實(shí)現(xiàn)光刻機(jī)的國產(chǎn)替代,沒那么急
前 言
在國產(chǎn)芯片制造進(jìn)程中,光刻機(jī)一直位于“卡脖子”環(huán)節(jié)之列。
作為光刻工藝的核心設(shè)備,光刻機(jī)也是所有半導(dǎo)體制造設(shè)備中技術(shù)含量最高的設(shè)備,而其光刻的工藝水平直接決定了芯片的制程和性能水平。因此可以說,光刻機(jī)的水平直接決定了中國芯片制造的水平。
但關(guān)于光刻機(jī),我們可能存在三大認(rèn)知誤區(qū)。
01 我們不缺光刻機(jī)
首先,我國光刻機(jī)進(jìn)口并未完全受限,國產(chǎn)光刻機(jī)正迎來新突破。
光刻機(jī)主要分為兩類:DUV光刻機(jī)和EUV光刻機(jī)。前者只能做到7nm制程,后者是5nm及更先進(jìn)制程芯片的剛需。由于EUV光刻機(jī)可實(shí)現(xiàn)的工藝制程更先進(jìn),技術(shù)要求極高,全球只有光刻機(jī)巨頭ASML一家廠商能夠設(shè)計(jì)和制造,但制造環(huán)節(jié)大量使用美國技術(shù)。
我國的DUV光刻機(jī)供應(yīng)商主要是荷蘭的ASML、日本的尼康和佳能,DUV技術(shù)是由荷蘭和日本獨(dú)立發(fā)展,不受美國限制,因此能夠正常供應(yīng)。
而EUV光刻機(jī)國內(nèi)一直買不到。早在2018年,中芯國際就花了1.2億美元向ASML訂購中國首臺(tái)EUV光刻機(jī),受到美國禁令等因素影響,至今沒有收到貨。
不過我國現(xiàn)階段并不急需EUV光刻機(jī),如果我們能夠在DUV光刻機(jī)方面獲得進(jìn)一步突破,還是有可能把國產(chǎn)芯片制程工藝推到7nm甚至更往前。此前有消息稱,國產(chǎn)光刻機(jī)已有新突破,將實(shí)現(xiàn)從90nm跨越到28nm,如能量產(chǎn),國產(chǎn)芯片的自主化程度將會(huì)大大提升。
02 有了光刻機(jī),就能造芯片?
其次,光刻雖然是芯片制造最核心、最難的環(huán)節(jié),但不是說有了光刻機(jī)就能造芯片了。芯片制作包括芯片設(shè)計(jì)、晶片制作、封裝制作等多個(gè)環(huán)節(jié),其中晶片制作過程尤為復(fù)雜。
晶片制造工藝分為“三大”+“四小”工藝,三大包括光刻、刻蝕、沉積;四小包括清洗、氧化、檢測、離子注入。這7個(gè)前道工藝缺一不可。
芯片生產(chǎn)過程包含單晶硅片制造、前道工藝和后道工藝
這里面,三大工藝占比都很高,光刻機(jī)占到芯片成本30%,刻蝕機(jī)25%,PVD/CVD/ALD占25%,并列成為最重要的三大前道設(shè)備,強(qiáng)調(diào)光刻機(jī)的重要性時(shí),其他部分也不能忽視。
我們講產(chǎn)業(yè)困境時(shí),會(huì)反復(fù)提到光刻機(jī),這讓不少人以為只要光刻機(jī)不受限,好像芯片的“卡脖子”問題就能解決了,事實(shí)并非如此。芯片工藝流程中,7大前道工藝設(shè)備都不可缺少。
03 造光刻機(jī)不是最緊迫的事
那么,中國現(xiàn)在最緊迫的是造光刻機(jī)嗎?其實(shí)不是。
從以上分析中可以看出,造光刻機(jī)不是當(dāng)前最緊要的問題,中國半導(dǎo)體制造不缺光刻機(jī)。
前面提到的7大前道工藝設(shè)備中,全球的光刻機(jī)制造,基本由ASML、尼康和佳能三巨頭壟斷,美國能插手的有限。
然而另外6大相關(guān)設(shè)備:刻蝕、沉積、離子注入、清洗、氧化、檢測設(shè)備,多由美國和日本壟斷,其中檢測設(shè)備由美國的KLA(科磊)深度壟斷。
眾所周知,經(jīng)過美國之手的技術(shù),國內(nèi)想要進(jìn)口,都存在被限制的風(fēng)險(xiǎn)。因此,對(duì)于中國的芯片產(chǎn)業(yè)鏈而言,最緊迫的不是造光刻機(jī),而是著力攻關(guān)被美國限制的其他更關(guān)鍵的技術(shù)。
不過話說回來,盡管我國的芯片產(chǎn)業(yè)鏈水平與國外相比仍有差距,但我們始終存有趕超的信心。
回顧中國光刻機(jī)60年的發(fā)展,其實(shí)中國在最初也是條件最艱苦的階段,就曾獨(dú)立研發(fā)出光刻機(jī),一度把中美之間的距離縮短至7年。
后因種種因素導(dǎo)致差距再次拉大,且開始面臨斷供的風(fēng)險(xiǎn),為此,中國再次奮起直追。
2002年,代表中國最先進(jìn)光刻機(jī)水平的上海微電子剛成立時(shí),我國光刻機(jī)領(lǐng)域領(lǐng)軍人物賀榮明與國外工程師談技術(shù)合作,卻反被嘲諷,“就是給你們?nèi)讏D紙,你們也做不出來!”
在這樣薄弱的基礎(chǔ)與外界的輕視下,經(jīng)過十多年的自主研發(fā),我國90nm國產(chǎn)光刻機(jī)最終實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),且銷往海外。而后道封裝光刻機(jī)則早已研制出來并出口海外,全球市占率高達(dá)40%。
今年9月,上海市經(jīng)信委主任吳金城在新聞發(fā)布會(huì)上透露,我國目前已實(shí)現(xiàn)14納米先進(jìn)工藝規(guī)模量產(chǎn),90納米光刻機(jī)、5納米刻蝕機(jī)、12英寸大硅片、國產(chǎn)CPU、5G芯片等均實(shí)現(xiàn)突破。
可以看到,中國正一步步縮小與國外的差距。無論是光刻機(jī),還是其他受限設(shè)備,國產(chǎn)化道路或許漫長,但星星之火已然點(diǎn)亮我們通往勝利的征程。
參考資料:
半導(dǎo)體風(fēng)向標(biāo).《光刻機(jī)的三大誤區(qū)》
*博客內(nèi)容為網(wǎng)友個(gè)人發(fā)布,僅代表博主個(gè)人觀點(diǎn),如有侵權(quán)請(qǐng)聯(lián)系工作人員刪除。