存儲(chǔ)巨頭們對(duì)技術(shù)未來(lái)的看法

本月初，年度存儲(chǔ)盛會(huì)FMS在美國(guó)隆重舉辦。會(huì)上，來(lái)自全球的存儲(chǔ)巨頭分享了他們的技術(shù)未來(lái)的看法和觀點(diǎn)。
Techinsights首先指出，在 FMS2022 上，所有與會(huì)者慶祝了一個(gè)重要的里程碑，即 NAND 閃存發(fā)明35周年。今年會(huì)議的關(guān)鍵詞似乎是 ：

• CXL-Memory (CXL-DRAM, CXL-NAND), 
• Optane XPoint Memory 倒閉,
• 新的和下一代 2XX 3D NAND 產(chǎn)品, 
• Chiplets, 
• 基于ZNS的存儲(chǔ)系統(tǒng)。

在會(huì)議期間和面對(duì)面會(huì)談期間，進(jìn)行了許多關(guān)于關(guān)鍵詞的演示和討論。新的存儲(chǔ)產(chǎn)品送樣，例如 BittWare PCIe 5.0/CXL FPGA 加速器、IBM Elastic Storage System 3500、Infinidat InfiniBox SSA II、鎧俠 CM7 系列 E3.S 企業(yè) NVMe SSD、Phison X1 基于控制器的 SSD 平臺(tái)、Pliops XDP、三星內(nèi)存- 推出semantic CXL SSD、ScaleFlux CSD 3000 SSD、Solidigm P41 Plus SSD with 144L-Q、Supermicro Petascale All-Flash Server with DDR5 and PCIe5.0、Swissbit PCIe-SSD N-30m2，以及YMTC 的X3-9070 with Xtacking 3.0出現(xiàn)在他們展臺(tái)上。
在 3D/4D NAND 和 SSD 技術(shù)方面，行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者在主題演講中宣布了他們的新產(chǎn)品和芯片樣品，當(dāng)中包括了三星、SK 海力士/Solidigm、鎧俠、西部數(shù)據(jù)和長(zhǎng)江存儲(chǔ)。從主題演講中要知道的一些事情1.三星重點(diǎn)介紹了推動(dòng)大數(shù)據(jù)市場(chǎng)的 4 個(gè)技術(shù)進(jìn)步領(lǐng)域；數(shù)據(jù)移動(dòng)、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)、數(shù)據(jù)處理和數(shù)據(jù)管理。三星宣布推出“內(nèi)存語(yǔ)義 SSD”，它結(jié)合了存儲(chǔ)和 DRAM 內(nèi)存、AI 和 ML 優(yōu)化存儲(chǔ)的優(yōu)勢(shì)。該公司于 5 月開(kāi)發(fā)的業(yè)界首款 UFS 4.0 移動(dòng)存儲(chǔ)推出。計(jì)劃于本月開(kāi)始量產(chǎn)。三星強(qiáng)調(diào)了 SmartSSD 和 CXL DRAM，它們旨在避免當(dāng)前內(nèi)存和存儲(chǔ)架構(gòu)的瓶頸。
2.SK 海力士最近于 7 月向客戶(hù)交付了第一款 V8 238 層 512Gb TLC 4D NAND 閃存，預(yù)計(jì)將于 2023 年開(kāi)始量產(chǎn)。SK 海力士正在開(kāi)發(fā) 1Tb 的238 層產(chǎn)品。該公司還推出了首個(gè)基于 DDR5 DRAM 的 CXL 樣品。Solidigm 推出了配備 144L-Q 的 P41 plus SSD。他們還在主題演講中展示了世界上第一個(gè)工作的 Penta-Level Cell (PLC) SSD 芯片樣品，其 192L-Q 首次能夠在每個(gè)存儲(chǔ)單元存儲(chǔ) 5 位數(shù)據(jù)，相同占用空間內(nèi)的數(shù)據(jù)增加 25%與四級(jí)單元 (QLC) SSD 相比。
3.鎧俠推出基于MLC（2bit/cell）BiCS FLASH的第二代XL-FLASH單片機(jī)解決方案。第一代是基于 SLC 的。Gen2 XL-FLASH 的內(nèi)存容量為 256Gb/die。產(chǎn)品樣品發(fā)貨計(jì)劃于 11 月開(kāi)始，預(yù)計(jì) 2023 年開(kāi)始量產(chǎn)。
4.長(zhǎng)江存儲(chǔ)推出X3-9070 TLC 3D NAND Flash樣品產(chǎn)品，搭載Xtacking 3.0 Architecture, 4th gen。3D NAND（1Tb TLC 芯片， 232L 6 平面設(shè)計(jì)）。
關(guān)于英特爾最近宣布退出的 Optane XPoint Memory，F(xiàn)MS 2022 大會(huì)上召開(kāi)了特別會(huì)議。Chuck Sobey（FMS 會(huì)議主席）和一些分析師（Tom Coughlin、Jim Handy 和 Dave Eggleston）與一些英特爾人員一起回顧了它的歷史、業(yè)務(wù)和問(wèn)題。
簡(jiǎn)而言之，Optane（XPoint Memory）性?xún)r(jià)比不高，不會(huì)成為未來(lái)產(chǎn)品的一部分。盡管 Optane XPoint Memory 正在逐漸減少，但它奠定了持久內(nèi)存的價(jià)值，并被用于設(shè)計(jì)和制造創(chuàng)新的存儲(chǔ)系統(tǒng)。此外，它確實(shí)有助于推動(dòng) CXL 接口存儲(chǔ)器技術(shù)的發(fā)展。會(huì)議上的一些經(jīng)驗(yàn)教訓(xùn)和討論

• XPoint 是全新的 PCM
• 自 2016 年以來(lái)，英特爾傲騰 DIMM 和持續(xù)內(nèi)存損失總計(jì)超過(guò) 70 億美元
• 光刻和產(chǎn)品成本限制了 XPoint 兩層或四層堆疊，這導(dǎo)致難以實(shí)現(xiàn)更高密度（不再是 Gen3）
• 連貫持久記憶的價(jià)值有限
• 例如，與微軟的有限合作伙伴關(guān)系失敗了
• CXL接口SSD未來(lái)可能會(huì)取代Optane持久內(nèi)存或SCM（Storage Class Memory）市場(chǎng)

從 FMS2022 開(kāi)始，關(guān)于 Memory 的 10 大預(yù)測(cè)可以總結(jié)為

• NAND 的未來(lái)是 NAND（不會(huì)被任何 EM/XPoint 取代）
• DRAM 的未來(lái)是 DRAM（不會(huì)被任何 EM/XPoint 取代）
• 記憶墻是真實(shí)的，而且越來(lái)越糟
• 三星和 SK 海力士考慮成本和市場(chǎng)需求的不僅僅是揭示新技術(shù)節(jié)點(diǎn)，這與美光不同。
• 計(jì)算存儲(chǔ)/內(nèi)存正在變得流行
• CXL將成為存儲(chǔ)和數(shù)據(jù)中心的主流
• MRAM 在嵌入式設(shè)備中越來(lái)越普遍
• FLASH+HDD等混合存儲(chǔ)系統(tǒng)仍未死
• 元數(shù)據(jù)管理越來(lái)越重要
• Optane XPoint 內(nèi)存已不復(fù)存在，CXL-DRAM/NAND 內(nèi)存將取而代之，用于 SCM 應(yīng)用。

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