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EEPW首頁 >> 主題列表 >> z-trak 3d apps studio

Silicon Labs更快速易用的Simplicity Studio軟件

  • 　　2016年9月27日-Silicon Labs(亦名“芯科科技”)發(fā)布了其屢獲殊榮的Simplicity Studio?軟件開發(fā)工具的重要更新。新版本Simplicity Studio對其軟件基礎(chǔ)架構(gòu)進(jìn)行了重新設(shè)計，提供更快速的下載以及更加容易的安裝和使用工具。更加直觀的用戶界面提升了整體的開發(fā)者體驗。作為針對 物聯(lián)網(wǎng)(IoT)可連接設(shè)備應(yīng)用的業(yè)內(nèi)最完整軟件工具集，Simplicity Studio是當(dāng)前唯一廣泛支持8位和32位 微控制器(MCU)、多協(xié)議和多波段無線SoC、固
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美光3D NAND創(chuàng)新低成本制程分析

  • 　　美光公司日前開始量產(chǎn)其32層(32L) 3D NAND快閃記憶體，包含該元件的首批商用下游產(chǎn)品之一是Crucial 750GB SATA 2.5寸固態(tài)硬碟(SSD)。如圖1所示，這款產(chǎn)品的連續(xù)讀取/寫入速度分別高達(dá)每秒530MB與每秒510MB;其功耗較一般硬碟驅(qū)動器(HDD)改善了90倍，據(jù)稱也更加耐用。 　　Crucial SSD的售價為200美元，這使其成為筆記型電腦應(yīng)用最具吸引力的選項，而且我們發(fā)現(xiàn)有越來越多的電腦設(shè)備開始利用SSD取代傳統(tǒng)HDD。HDD也許將逐漸被市場所淘汰，不過必須承認(rèn)的
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武漢新芯“3D NAND”項目獲業(yè)內(nèi)權(quán)威專家一致認(rèn)可

  • 武漢東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)管委會在武漢組織召開了武漢新芯“三維數(shù)據(jù)型閃存(3D NAND Flash)技術(shù)開發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”項目可行性專家評審會，業(yè)內(nèi)專家對
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新一代GPS的線性尺寸查詢及標(biāo)注系統(tǒng)設(shè)計

  • 新一代GPS的線性尺寸查詢及標(biāo)注系統(tǒng)設(shè)計,摘要：為解決線性尺寸標(biāo)注不符合新一代產(chǎn)品幾何技術(shù)規(guī)范(GPS)標(biāo)準(zhǔn)的問題，加快新一代產(chǎn)品幾何技術(shù)規(guī)范標(biāo)準(zhǔn)體系的推廣使用，基于WinCE的嵌入式技術(shù)開發(fā)了新一代GPS的線性尺寸查詢及標(biāo)注系統(tǒng)。系統(tǒng)中的公差原則及要求的
  • 關(guān)鍵字： WinCE  線性尺寸查詢及標(biāo)注系統(tǒng)  SQLCE  Microsoft Visual Studio 2008  產(chǎn)品幾何技術(shù)規(guī)范  

三星3D V-NAND固態(tài)盤加速企業(yè)閃存進(jìn)化

  • 三星最新的產(chǎn)品是一種面向企業(yè)級應(yīng)用、高可靠的固態(tài)盤存儲--V-NAND固態(tài)盤。最新用于固態(tài)盤V-NAND技術(shù)帶來性能上的提升，節(jié)省電力消耗，并提高了急需
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Android Studio 的 10 個你很有可能不知道的技巧

  • 本文原文出處來自 Medium ， Android Studio 是每一個 Android 開發(fā)每天都要使用的
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SSD容量突破關(guān)鍵：3D存儲芯片大揭秘

  • 現(xiàn)在每一個閃存廠家都在向3D NAND技術(shù)發(fā)展，我們之前也報道過Intel 3D NAND的一些信息。5月14日，Intel Richmax舉辦了一場技術(shù)講解會3D Nand Technical Workshop，I
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3D NAND競爭火熱 三星成市場最大贏家

  • 最近隨著SSD采用3D NAND Flash出貨比重越來越高，許多半導(dǎo)體廠商也開始吹起了3D NAND Flash投資熱潮。其中，又以三星電子率先在這場競爭中獲益最多，取得領(lǐng)先地位。
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3D NAND Flash成產(chǎn)業(yè)發(fā)展突破口

  • 　　存儲器作為四大通用芯片之一，發(fā)展存儲芯片產(chǎn)業(yè)的意義不言而喻。對電子產(chǎn)品而言，存儲芯片就像糧食一樣不可或缺。它與數(shù)據(jù)相伴而生，哪里有數(shù)據(jù)，哪里就會需要存儲芯片。而且隨著大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)等新興產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，存儲產(chǎn)業(yè)與信息安全等亦息息相關(guān)。 　　當(dāng)前，我國筆記本、智能手機(jī)出貨量均居全球首位。華為、聯(lián)想等廠商崛起，以及阿里巴巴、騰訊、百度等互聯(lián)網(wǎng)廠商帶動數(shù)據(jù)中心爆發(fā)，使得國產(chǎn)廠商對存儲需求量巨大。 　　相關(guān)數(shù)據(jù)顯示，2015年大陸DRAM采購規(guī)模估計為120億美元、NAND Flash采購規(guī)模為66.7億美元
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美光移動裝置3D NAND解決方案　瞄準(zhǔn)中高階手機(jī)市場

  • 　　美光(Micron)3D NAND固態(tài)硬碟(SSD)產(chǎn)品方才正式面市，緊接又宣布將推出首款針對移動裝置最佳化的3D NAND產(chǎn)品，這也是美光首款支援通用快閃儲存(Universal Flash Storage;UFS)標(biāo)準(zhǔn)之產(chǎn)品。 　　美光移動事業(yè)行銷副總Gino Skulick在接受EE Times專訪表示，美光為移動裝置所推出的首款3D NAND為32GB產(chǎn)品，鎖定中、高階智能型手機(jī)市場，此區(qū)塊市場占全球智能型手機(jī)總數(shù)的50%。 　　而這也是業(yè)界首款采用浮動閘極(Floating Gate)技
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3D NAND風(fēng)暴來襲，中國存儲器廠商如何接招?

  • 中國正在下大力度推進(jìn)存儲產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，3D NAND被認(rèn)為是一個有利的突破口。
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美光3D NAND將殺到！打破三星獨霸、大戰(zhàn)一觸即發(fā)

  • 目前3D NAND由三星電子獨家量產(chǎn)，但是先有東芝殺入敵營，如今美光也宣布研發(fā)出3D NAND，而且已經(jīng)送樣，三星一家獨大的情況將畫下句點，3D NAND flash大戰(zhàn)即將開打!
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面對大陸攻勢　三星海力士強(qiáng)化3D NAND投資

  • 　　據(jù)韓國經(jīng)濟(jì)報導(dǎo)，大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在政府的強(qiáng)力支援下，清華紫光與武漢新芯采行攻擊性投資策略，迫使南韓、日本、美國等主要半導(dǎo)體業(yè)者也紛紛強(qiáng)化投資。 　　市調(diào)業(yè)者DRAM eXchange表示，全球半導(dǎo)體市場中，NAND Flash事業(yè)從2011~2016年以年均復(fù)合成長率(CARG)47%的速度成長;清華紫光以新成立的長江存儲進(jìn)行武漢新芯的股權(quán)收購，成立長江存儲科技有限責(zé)任公司，未來可能引發(fā)NAND Flash市場版圖變化。 　　清華紫光擁有清華大學(xué)的人脈，在社會上擁有一定的影響力，武漢新芯擁有技術(shù)方面
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東芝沖NAND Flash產(chǎn)量 2018年3D NAND占其九成

  • 　　東芝(Toshiba)統(tǒng)籌存儲器事業(yè)的副社長成毛康雄于6日舉行的投資人說明會上表示，將沖刺N(yùn)AND Flash產(chǎn)量，目標(biāo)在2018年度將NAND Flash產(chǎn)量擴(kuò)增至2015年度的3倍水準(zhǔn)(以容量換算)。 　　關(guān)于已在2016年度開始量產(chǎn)的3D結(jié)構(gòu)NAND Flash，成毛康雄指出，將強(qiáng)化3D Flash的生產(chǎn)，目標(biāo)在2017年度將3D產(chǎn)品占整體生產(chǎn)比重提高至5成、2018年度進(jìn)一步提高至9成左右水準(zhǔn)。 　　東芝為全球第2大NAND Flash廠商，市占率僅次于三星電子。 　　日經(jīng)、韓國先驅(qū)報(
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Cell on Peri構(gòu)造有利IDM提升3D NAND Flash競爭力

  • 　　Cell on Peripheral Circuit(以下簡稱Cell on Peri)構(gòu)造由美光(Micron)與英特爾(Intel)陣營開發(fā)，采用將3D NAND Flash晶胞(Cell)陣列堆疊在周邊電路CMOS邏輯IC上的方式，以縮減采3D NAND Flash解決方案的晶片面積。DIGITIMES Research觀察，三星電子(Samsung Electronics)已提出類似此一構(gòu)造的COP(Cell Over Peri)方案，將有利整合元件廠(Integrated Device Ma
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