臺(tái)積電3nm將按計(jì)劃試產(chǎn)：速度提升11%，節(jié)能27%

臺(tái)積電正在持續(xù)推進(jìn)3nm開發(fā)的多元應(yīng)用，據(jù)數(shù)據(jù)顯示，該制程節(jié)點(diǎn)目標(biāo)較5nm家族在效能、功耗及面積（Performance，Power，Area；PPA）同步精進(jìn)，其中在速度提升11%之際將更節(jié)能27%，此外3nm家族還有多個(gè)版本延伸配合HPC客戶需求特殊化設(shè)計(jì)。

臺(tái)積電近期在開放創(chuàng)新論壇釋出更多先進(jìn)制程技術(shù)演進(jìn)過程的數(shù)據(jù)，依據(jù)semiwiki整理論壇簡(jiǎn)報(bào)顯示，臺(tái)積電先進(jìn)制程持續(xù)推進(jìn)若以ARM架構(gòu)模擬之下，3nm制程在開放創(chuàng)新伙伴的設(shè)計(jì)技術(shù)協(xié)同優(yōu)化 (DTCO) 之下目標(biāo)PPA較5nm將達(dá)成包含邏輯密度增加!1.6倍以上、傳輸速度提升11%以及更節(jié)能27%。

同時(shí)臺(tái)積電也在論壇上展示3nm家族的N3HPC相關(guān)技術(shù)。

之前，美系外資曾示警，指出臺(tái)積電3nm制程遇到技術(shù)性問題，可能延至明年上半年試產(chǎn)，較原訂時(shí)程延遲1至2季時(shí)間。

對(duì)此說法，臺(tái)積電總裁魏哲家在10月14日法說會(huì)上表示，臺(tái)積電3nm按照計(jì)劃開發(fā)，獲得諸多客戶參與，也已開發(fā)完整平臺(tái)支持高效能運(yùn)算及智能手機(jī)應(yīng)用。目標(biāo)在 2021年試產(chǎn)，并預(yù)計(jì)2022下半年量產(chǎn)。

魏哲家還宣布臺(tái)積電將推出N3E制程，將在3nm制程量產(chǎn)1年后導(dǎo)入量產(chǎn)。意即N3E制程將于2023年下半年量產(chǎn)。

魏哲家并透露，2nm制程將采用環(huán)繞閘極（GAA）架構(gòu)，預(yù)計(jì)2025年量產(chǎn)。這是臺(tái)積電首度揭露2nm制程技術(shù)時(shí)程。魏哲家不愿評(píng)論競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，不過他強(qiáng)調(diào)，臺(tái)積電2nm制程技術(shù)在密度及效能上將最具競(jìng)爭(zhēng)力。

來源：內(nèi)容來自「經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)」。