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臺積電3nm將按計劃試產:速度提升11%,節(jié)能27%

發(fā)布人:旺材芯片 時間:2021-11-05 來源:工程師 發(fā)布文章

臺積電正在持續(xù)推進3nm開發(fā)的多元應用,據(jù)數(shù)據(jù)顯示,該制程節(jié)點目標較5nm家族在效能、功耗及面積(Performance,Power,Area;PPA)同步精進,其中在速度提升11%之際將更節(jié)能27%,此外3nm家族還有多個版本延伸配合HPC客戶需求特殊化設計。

 

臺積電近期在開放創(chuàng)新論壇釋出更多先進制程技術演進過程的數(shù)據(jù),依據(jù)semiwiki整理論壇簡報顯示,臺積電先進制程持續(xù)推進若以ARM架構模擬之下,3nm制程在開放創(chuàng)新伙伴的設計技術協(xié)同優(yōu)化 (DTCO) 之下目標PPA較5nm將達成包含邏輯密度增加!1.6倍以上、傳輸速度提升11%以及更節(jié)能27%。

 

同時臺積電也在論壇上展示3nm家族的N3HPC相關技術。

 

之前,美系外資曾示警,指出臺積電3nm制程遇到技術性問題,可能延至明年上半年試產,較原訂時程延遲1至2季時間。

 

對此說法,臺積電總裁魏哲家在10月14日法說會上表示,臺積電3nm按照計劃開發(fā),獲得諸多客戶參與,也已開發(fā)完整平臺支持高效能運算及智能手機應用。目標在 2021年試產,并預計2022下半年量產。

 

魏哲家還宣布臺積電將推出N3E制程,將在3nm制程量產1年后導入量產。意即N3E制程將于2023年下半年量產。

 

魏哲家并透露,2nm制程將采用環(huán)繞閘極(GAA)架構,預計2025年量產。這是臺積電首度揭露2nm制程技術時程。魏哲家不愿評論競爭對手,不過他強調,臺積電2nm制程技術在密度及效能上將最具競爭力。


來源:內容來自「經濟日報」。


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關鍵詞: 臺積電

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