x-gan 文章 進入x-gan技術社區(qū)
微軟Surface Book 3或采用全新散熱系統(tǒng),Xbox同樣適用
- 據(jù)外媒報道,微軟Surface Book 3即將來到,可能配備全新的散熱系統(tǒng),該系統(tǒng)可以在不同的處理條件下讓電腦保持良好的散熱條件。根據(jù)最新披露的專利文件顯示,微軟Surface Book 3或將采用全新的自適應氣流系統(tǒng)。根據(jù)專利的說明,這套系統(tǒng)適用于Surface系列產(chǎn)品以及Xbox游戲主機。微軟在文件中表示,全新的氣流導向方案可以為筆記本電腦提供最佳的散熱效果,并在多種旋轉風扇速度下將設備噪音降至最低,此系統(tǒng)還有助于提高設備性能并增加Surface Book的預期使用壽命。專利中的全新散熱方案包括一個
- 關鍵字: Surface Book X Box
Nexperia 推出行業(yè)領先性能的高效率氮化鎵功率器件 (GaN FET)
- 近日,分立、邏輯和 MOSFET 器件的專業(yè)制造商Nexperia,今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA,宣布其進入氮化鎵場效應管(GaN)市場。這款器件非常耐用,柵極電壓 (VGS) 為 +/- 20 V,工作溫度范圍為 -55 至 +175 °C。GAN063-650WSA的特點是低導通電阻(最大RDS(on) 僅為 60 m?)以及快速的開關切換;效率非常高。Nexperia氮化鎵器件的目標是高性能要求的應用市場,包括電動汽車、數(shù)據(jù)中心、電信設備、工業(yè)自動化和高端電源。Nexperi
- 關鍵字: Nexperia GaN FET 氮化鎵功率器件 MOSFET 器件
CISSOID與國芯科技簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議
- 各行業(yè)所需高溫半導體解決方案的領導者CISSOID近日宣布:在湖南株洲舉行的中國IGBT技術創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟第五屆國際學術論壇上,公司與湖南國芯半導體科技有限公司(簡稱“國芯科技”)簽署了戰(zhàn)略合作協(xié)議,將攜手開展寬禁帶功率技術的研究開發(fā),充分發(fā)揮其耐高溫、耐高壓、高能量密度、高效率等優(yōu)勢,并推動其在眾多領域實現(xiàn)廣泛應用。近年來,寬禁帶半導體功率器件(如碳化硅SiC和氮化鎵GaN等)憑借多方面的性能優(yōu)勢,在航空航天、電力傳輸、軌道交通、新能源汽車、智能家電、通信等領域開始逐漸取代傳統(tǒng)硅器件。然而,在各類應用中
- 關鍵字: IGBT SiC GaN
Intel新發(fā)燒12核酷睿i9-10920X現(xiàn)身跑分:接口不變
- 隨著發(fā)布日期的臨近,Intel下一代發(fā)燒級桌面平臺Cascade Lake-X開始頻頻出現(xiàn)在測試數(shù)據(jù)庫中。GeekBench上已經(jīng)先后出現(xiàn)了10核心20線程酷睿i9-10900X、旗艦級酷睿i9-10980XE的身影,如今輪到12核的Core i9-10920X了?;鶞首R別出的頻率為2.77/3.80GHz,顯然不對,畢竟現(xiàn)款12核i9-9920X是3.5/4.4GHz。跑分方面,單核5339,多核44046。成績算得上正常,正好卡在Core i9-10900X (5204 / 39717)和Core i
- 關鍵字: 英特爾 Core i9 Core X
國內(nèi)市場巨大 分析機構看好華為5G手機:明年出貨量全球第一
- 行業(yè)標準、芯片、基站、手機……華為在5G方面的布局可謂又深又廣,非常契合其全球通信一哥的身份。
- 關鍵字: 華為 三星 5G Mate 20 X 5G
華為Mate X發(fā)售時間曝光 最快9月份出貨
- 今日有媒體報道,華為或將在本周舉辦的開發(fā)者大會上公布華為Mate X的先關發(fā)售信息,最快該機會在9月份出貨。華為Mate X(5G版全網(wǎng)通)電商報價京東商城 預約搶購華為Mate X發(fā)售時間曝光 9月份出貨媒體援引自產(chǎn)業(yè)鏈消息人士說法,華為Mate X上市準備已經(jīng)做好,相關發(fā)售信息預計會在8月9日的華為開發(fā)者大會上公布,最快出貨時間或在9月份。據(jù)了解,華為Mate X是在今年的MWC2019大展上正式對外公布。該機最大亮點是采用內(nèi)折屏設計,正面是一塊6.6英寸大屏,背面屏幕尺寸6.38
- 關鍵字: 華為Mate X
Cree積極擴廠開發(fā)功率及射頻元件,GaN on SiC磊晶技術發(fā)展待觀察
- 全球SiC晶圓市場規(guī)模約為8千多億美元,SiC晶圓與GaN on SiC磊晶技術大廠Cree為求強化自身功率及射頻元件研發(fā)能力,決議2019年5月于美國總部北卡羅萊納州特勒姆市,擴建1座先進自動化8寸SiC晶圓生產(chǎn)工廠與1座材料超級工廠(Mega Factory),期望借此擴建案,提升Cree在SiC晶圓上的生產(chǎn)尺寸與提升晶圓使用市占,并提供GaN on SiC先進磊晶技術進一步應用于功率及射頻元件中。
- 關鍵字: Cree 射頻 GaN on SiC磊晶技術
史上最輕無人機:比回形針還輕
- RoboBee X-Wing,這個來自哈佛的微型飛行機器人,為光能供電,可攜帶最多6塊太陽能電池板。
- 關鍵字: 無人機 RoboBee X-Wing 太陽能
支持瓦特到千瓦級應用的氮化鎵技術
- 兩年多前,德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵(GaN)功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率,且易于設計,帶集成柵極驅動和穩(wěn)健的器件保護。從那時起,我們就致力于利用這項尖端技術將功率級盡可能提高(和降低)。氮化鎵在任何功率級別都很關鍵。工程師正努力提高切換速度、效率和可靠性,同時減小尺寸、重量和元件數(shù)量。從歷來經(jīng)驗來看,您必須至少對其中的部分因素進行權衡,但德州儀器正通過所有這些優(yōu)勢實現(xiàn)設計,同時通過在一個封裝中進行復雜集成來節(jié)省系統(tǒng)級成本,并減少電路板元件數(shù)量。從將PC適配器的尺寸減半,到為并
- 關鍵字: 德州儀器 600V氮化鎵(GaN)功率器件
MACOM和意法半導體攜手合作提高硅基GaN產(chǎn)能,支持5G無線網(wǎng)絡建設
- MACOM Technology Solutions Holdings公司(納斯達克股票代碼:MTSI) (以下簡稱“MACOM”)和意法半導體(紐約證券交易所股票代碼:STM))(以下簡稱“ST”)于25日宣布,將在2019年擴大ST工廠150mm 硅基GaN的產(chǎn)能,200mm硅基GaN按需擴產(chǎn)。該擴產(chǎn)計劃旨在支持全球5G電信網(wǎng)建設,基于2018年初 MACOM和ST宣布達成的廣泛的硅基GaN協(xié)議。 隨著全球推出5G網(wǎng)絡并轉向大規(guī)模MIMO(M-MIMO)天線配置,射頻RF功率產(chǎn)品需求預計
- 關鍵字: MACOM GaN
x-gan介紹
您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條x-gan!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對x-gan的理解,并與今后在此搜索x-gan的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對x-gan的理解,并與今后在此搜索x-gan的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
關于我們 -
廣告服務 -
企業(yè)會員服務 -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473