較低，需要管理的熱耗散較少，還有利于使
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歐盟：若蘋果限制第三方USB-C充電速度，iPhone將面臨禁售

有傳言稱，蘋果計(jì)劃在其USB-C配件上實(shí)施MFi認(rèn)證，將限制非MFi認(rèn)證的USB-C數(shù)據(jù)線、充電器的數(shù)據(jù)傳輸功能和充電速度。如果蘋果真的這樣做，就違背了歐盟法律的目的。蘋果日前收到歐盟的警告，禁止該公司通過第三方配件限制設(shè)備的充電速度，否則iPhone將在歐洲面臨禁售。這是蘋果繼歐盟去年通過統(tǒng)一充電接口指令之后，遭遇的新一次打擊。歐盟工業(yè)專員蒂埃里·布雷頓（Thierry Breton）致信蘋果公司警告稱，涉及USB-C的限制是“不可接受的”，如果蘋果公司施加這樣的限制，歐盟將禁止iPhone 15及其后
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SiC MOSFET的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)——如何平衡性能與可靠性

碳化硅（SiC）的性能潛力是毋庸置疑的，但設(shè)計(jì)者必須掌握一個(gè)關(guān)鍵的挑戰(zhàn)：確定哪種設(shè)計(jì)方法能夠在其應(yīng)用中取得最大的成功。先進(jìn)的器件設(shè)計(jì)都會(huì)非常關(guān)注導(dǎo)通電阻，將其作為特定技術(shù)的主要基準(zhǔn)參數(shù)。然而，工程師們必須在主要性能指標(biāo)（如電阻和開關(guān)損耗），與實(shí)際應(yīng)用需考慮的其他因素（如足夠的可靠性）之間找到適當(dāng)?shù)钠胶狻?yōu)秀的器件應(yīng)該允許一定的設(shè)計(jì)自由度，以便在不對(duì)工藝和版圖進(jìn)行重大改變的情況下適應(yīng)各種工況的需要。然而，關(guān)鍵的性能指標(biāo)仍然是盡可能低的比電阻，并結(jié)合其他重要的參數(shù)。圖1顯示了我們認(rèn)為必不可少的幾個(gè)標(biāo)準(zhǔn)，或許還
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基于SSD202D的便攜式投屏盒設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

設(shè)計(jì)了一款便攜式投屏盒，支持橫豎屏切換，主控采用星宸SSD202D，Wi-Fi采用星宸SSW105；支持 Miracast、display、Airplay等投屏協(xié)議，支持Windows、Android、鴻蒙、iOS、macOS等智能終端投屏；采用Type-C供電，HDMI輸出，最大分辨率1080 P。
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英飛凌推出EZ-PD USB-C PD解決方案支持車載充電應(yīng)用和多媒體共享功能

北京時(shí)間5月5日消息，英飛凌介紹了EZ-PD CCG7D，這款雙端口USB-C PD（充電）解決方案集成了用于車載充電應(yīng)用的升壓控制器，符合最新的USB Type-C和PD3.1規(guī)范，并獲得了AEC Q-100認(rèn)證。該USB-C PD解決方案可專門用于支持Display port ，即USB-C Alternate 模式的汽車應(yīng)用。英飛凌與中國新能源汽車制造商理想汽車合作，在其新SUV車型理想L9上部署了該解決方案，不僅能夠利用USB接口給電子設(shè)備充電，還能將電子設(shè)備與汽車連接在一起，實(shí)現(xiàn)多媒體共享。此外
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英飛凌推出EZ-PD? USB-C PD解決方案

【2023年05月5日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）介紹了EZ-PD? CCG7D，這款雙端口USB-C PD（充電）解決方案集成了用于車載充電應(yīng)用的升壓控制器，符合最新的USB Type-C和PD3.1規(guī)范，并獲得了AEC Q-100認(rèn)證。該USB-C PD解決方案可專門用于支持Display port ，即USB-C Alternate 模式的汽車應(yīng)用。英飛凌與中國新能源汽車制造商理想汽車合作，在其新SUV車型理想L9上部署了該解決方案，不僅能
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德國博世收購美國TSI，全球半導(dǎo)體領(lǐng)域再添并購案

據(jù)國外媒體報(bào)道，德國博世集團(tuán)于本周三表示，將收購美國芯片制造商TSI半導(dǎo)體公司的資產(chǎn)，以擴(kuò)大其碳化硅芯片（SiC）的半導(dǎo)體業(yè)務(wù)。目前，博世和TSI公司已經(jīng)達(dá)成協(xié)議，但并未透露此次收購的具體細(xì)節(jié)，且這項(xiàng)收購還需要得到監(jiān)管部門的批準(zhǔn)。資料顯示，TSI是專用集成電路 (ASIC) 的代工廠。目前，主要開發(fā)和生產(chǎn)200毫米硅晶圓上的大量芯片，用于移動(dòng)、電信、能源和生命科學(xué)等行業(yè)的應(yīng)用。而博世在半導(dǎo)體領(lǐng)域的生產(chǎn)時(shí)間已超過60年，在全球范圍內(nèi)投資了數(shù)十億歐元，特別是在德國羅伊特林根和德累斯頓的水廠。博世認(rèn)為，此次收購
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功率半導(dǎo)體“放量年”，IGBT、MOSFET與SIC的思考

4月24日，東芝電子元器件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社宣布，在石川縣能美市的加賀東芝電子公司舉行了一座可處理300毫米晶圓的新功率半導(dǎo)體制造工廠的奠基儀式。該工廠是其主要的分立半導(dǎo)體生產(chǎn)基地。施工將分兩個(gè)階段進(jìn)行，第一階段的生產(chǎn)計(jì)劃在2024財(cái)年內(nèi)開始。東芝還將在新工廠附近建造一座辦公樓，以應(yīng)對(duì)人員的增加。此外，今年2月下旬，日經(jīng)亞洲報(bào)道，東芝計(jì)劃到2024年將碳化硅功率半導(dǎo)體的產(chǎn)量增加3倍以上，到2026年增加10倍。而據(jù)日媒3月16日最新消息，東芝又宣布要增加SiC外延片生產(chǎn)環(huán)節(jié)，布局完成后將形成：外延設(shè)備+外
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優(yōu)化SiC MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)

在高壓開關(guān)電源應(yīng)用中，相較傳統(tǒng)的硅MOSFET和IGBT，碳化硅（以下簡稱“SiC”）MOSFET 有明顯的優(yōu)勢。使用硅MOSFET可以實(shí)現(xiàn)高頻（數(shù)百千赫茲）開關(guān)，但它們不能用于非常高的電壓（>1 000 V）。而IGBT 雖然可以在高壓下使用，但其 “拖尾電流 “和緩慢的關(guān)斷使其僅限于低頻開關(guān)應(yīng)用。SiC MOSFET則兩全其美，可實(shí)現(xiàn)在高壓下的高頻開關(guān)。然而，SiC MOSFET 的獨(dú)特器件特性意味著它們對(duì)柵極驅(qū)動(dòng)電路有特殊的要求。了解這些特性后，設(shè)計(jì)人員就可以選擇能夠提高器件可靠性和整體開關(guān)性
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SiC并購戰(zhàn)：誰是頂級(jí)收購者？

第三代半導(dǎo)體「愈演愈烈」。
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適用于運(yùn)輸領(lǐng)域的SiC：設(shè)計(jì)入門

簡介在這篇文章中，作者分析了運(yùn)輸輔助動(dòng)力裝置（APU）的需求，并闡述了SiC MOSFET、二極管及柵極驅(qū)動(dòng)器的理想靜態(tài)和動(dòng)態(tài)特性。為什么使用寬帶隙（WBG）材料？對(duì)于任何電力電子工程師來說，必須大致了解適用于功率半導(dǎo)體開關(guān)器件的半導(dǎo)體物理學(xué)原理，以便掌握非理想器件的電氣現(xiàn)象及其對(duì)目標(biāo)應(yīng)用的影響。理想開關(guān)在關(guān)斷時(shí)的電阻無窮大，導(dǎo)通時(shí)的電阻為零，并且可在這兩種狀態(tài)之間瞬間切換。從定量角度來看，由于基于MOSFET的功率器件是單極性器件，因此與這一定義最為接近。功率MOSFET結(jié)構(gòu)中的導(dǎo)通狀態(tài)電流
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攜光前行，第二代驍龍8助力Xiaomi 13 Ultra打造頂級(jí)影像旗艦

4月18日，小米推出全新旗艦影像Xiaomi 13 Ultra。搭載第二代驍龍8移動(dòng)平臺(tái)的Xiaomi 13 Ultra，采用徠卡與小米共同打造的徠卡 Summicron 鏡頭，帶來強(qiáng)悍的影像性能，造就小米有史以來最出色的影像旗艦。作為Xiaomi 13 Ultra旗艦性能的基礎(chǔ)，第二代驍龍8采用先進(jìn)的4nm工藝制程和全新CPU架構(gòu)設(shè)計(jì)，帶來卓越的性能表現(xiàn)。其中，全新Kryo CPU采用Cortex-X3超級(jí)內(nèi)核，與前代平臺(tái)相比，帶來高達(dá)35%的性能提升和高達(dá)40%的能效提升。同時(shí)，Adren
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