z-trak 3d apps studio 文章 進入z-trak 3d apps studio技術(shù)社區(qū)
基于3D全息投影技術(shù)助力遠程醫(yī)療
- 加拿大皇后大學(xué)人類媒體實驗室研究員研發(fā)成功的“TeleHuman”3D全息投影設(shè)備,能將科幻片中經(jīng)常出現(xiàn)的3D虛擬投影變成現(xiàn)實。這款設(shè)備開發(fā)本意就是用3D全息影像來代替現(xiàn)有的平面視頻會議.
- 關(guān)鍵字: 3D 全息投影技術(shù) 遠程醫(yī)療
移動通信發(fā)展與天線技術(shù)的創(chuàng)新
- 隨著移動互聯(lián)網(wǎng)的持續(xù)發(fā)展以及物聯(lián)網(wǎng)的高速增長,移動寬帶技術(shù)不斷向前演進。移動寬帶技術(shù)的發(fā)展刺激了MBB流量的激增。2014年上半年,全球移動用戶連 接數(shù)預(yù)計將達到70億,覆蓋全球96%以上的人口,其中3G和4G移動用戶連接數(shù)之和也將達到24億,占據(jù)全球總量的三分之一以上。這些數(shù)據(jù)表明MBB業(yè) 務(wù)正在快速增長。
- 關(guān)鍵字: 移動通信 天線技術(shù) 創(chuàng)新 3D-MIMO 波束智能賦型
3D NAND延續(xù)摩爾定律 電容耦合效應(yīng)及可靠度仍為技術(shù)關(guān)鍵
- DIGITIMES Research觀察,2D NANDFlash制程在物理限制下難度加劇,透過3DNAND Flash制程,無論是效能及儲存容量提升上都有突破性的改善。 3D NAND Flash可謂為摩爾定律在半導(dǎo)體內(nèi)存領(lǐng)域延伸的一項重要技術(shù)。 3D NAND Flash依存儲元件儲存機制可分浮動閘極(Floating Gate;FG)及電荷缺陷儲存(Charge Trap;CT);依不同堆棧結(jié)構(gòu)技術(shù)又可分為BiCS、P-BiCS、TCAT、VG-NAND Flash、DC-SF、S-SCG
- 關(guān)鍵字: 摩爾定律 3D NAND
三星 3D NAND 快閃存儲器新廠上半年投產(chǎn)
- 三星電子周二宣布,位在首爾南方的新芯片廠施工進度順利,將如期于 2017 上半年投產(chǎn)。 三星新芯片廠于 2015 年動土,共投入 15.6 萬億韓元(約 144 億美元)建廠,為三星史上最大單一產(chǎn)線投資項目。據(jù)三星表示,新廠第一階段施工目前已完成九成。 新芯片廠主要用于生產(chǎn)高容量 3D 立體 NAND 快閃存儲器??扉W存儲器可取代傳統(tǒng)硬盤,并廣泛應(yīng)用于數(shù)碼相機、智能手機與其他 USB 界面儲存設(shè)備。 市調(diào)機構(gòu) DRAMeXchange 日前指出,三星穩(wěn)坐去年第四季 NAND 快閃存儲
- 關(guān)鍵字: 三星 3D NAND
買之前里外都看看 微軟Surface Studio圖文拆解

- 首先看外觀,可以發(fā)現(xiàn)底部從左到右依次有:4個USB3.0接口,千兆以太網(wǎng)接口、電源接口、Mini DisplayPort端口、SD卡插槽和3.5毫米音頻插孔。 底部的揚聲器覆蓋網(wǎng)罩 正面 有一系列傳感器,包括用于面部識別登陸的攝像頭、紅外投影儀、500萬像素的攝像頭,兩個麥克風(fēng)。 說完外表,現(xiàn)在來看內(nèi)心,將 微軟Surface Studio放倒,看到底部和背部都有拆解的途徑
- 關(guān)鍵字: 微軟 Surface Studio
迎需求熱潮!三星或追投西安3D NAND廠43億美元

- 據(jù)海外媒體報道,傳三星電子于2017~2018年,將大舉追加投資西安3D NAND Flash廠,業(yè)界人士預(yù)估共將投資約5兆韓元(約43.5億美元),以迎接存儲器市場史上最大需求熱潮。 Chosun Biz日前引述業(yè)界消息指出,三星與大陸政府正針對西安廠第二期投資進行商議,2017年三星可望與西安市簽署第二期投資及相關(guān)合作備忘錄。三星于2012年開始在西安廠的第一期投資與現(xiàn)在的第二期投資,皆用于打造3D NAND Flash生產(chǎn)所需設(shè)備及人力費用。 三星目前只使用西安廠腹地約34萬坪中的2
- 關(guān)鍵字: 三星 3D NAND
Surface Studio背后的故事:微軟依靠創(chuàng)新賦予桌面PC新生命

- 微軟近日發(fā)布了全新的一體電腦Surface Studio,賺足了眼球。在發(fā)布會之前,《Fast Company》記者Mark Sullivan獨家采訪了微軟硬件副總裁Panos Panay,從他口中了解到了Surface Studio的研發(fā)思路?! ∫韵率遣稍L稿全文: “靠上去!" 微軟硬件副總裁Panos Panay指著該公司最新的Surface設(shè)備對我說道。“靠上去!”他重復(fù)說了一遍。 我不想這樣做——畢竟,在采訪中弄壞一
- 關(guān)鍵字: 微軟 Surface Studio
英特爾下一代突破性3D XPoint內(nèi)存遭遇嚴(yán)重推遲
- 去年英特爾宣布了內(nèi)存技術(shù)突破。該公司推出了所謂的3D XPoint技術(shù),它非常適合DRAM和SSD之間的市場。新的非易失性芯片據(jù)稱會從根本上改變計算,但是現(xiàn)在傳出這一技術(shù)及其產(chǎn)品將被嚴(yán)重推遲發(fā)布。 根據(jù)英特爾自己的營銷材料顯示,3D XPoint技術(shù)不僅提升非易失性存儲器速度,而且還提供了出色的存儲密度。這使得存儲設(shè)備體積顯著小于現(xiàn)有型號。英特爾當(dāng)時宣稱這一新技術(shù)不僅僅是一些概念證明,而是準(zhǔn)備在今年全面生產(chǎn)與推廣。不幸的是,現(xiàn)在看起來英特爾已經(jīng)遇到麻煩,悄然大大推遲了3D XPoint技術(shù)和產(chǎn)品
- 關(guān)鍵字: 英特爾 3D XPoint
英特爾下一代突破性3D XPoint內(nèi)存遭遇嚴(yán)重推遲
- 去年英特爾宣布了內(nèi)存技術(shù)突破。該公司推出了所謂的3D XPoint技術(shù),它非常適合DRAM和SSD之間的市場。新的非易失性芯片據(jù)稱會從根本上改變計算,但是現(xiàn)在傳出這一技術(shù)及其產(chǎn)品將被嚴(yán)重推遲發(fā)布。 根據(jù)英特爾自己的營銷材料顯示,3D XPoint技術(shù)不僅提升非易失性存儲器速度,而且還提供了出色的存儲密度。這使得存儲設(shè)備體積顯著小于現(xiàn)有型號。英特爾當(dāng)時宣稱這一新技術(shù)不僅僅是一些概念證明,而是準(zhǔn)備在今年全面生產(chǎn)與推廣。不幸的是,現(xiàn)在看起來英特爾已經(jīng)遇到麻煩,悄然大大推遲了3D XPoint技術(shù)和產(chǎn)品
- 關(guān)鍵字: 英特爾 3D XPoint
2017年中國將推自主生產(chǎn)3D NAND閃存,32層堆棧

- 摘要:由于智能手機、SSD市場需求強烈,閃存、內(nèi)存等存儲芯片最近都在漲價,這也給了中國公司介入存儲芯片市場的機遇。在中國發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的規(guī)劃中,存儲芯片是最優(yōu)先的,也是全國各地都爭著上馬的項目,其中國家級的存儲芯片基地在武漢,投資超過240億美元,之前是新芯科技主導(dǎo),現(xiàn)在已經(jīng)變成了紫光公司主導(dǎo),預(yù)計2017年正式推出自主生產(chǎn)的3D NAND閃存,而且是32層堆棧的,起點不算低。 2015年中,國家級存儲芯片基地確定落戶武漢市,由武漢新芯科技公司負(fù)責(zé)建設(shè),今年3月份12寸晶圓廠正式動工,整個項目預(yù)
- 關(guān)鍵字: SSD 3D NAND
2017年中國將推自主生產(chǎn)32層堆棧3D NAND閃存

- 由于智能手機、SSD市場需求強烈,閃存、內(nèi)存等存儲芯片最近都在漲價,這也給了中國公司介入存儲芯片市場的機遇。在中國發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的規(guī)劃中,存儲芯片是最優(yōu)先的,也是全國各地都爭著上馬的項目,其中國家級的存儲芯片基地在武漢,投資超過240億美元,之前是新芯科技主導(dǎo),現(xiàn)在已經(jīng)變成了紫光公司主導(dǎo),預(yù)計2017年正式推出自主生產(chǎn)的3D NAND閃存,而且是32層堆棧的,起點不算低。 2015年中,國家級存儲芯片基地確定落戶武漢市,由武漢新芯科技公司負(fù)責(zé)建設(shè),今年3月份12寸晶圓
- 關(guān)鍵字: 3D NAND
z-trak 3d apps studio介紹
您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條z-trak 3d apps studio!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對z-trak 3d apps studio的理解,并與今后在此搜索z-trak 3d apps studio的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對z-trak 3d apps studio的理解,并與今后在此搜索z-trak 3d apps studio的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
