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Vishay推出超小型雙向對稱單線ESD保護二極管

  • 　　日前，Vishay推出采用LLP006封裝的新款雙向對稱(BiSy)單線ESD保護二極管 --- VBUS05L1-DD1-G-08。小尺寸的VBUS05L1-DD1-G-08具有0.3 pF的極低容值，可保護便攜式電子設備中的天線、USB 3.0和HDMI端口免受瞬態(tài)電壓信號的損害。 　　VBUS05L1-DD1-G-08的占位僅有0.6mm x 1.0mm，封裝的厚度小于0.4mm，因此在便攜式游戲機、數(shù)碼相機、MP3播放器和手機等設備中進行有源ESD保護時，只需要很小的電路板空間。 　　
  • 關鍵字： Vishay  二極管  ESD保護  

Vishay推出Bulk Metal箔電阻

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出副基準、密封充油的Bulk Metal?箔電阻 --- H和HZ系列，在精度、穩(wěn)定性和速度上都設定了新的行業(yè)基準。新的H和HZ系列具有0.001%(10ppm)的容差，5Ω～1.84MΩ的阻值范圍，在至少6年內(未受潮)的工廠壽命穩(wěn)定率可達2ppm(±0.0002%)，上升時間小于1ns。H系列的最大TCR為±2ppm/℃，Z-Foil HZ系列的最大TCR僅有&plus
  • 關鍵字： Vishay  箔電阻  Bulk Metal  

Vishay推出12V P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款12V P溝道第三代TrenchFET®功率MOSFET --- SiB455EDK。該器件采用熱增強的PowerPAK® SC-75封裝，占位面積為1.6mm x 1.6mm，具有業(yè)內P溝道器件最低的導通電阻。 　　SiB455EDK是采用第三代TrenchFET P溝道技術的最新產(chǎn)品，使用了自對準工藝技術，在每平方英寸的硅片上裝入了10億個晶體管單元。這種最先進的技術實現(xiàn)了超精細、亞微米的節(jié)距工藝，將業(yè)內
  • 關鍵字： Vishay  MOSFET  TrenchFET  

Vishay Siliconix推出業(yè)界最小的60V 功率MOSFET

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用SOT-923封裝的60V N溝道功率MOSFET --- SiM400。該器件為業(yè)界最小的60V功率MOSFET，比SC-70和SC-90等封裝能節(jié)約更多的空間。 　　SiM400是迄今為止最小的60V功率MOSFET，其SOT-923封裝的尺寸為1mm x 0.6mm，最大厚度僅有0.43mm。器件的占位尺寸比SC-89小77%，厚度則薄了26%。 　　在VGS為10V、4.5V和3.5V的情況下，新器件的導通電阻分別
  • 關鍵字： Vishay  MOSFET  SiM400  

Vishay推出采用PowerBridge封裝的整流器

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.今天宣布，推出新系列增強型高電流密度PowerBridge整流器。整流器的額定電流高達30A~45A，最大峰值反向額定電壓為600V~1000V，外殼絕緣強度高達1500V。該系列45A器件是業(yè)界首款采用PowerBridge封裝的單列直插橋式整流器，產(chǎn)品尺寸為30mm x 20mm，厚度為3.8mm。 　　與市場上其他更大尺寸的橋式整流器相比，PowerBridge器件先進的導熱結構使熱量能更有效地散發(fā)出去。因此，PowerBrid
  • 關鍵字： Vishay  整流器  PowerBridge  

Vishay推出適用于線焊組裝的新PSC系列RF螺旋電感器

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出用于線焊組裝的新系列RF螺旋電感器 --- Vishay Electro-Films PSC系列電感器 --- 具有低DCR、高Q值和寬感值范圍，提供RF等效電路模型，使得設計者可以對器件性能進行高度精確的計算機仿真。 　　PSC電感器是針對需要線焊器件的RF電路而設計的，包括在通信系統(tǒng)及測試測量儀器中的阻抗調諧電路、集總元件濾波器和混合RF集成電路。 　　螺旋電感具有1nH~100nH的寬感
  • 關鍵字： Vishay  RF  螺旋電感器  

Vishay Siliconix推出新款20V P溝道功率MOSFET

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位面積的熱增強PowerPAK SC-70®封裝，具有迄今為止P溝道器件所能達到的最低導通電阻。新款SiA433EDJ是采用第三代TrenchFET® P溝道技術的最新器件，使用了自矯正的工藝技術，在每平方英寸的硅片上裝進了1億個晶體管。這種最先進的技術實現(xiàn)了超精細、亞微米的間距工藝，將目前業(yè)界最好的P溝道MOSFET
  • 關鍵字： Vishay  MOSFET  SiA433EDJ  

Vishay擴展其超高可靠性貼片電阻的阻值范圍

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，擴大了符合美軍標MIL-PRF-55342認證的E/H薄膜貼片電阻的阻值范圍，推出增強型E/H貼片電阻。該系列電阻采用緊湊的2208、2010和2512外形尺寸。增強后的器件使高可靠性應用能夠用上更低阻值的電阻，在±25ppm/℃ TCR下的阻值為49.9Ω，容差為0.1%，10Ω電阻的容差為1.0%。 　　增強型E/H貼片電阻適用于對性能有嚴格要求的高可靠性軍
  • 關鍵字： Vishay  貼片電阻  

Vishay推出1500W表面貼裝瞬間電壓抑制器

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出具有業(yè)內1.1mm最薄厚度的新系列1500W表面貼裝TransZorb瞬態(tài)電壓抑制器(TVS) --- SMPC系列。SMPC系列具有6.7V～42.4V的擊穿電壓和10.0V～58.1V的優(yōu)異鉗位能力。 　　今天發(fā)布的TVS器件采用eSMP TO-277A封裝，比傳統(tǒng)SMC封裝的占位面積小27%。SMPC系列的峰值前向浪涌電流高達200A，工作溫度為-55℃～+105℃。 　　TVS器件可用來保護通信和普通應用中的敏感設備，
  • 關鍵字： Vishay  TVS  瞬態(tài)電壓抑制器  

Vishay 推出循環(huán)壽命長達兩百萬次的面板電位計

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款經(jīng)濟、長壽命的面板電位計 --- P11L，該電位計具有四種模塊和12.5mm的緊湊外形。 　　標準的低成本面板電位計的循環(huán)壽命只有50000次，而Vishay的P11L的壽命則長達2百萬次循環(huán)。對設計者來說，P11L的長壽命可減少對替換零件的需求，提高可靠性和降低維護成本。 　　Vishay的這款多功能面板電位計針對焊接機、空調單元、加工機械、醫(yī)療系統(tǒng)、X光設備、卡車和拖車，以及軍用和航天系統(tǒng)中的CMOS放大器增益、
  • 關鍵字： Vishay  電位計  P11L  

Vishay推出一系列新型高可靠性鋁電解電容器

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出高容值、高紋波電流，并可在+105℃高溫下工作的徑向鋁電容器 --- 142 RHS系列。 　　142 RHS系列提供從5mm x 11mm至18mm x 40mm的15種外形尺寸，105℃的最高溫度等級使器件能在更高的溫度下工作，或是具有比標準的85℃系列更長的器件壽命。其他特性包括在105℃下高達3100A的額定紋波電流，在10V～450V電壓范圍內的容值為1μF～22,000μF。 　　做為一款采用非固態(tài)電解
  • 關鍵字： Vishay  電容  

Vishay發(fā)布業(yè)界首個系列超小型SMD紅外接收器

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出用于遙控系統(tǒng)的新款系列超小型SMD紅外接收器。該系列器件是業(yè)界首個采用兩個光敏二極管及專利技術內部金屬EMI屏蔽的產(chǎn)品，超薄封裝的厚度僅為2.35mm。TSOP75xxxW采用無鏡片設計，實現(xiàn)了業(yè)界最佳的敏感度尺寸比，在在±75°寬的角度內，輻照度為0.3mW/m2～0.7mW/m2。 　　今天發(fā)布的器件中有三款是自動增益控制(AGC)版本。TSOP752xxW兼容于所有常用紅外遙控數(shù)據(jù)格式。TSOP7
  • 關鍵字： Vishay  SMD  紅外接收器  

Vishay推出新款高速PIN光敏二極管

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc宣布，推出VBPW34x和VBP104x系列高速SMD PIN光敏二極管，新器件采用鷗翼和倒鷗翼型封裝，提供透明環(huán)氧樹脂封裝和具有日光阻斷濾波功能的版本。八款新器件針對煙霧探測、光柵中的探測器，以及各種消費類和工業(yè)應用中的數(shù)據(jù)傳輸進行了優(yōu)化。 　　VBPW34FAS、VBPW34FASR、VBP104FAS和VBP104FASR光敏二極管具有與紅外發(fā)射器相匹配的日光阻斷濾波器，例如波長為870nm或950nm的Vishay TSFFxxxx
  • 關鍵字： Vishay  二極管  

Vishay推出業(yè)界最小的芯片級MOSFET

  • 　　日前，Vishay宣布推出兩款MICRO FOOT功率MOSFET --- Si8461DB和Si8465DB，最大尺寸為1mm x 1 mm x 0.548mm，是迄今為止業(yè)界最小的芯片級功率MOSFET。 　　在種類繁多的便攜式設備中，20V的P溝道Si8461DB和Si8465DB可用于負載開關、電池開關和充電開關應用。器件的小尺寸和薄厚度有助于減少電源管理電路所占用的空間，以及/或是實現(xiàn)更多的功能。與市場上尺寸與之最接近的芯片級功率MOSFET相比，1mm x 1mm x 0.548mm的M
  • 關鍵字： Vishay  MOSFET  Si8461DB  Si8465DB  

Vishay推出新款高可靠性的鉭外殼液鉭電容器

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用glass-to-tantalum新型密封的新系列鉭外殼液鉭電容器 --- 136D。對于高可靠性應用，136D器件可在-55℃～+85℃溫度范圍內工作，在電壓降額的情況下可在+200℃下工作，在120Hz和+25℃條件下的ESR低至0.44Ω。 　　商用的136D電容器等同于軍用型的CLR90和CLR91器件，軍用型器件是按照軍標MIL-PRF-39006/30和39006/31的性能要求設計的。另外，今天發(fā)布
  • 關鍵字： Vishay  電容器  電子元件  
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vishay介紹

威世（VISHAY）集團成立于1962年，總部位于美國賓夕法尼亞洲。40多年中威世集團通過科技創(chuàng)新和不斷的并購, 迅速發(fā)展成為世界上最大的分離式半導體和無源電子器件制造商之一。目前集團已有69個制造基地遍布全球17個國家，其中中國大陸有7家制造業(yè)工廠分別坐落于天津、北京、上海、惠州。威世集團被美國財富雜志評為半導體領域“2004、2005年度全美最讓人欽佩的公司”。其產(chǎn)品被廣泛地應用于工業(yè)、計算機 [ 查看詳細 ]

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