半導(dǎo)體行業(yè)2023年度策略報(bào)告：但行“芯”路，不問(wèn)“硅”期

（報(bào)告出品方/作者：平安證券，付強(qiáng)、徐碧云）

1.1 回顧：2022 年行情概述

1.1.1 全球半導(dǎo)體指數(shù)表現(xiàn)低迷，國(guó)內(nèi)申萬(wàn)半導(dǎo)體指數(shù)跑輸滬深 300

2022 年A 股半導(dǎo)體指數(shù)整體呈現(xiàn)下跌趨勢(shì)，截至 12月 5日，申萬(wàn)半導(dǎo)體指數(shù)下跌 33.64%，同期滬深 300指數(shù)下跌 20.11%， 申萬(wàn)半導(dǎo)體跑輸滬深 300 指數(shù) 13.53pct，其他電子板塊也全部下跌。同期美國(guó)費(fèi)城半導(dǎo)體指數(shù)下跌 30.61%，跑輸納斯達(dá)克 指數(shù) 2.46pct；中國(guó)臺(tái)灣半導(dǎo)體指數(shù)下跌 25.88%，跑輸中國(guó)臺(tái)灣 50 指數(shù) 5.65pct?？梢?jiàn)，全球半導(dǎo)體板塊均較為疲弱。

1.1.2 半導(dǎo)體各子板塊表現(xiàn)均低迷，估值大幅低于近三年均值

截至 12 月 5 日，分立器件、半導(dǎo)體材料、數(shù)字芯片設(shè)計(jì)、模擬芯片設(shè)計(jì)、集成電路封測(cè)、半導(dǎo)體設(shè)備漲幅分別為-24.28%、 -26.51%、-40.44%、-35.13%、-20.88%、-28.60%，表現(xiàn)均較弱。由于估值較低，集成電路封測(cè)僅跑輸滬深 300 指數(shù) 0.77 個(gè)百分點(diǎn)；半導(dǎo)體設(shè)備板塊跑輸滬深 300 指數(shù) 8.49 個(gè)百分點(diǎn)；分立器件跑輸滬深 300 指數(shù) 4.17 個(gè)百分點(diǎn)；而芯片設(shè)計(jì)由 于與消費(fèi)類應(yīng)用市場(chǎng)關(guān)聯(lián)較多，因此下跌較多。截至 12 月 5 日，申萬(wàn)半導(dǎo)體板塊 PE（TTM）為 37.22 倍，低于過(guò)去三年 均值的 82.99 倍。

1.2 半導(dǎo)體行業(yè)業(yè)績(jī)回顧及 2023 年投資概述

1.2.1 業(yè)績(jī)回顧：營(yíng)收增速持續(xù)回調(diào)，設(shè)備、分立器件及材料等表現(xiàn)較好

半導(dǎo)體設(shè)備板塊營(yíng)收高增：2018 年下半年，半導(dǎo)體行業(yè)進(jìn)入下行周期，2018 年行業(yè)凈利潤(rùn)同比下滑 40.54%，之后自 2020 年下半年開(kāi)始隨著國(guó)內(nèi)疫情控制，下游需求回暖，行業(yè)進(jìn)入上行期。2021 年半導(dǎo)體行業(yè)營(yíng)收和利潤(rùn)同比增速呈現(xiàn)雙高，行 業(yè)處于景氣周期。2022Q2 受到下游消費(fèi)電子需求疲軟等影響，板塊開(kāi)始進(jìn)入下行周期。2022 前三季度，半導(dǎo)體行業(yè)營(yíng)收 達(dá)到 2260 億元，同比增速約 10%。從子板塊來(lái)看，分立器件（18.17%）、半導(dǎo)體材料（11.19%）、集成電路封測(cè)（15.94%）、半導(dǎo)體設(shè)備（58.93%）營(yíng)收增速 均高于板塊整體增速（10.46%），尤其半導(dǎo)體設(shè)備增速最快，是驅(qū)動(dòng)板塊營(yíng)收增長(zhǎng)的主要因素。受益于各大晶圓廠的擴(kuò)產(chǎn)以 及國(guó)產(chǎn)設(shè)備的逐步導(dǎo)入，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備廠商在手訂單飽滿，業(yè)績(jī)確定性高。而數(shù)字芯片設(shè)計(jì)（3.81%）、模擬芯片設(shè)計(jì)（-17%， 含射頻芯片）營(yíng)收增速均低于板塊整體增速。

模擬芯片設(shè)計(jì)、集成電路封測(cè)是板塊盈利下滑的主導(dǎo)因素：2022 年前三季度，半導(dǎo)體行業(yè)歸母凈利潤(rùn)達(dá)到 253 億元，同比 下滑約 4%。歸母凈利增速為負(fù)數(shù)，主要系消費(fèi)類需求疲軟，相關(guān)產(chǎn)品去庫(kù)存價(jià)格下跌所致。從子板塊來(lái)看，半導(dǎo)體設(shè)備 （116.68%）、分立器件（15.96%）、半導(dǎo)體材料（12.05%）歸母凈利增速高于板塊整體增速（-4.14%），而模擬芯片設(shè)計(jì) （-46.07%）、集成電路封測(cè)（-11.95%）是板塊盈利下滑的主導(dǎo)因素。

毛利率和凈利率同向波動(dòng)：在SW 半導(dǎo)體板塊中，毛利率和凈利率呈現(xiàn)比較明顯的同向波動(dòng)。2021 年三季度，板塊毛利率 達(dá)到最高點(diǎn) 29.69%，2022 年三季度下降至 27.44%；同時(shí)，由于營(yíng)收增長(zhǎng)帶來(lái)的規(guī)模效應(yīng)，費(fèi)用率下降，2021 年三季度， 板塊凈利率達(dá)到最高點(diǎn) 14.84%，2022 年三季度下降至 11.21%。

展望 2023 年業(yè)績(jī)，預(yù)計(jì)芯片設(shè)計(jì)增速回升，半導(dǎo)體設(shè)備增速回落：2022 年消費(fèi)電子庫(kù)存維持高位，需求疲軟，明年我們 預(yù)計(jì)隨著庫(kù)存和需求的邊際改善，有望帶動(dòng)設(shè)計(jì)板塊營(yíng)收增速回升；半導(dǎo)體設(shè)備由于今年基數(shù)較高，且隨著晶圓廠產(chǎn)能利用 率下降，資本開(kāi)支將減少，雖然仍受益于國(guó)內(nèi)晶圓廠擴(kuò)產(chǎn)，但預(yù)計(jì)增速環(huán)比2022 年將有所回落。

1.2.2 2023 年投資策略：但行“芯”路，不問(wèn)“硅”期

“硅周期”和宏觀經(jīng)濟(jì)周期等多種因素疊加，行業(yè)在 2023年有望探底：由于宏觀經(jīng)濟(jì)下行、地緣政治沖突、疫情反復(fù)等因 素影響，加上本輪的移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)和 IT 基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)的“硅周期”進(jìn)入尾聲，行業(yè)下行壓力凸顯。從宏觀經(jīng)濟(jì)****以及下游 應(yīng)用發(fā)展來(lái)看，我們預(yù)測(cè)行業(yè)有希望在 2023 年見(jiàn)到周期底部，年內(nèi)有可能完成去庫(kù)存，2024 年有望恢復(fù)增長(zhǎng)。下行周期看賽道，關(guān)注新能源汽車、新能源以及研發(fā)設(shè)計(jì)類儀器儀表等領(lǐng)域：1）半導(dǎo)體加速“上車”，供需偏緊的格局還在 持續(xù)。一方面，新能源汽車中半導(dǎo)體器件獲得顯著的增量需求，單車半導(dǎo)體價(jià)值量已翻倍；另一方面，我們看到新能源汽車滲透率的大幅度提升。整體芯片需求依然旺盛，包括功率器件、碳化硅、MCU 和模擬芯片依然還是需求增長(zhǎng)的重點(diǎn)。2）“風(fēng) 光儲(chǔ)”裝機(jī)量快速增長(zhǎng)拉動(dòng)功率半導(dǎo)體需求，而且受益于國(guó)內(nèi)整機(jī)廠和零部件廠的集聚，國(guó)內(nèi)相關(guān)領(lǐng)域的功率半導(dǎo)體企業(yè)也 獲得比較大的市場(chǎng)機(jī)會(huì)；3）設(shè)計(jì)研發(fā)類儀器儀表也迎來(lái)替代高峰，國(guó)家鼓勵(lì)政策連續(xù)出臺(tái)，國(guó)內(nèi)電子測(cè)量?jī)x器廠商能力較 快提升，替代空間在逐步打開(kāi)，建議關(guān)注。

2.1 供給端：晶圓代工價(jià)格下滑，行業(yè)資本支出收縮

全球芯片平均交付周期已連續(xù)六個(gè)月縮短：2022 年以來(lái)，芯片制造產(chǎn)能正在持續(xù)釋放，在經(jīng)濟(jì)低迷和消費(fèi)者支出疲軟的情 況下，市場(chǎng)需求正在下降，其中芯片應(yīng)用大戶——手機(jī)和 PC 需求降幅最大，供需格局發(fā)生了轉(zhuǎn)向。據(jù) Susquehanna Financial Group 的研究顯示，2022 年 10 月全球芯片平均交付周期為 25.5 周，相比 9 月又縮短了 6 天，為 2016 年以來(lái)的最大降幅， 所有主要產(chǎn)品領(lǐng)域的交付周期都縮短了，且調(diào)查的公司中有 70%表示能夠更快地供應(yīng)芯片。雖然不少芯片廠商都不得不面 對(duì)高庫(kù)存的難題，但仍有一些芯片（如車芯）存在短缺的情況。以德州儀器為例，雖然公司 10月的交付時(shí)間減少了 25 天， 但一些用于汽車的芯片供應(yīng)仍然短缺。全球硅片出貨面積增速放緩：硅片出貨面積和半導(dǎo)體銷售額高度共振，根據(jù)SEMI 的最新數(shù)據(jù)顯示，今年第三季度全球硅片 出貨面積為 37.41 億平方英寸，環(huán)比增長(zhǎng)約 1%，同比增長(zhǎng) 2.5%。雖然硅片的出貨面積依然創(chuàng)出季度新高，但同比環(huán)比的 增量皆較之前幾個(gè)季度有所下降。

晶圓代工價(jià)格將繼續(xù)下滑：隨著全球半導(dǎo)體進(jìn)入下行周期，需求減退，受到下游廠商去庫(kù)存策略的影響，群智咨詢預(yù)計(jì) 2022 年 Q4 晶圓廠成熟制程產(chǎn)能利用率進(jìn)一步下滑，代工價(jià)格將持續(xù)走低。其中 12 英寸 28/40nm 制程晶圓價(jià)格預(yù)計(jì)至 2023 年 底前有望維持穩(wěn)定；12 英寸 55-90nm 制程受下游客戶在 CIS、DDIC、MCU 等應(yīng)用的訂單修正，Q2 價(jià)格開(kāi)始松動(dòng)，中國(guó) 臺(tái)灣晶圓廠跟隨中國(guó)大陸也逐漸跟進(jìn)了降價(jià)策略，Q4 平均價(jià)格預(yù)計(jì)將繼續(xù)下降；受到 DDIC、PMIC 等砍單應(yīng)用的沖擊，8 英寸晶圓廠產(chǎn)能利用率下降明顯，價(jià)格策略普遍開(kāi)始松動(dòng)，Q4 晶圓代工價(jià)格預(yù)計(jì)有 3-5%的環(huán)比下滑。全球半導(dǎo)體行業(yè)資本支出將收縮：除了中芯國(guó)際逆勢(shì)上調(diào)了 2022 年資本開(kāi)支之外，各大代工廠、存儲(chǔ)廠紛紛下調(diào)了資本開(kāi) 支計(jì)劃。臺(tái)積電將 2022 年資本開(kāi)支預(yù)算從先前 400 億美元的下限下修至 360 億美元；聯(lián)電將今年中報(bào)上調(diào)的 36 億美元資 本支出重新調(diào)降至年初計(jì)劃的 30 億美元；美光宣布 2023 年財(cái)年資本支出削減約 30%，降至 80 億美元左右；SK 海力士預(yù) 計(jì) 2023 年的資本支出將比今年減少 50%以上；格芯將全年資本開(kāi)支從中報(bào)下修的 40 億美元再次下修至 30~33 億美元…… 資本支出的收縮可能帶來(lái)產(chǎn)能擴(kuò)張的降速，消費(fèi)電子等過(guò)剩領(lǐng)域的壓力在減緩。近期，IC Insights 也將今年全球半導(dǎo)體資本支出的預(yù)測(cè)增速下修為 19%，全年資本支出達(dá)到 1817 億美元，仍將達(dá)到歷史最 高水平，但明年存儲(chǔ)的資本支出將至少下降 25%，同時(shí)美國(guó)新制裁將限制中國(guó)半導(dǎo)體生產(chǎn)商采購(gòu)設(shè)備，預(yù)計(jì)將導(dǎo)致中國(guó)半 導(dǎo)體行業(yè)的投資預(yù)算在 2023 年削減 30%甚至更多，因此 2023 年全球半導(dǎo)體行業(yè)資本支出將下降 19%，出現(xiàn) 2009 年金融 危機(jī)之后的最大降幅。

2.2 需求端：全球半導(dǎo)體行業(yè)處于下探周期，但汽車 IC 增速最快

全球半導(dǎo)體行業(yè)處于下探周期，月增速已為負(fù)數(shù)：半導(dǎo)體行業(yè)具有典型的周期性特點(diǎn)，會(huì)經(jīng)歷需求爆發(fā)（新應(yīng)用刺激居多）、 漲價(jià)、擴(kuò)產(chǎn)、產(chǎn)能釋放、需求萎縮、產(chǎn)能過(guò)剩和價(jià)格下跌的往復(fù)波動(dòng)。行業(yè)在經(jīng)歷了 2021-2022H1 的較快增長(zhǎng)之后，地緣 政治、經(jīng)濟(jì)及下游主要應(yīng)用疲弱以及供應(yīng)鏈等問(wèn)題疊加的效應(yīng)加速顯現(xiàn)，行業(yè)月度增速進(jìn)入快速下行通道。2022 年 9 月的全球半導(dǎo)體銷售額為 470 億美元，環(huán)比下滑 0.5%，同比下滑 3.0%。分地區(qū)來(lái)看，2022 年 9 月當(dāng)月，中國(guó) 半導(dǎo)體銷售收入約 144.3 億美元，同比降幅（-14.4%）在主要地區(qū)中最大，而歐洲（12.4%）、美洲（11.5%）和日本（5.6%） 的銷售額同比增長(zhǎng)。從2022年前9個(gè)月累計(jì)銷售額來(lái)看，中國(guó)大陸半導(dǎo)體銷售收入約1455.1億美元，全球市場(chǎng)份額超32%。

“硅周期”和經(jīng)濟(jì)周期疊加：半導(dǎo)體技術(shù)作為經(jīng)濟(jì)數(shù)字化轉(zhuǎn)型的基石，正在為傳統(tǒng)行業(yè)賦能，此前的單一應(yīng)用，開(kāi)始走向多 元化，但也會(huì)受到宏觀經(jīng)濟(jì)的景氣度的影響。從全球來(lái)看，行業(yè)周期性表現(xiàn)的較為明顯，是硅周期和宏觀經(jīng)濟(jì)周期疊加的結(jié) 果。1）“硅周期”：3-5 年，產(chǎn)品創(chuàng)新應(yīng)用周期，歷次的泡沫都是硅周期的體現(xiàn)，比如 2000 年 IT泡沫、2016 年的內(nèi)存泡沫…… 2）宏觀經(jīng)濟(jì)周期：2008 年的金融危機(jī)，大幅下調(diào)；2019 年以來(lái)的疫情影響等；IMF 最新數(shù)據(jù)預(yù)計(jì)，2023 年全球宏觀經(jīng)濟(jì) 增速將觸底（2.7%），此后會(huì)逐步恢復(fù)，2024 年之后回到 3%以上。

智能手機(jī)、PC 市場(chǎng)低迷，有望先后進(jìn)入出貨量回升通道。智能手機(jī)換機(jī)周期已超過(guò) 40 個(gè)月，消費(fèi)者信心不足，出貨量連 續(xù) 5 個(gè)季度下降，Q3 絕對(duì)量（3.02 億部）已經(jīng)低于 2014 年同期的水平（3.33 億部）。根據(jù)Strategy Analytics 最新報(bào)告， 2022 年全球智能手機(jī)出貨量將同比下降 10%，下行軌跡將持續(xù)到 2023 年，但年增長(zhǎng)率將改善至-5%。隨著量產(chǎn)的持續(xù)， 5G 手機(jī)的價(jià)格會(huì)更快下降，市場(chǎng)接受度將持續(xù)提升，出貨量延續(xù)快速增長(zhǎng)，從而帶動(dòng)智能手機(jī)整體出貨量的回升。

PC 在 2022Q3 的出貨量為 7425.20 萬(wàn)臺(tái)，同比下降 15%，降幅較上季度有所擴(kuò)大。目前行業(yè)仍處在去庫(kù)存階段，下行的狀 態(tài)可能會(huì)持續(xù)到 2023 年下半年。由于微軟即將停止更新和服務(wù)支持，2024 年對(duì) Win 7 的更換將加快，處理器平臺(tái)性價(jià)比 也會(huì)因?yàn)楦?jìng)爭(zhēng)加劇而更有吸引力，出貨量可能實(shí)現(xiàn)正增長(zhǎng)，在 2024 年實(shí)現(xiàn)反彈。

數(shù)據(jù)中心需求也開(kāi)始承壓，但仍能保持增長(zhǎng)。無(wú)論是傳統(tǒng)數(shù)據(jù)中心還是云計(jì)算數(shù)據(jù)中心，都是邏輯、存儲(chǔ)芯片需求最為密集 的領(lǐng)域之一，一直以來(lái)該領(lǐng)域增長(zhǎng)較為快速，但由于經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)放緩和能源價(jià)格上漲，包括谷歌、亞馬遜、微軟等廠商，對(duì)今 年和下一年資本支出的態(tài)度都相對(duì)保守。Gartner 預(yù)計(jì)后續(xù)數(shù)據(jù)中心資本支出增速同樣在 2023 年探底，后續(xù)隨著市場(chǎng)的改 善，會(huì)略有提高，IDC 預(yù)計(jì)服務(wù)器及相關(guān)芯片需求增長(zhǎng)也會(huì)提速。

存儲(chǔ)芯片是半導(dǎo)體行業(yè)的先行指標(biāo)，價(jià)格仍在下跌：DRAM 和 NAND Flash 下游應(yīng)用中手機(jī)、PC 等消費(fèi)占了絕大多數(shù)份額， 其價(jià)格指數(shù)在持續(xù)調(diào)整。存儲(chǔ)對(duì)消費(fèi)電子市場(chǎng)非常依賴，超過(guò) 80%的收入來(lái)源于PC 和智能手機(jī)，其中PC 占比超過(guò) 50%。由于市場(chǎng)的低迷，內(nèi)存和閃存客戶端庫(kù)存壓力都非常高，價(jià)格壓力明顯。DRAM 今年客戶談價(jià)空間較大，價(jià)格下殺比較明顯。DDR4 8G 和 4G 產(chǎn)品分別從年初（1 月 19 日）的 7.70 美元和 3.75 美元，下跌到 12 月 2 日的 4.29 美元和 2.09 美元，降 幅均超過(guò) 44%；NAND 128G、64G 和 32G 也出現(xiàn)了連續(xù) 5 個(gè)月下跌（截至10 月）。

整體趨勢(shì)：市場(chǎng)萎縮已成共識(shí)，2023年可能是底部。WSTS 最新預(yù)計(jì) 2022 年全球半導(dǎo)體行業(yè)增速將顯著放緩至 4.4%，2023 年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)將下滑 4.1%，主要是受到存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)將繼續(xù)出現(xiàn) 17%下滑的拖累；IC Insights 最新預(yù)計(jì) 2022 年全球 半導(dǎo)體銷售額增速將降至 3%，然而受到需求疲軟、庫(kù)存高企等因素阻礙，2023 年銷售額將減少 5%，但在經(jīng)歷了 2023 年 的周期性下滑后，將出現(xiàn)反彈并在未來(lái)三年實(shí)現(xiàn)更強(qiáng)勁的增長(zhǎng)，到 2026 年的年復(fù)合增長(zhǎng)率為 6.5%；Gartner 預(yù)計(jì)今年全球 半導(dǎo)體收入增長(zhǎng) 4%，遠(yuǎn)低于 2021 年的 26.3%，2023 年全球半導(dǎo)體收入下修增速至-3.6%。Gartner 指出目前半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 由消費(fèi)者、企業(yè)驅(qū)動(dòng)的市場(chǎng)呈現(xiàn)兩極化，其中消費(fèi)市場(chǎng)受通貨膨脹、加息等因素影響，消費(fèi)者可支配收入下降，對(duì)電子產(chǎn)品 采購(gòu)產(chǎn)生負(fù)面連鎖效應(yīng)。可見(jiàn)，市場(chǎng)萎縮已成機(jī)構(gòu)共識(shí)，2023 年是行業(yè)底部可能性較大。支出趨弱且稼動(dòng)率降低可能帶來(lái)供需格局改變，各家產(chǎn)品開(kāi)始向車和新能源調(diào)整。我們預(yù)計(jì)，2024 年，行業(yè)有望開(kāi)始恢復(fù)， 關(guān)鍵在于全球半導(dǎo)體庫(kù)存周期的改變。主要原因來(lái)自兩個(gè)方面：1）資本支出的收縮，可能帶來(lái)產(chǎn)能擴(kuò)張的降速，消費(fèi)電子 等過(guò)剩領(lǐng)域的壓力在減緩；2）代工廠、存儲(chǔ)廠將考慮減產(chǎn)，控制產(chǎn)能利用率，消化客戶端庫(kù)存，預(yù)計(jì) 2024 年行業(yè)庫(kù)存水 平有機(jī)會(huì)回歸正常。其中新賽道如汽車、新能源等領(lǐng)域機(jī)會(huì)依然存在，設(shè)計(jì)、制造也積極向這些領(lǐng)域進(jìn)行調(diào)整，以彌補(bǔ)傳統(tǒng)消費(fèi)電子的下滑。例 如，代工廠、IDM 廠商也開(kāi)始發(fā)力汽車賽道：1）臺(tái)積電正在加大對(duì)汽車電子領(lǐng)域的產(chǎn)能傾斜力度，以彌補(bǔ)其 7nm 消費(fèi)電子 市場(chǎng)的低迷，其南京工廠、日本熊本的產(chǎn)線也是面向于車規(guī)產(chǎn)品；三星也正在規(guī)劃車規(guī)生產(chǎn)廠；聯(lián)電也獲得英飛凌、恩智浦、 德州儀器、微芯科技等大廠的認(rèn)證。2）中國(guó)大陸代工廠如華虹、中芯國(guó)際等也在轉(zhuǎn)向車規(guī)等賽道。

根據(jù)IC Insights 的數(shù)據(jù)，汽車芯片在全球IC終端應(yīng)用中的市場(chǎng)份額保持穩(wěn)定增長(zhǎng)，2021年約7.4%，在2022年將達(dá)到8.5%， 且預(yù)計(jì)在 2026 年上升至將近 10%，成為 2021-2026 年年復(fù)合增速最快（CAGR 約 13.4%）的終端市場(chǎng)。

2.3 應(yīng)用端之汽車：半導(dǎo)體加速“上車”，供需偏緊格局將持續(xù)

目前，汽車芯片已經(jīng)廣泛應(yīng)用在動(dòng)力系統(tǒng)、車身、座艙、底盤和安全等諸多領(lǐng)域。汽車芯片種類較為龐雜，主要分四類：一 是功能芯片，主要是指 MCU 和存儲(chǔ)器，其中 MCU 負(fù)責(zé)具體控制功能的實(shí)現(xiàn)，承擔(dān)設(shè)備內(nèi)多種數(shù)據(jù)的處理診斷和運(yùn)算；二 是主控芯片，在智能座艙、自動(dòng)駕駛等關(guān)鍵控制器中承擔(dān)核心處理運(yùn)算任務(wù)的 SoC，內(nèi)部集成了 CPU、GPU、NPU、ISP 等一系列運(yùn)算單元；三是功率半導(dǎo)體，主要是 IGBT和 MOSFET；四是傳感器芯片，包括導(dǎo)航、CIS 和雷達(dá)等。

新能源汽車滲透率提升，延續(xù)高增長(zhǎng)。根據(jù)EV Volumes 的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)，全球新能源汽車的滲透率都在持續(xù)提升，尤其是中國(guó) 作為全球最大的汽車市場(chǎng)，受益于汽車電動(dòng)化的發(fā)展趨勢(shì)，以及“碳中和”目標(biāo)、《新能源汽車產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃（2021-2035 年）》等政策的提出，EV Volumes 統(tǒng)計(jì)中國(guó)的新能源汽車滲透率從 2021 年的 14.2%大幅提升至 22Q3 的 26.7%。

車用半導(dǎo)體單車價(jià)值量翻倍。隨著經(jīng)濟(jì)和社會(huì)的快速發(fā)展，汽車不再只是單純的代步工具，而是逐漸向著電子化的方向發(fā)展 升級(jí)。未來(lái)，汽車的電動(dòng)化、聯(lián)網(wǎng)化、智能化將催生汽車電子化進(jìn)入新的發(fā)展階段。新能源汽車相比于傳統(tǒng)的燃油車新增了 電池、電機(jī)、電控“三電”系統(tǒng)，從而帶動(dòng)相關(guān)半導(dǎo)體器件獲得顯著的增量需求。根據(jù) Strategy Analytics 的數(shù)據(jù)，2021 年 電動(dòng)車平均單車半導(dǎo)體價(jià)值量已達(dá)到 1000 美元，相比傳統(tǒng)內(nèi)燃車提升了一倍，其中價(jià)值量提升最多的是功率半導(dǎo)體，預(yù)計(jì) 到 2027 年純電動(dòng)車的單車半導(dǎo)體價(jià)值量將達(dá)到將近 1500 美元。除了功率器件之外，模擬、邏輯、MCU 等集成電路也是重 要增長(zhǎng)點(diǎn)。

根據(jù) Strategy Analytics 的數(shù)據(jù)，2021 年汽車半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模約 467 億美元，同比增長(zhǎng) 31.5%。前五大供應(yīng)商均為海外公司， 其中英飛凌排名第一，占據(jù) 12.7%的市場(chǎng)份額，緊隨其后的是恩智浦（11.8%），其次分別是瑞薩、德州儀器和意法半導(dǎo)體， CR5 約 48.5%。

全面“缺芯”困局有所紓解，但部分芯片依然供應(yīng)緊張。根據(jù) Auto Forecast Solutions 統(tǒng)計(jì)，由于芯片短缺，2021年全球 汽車市場(chǎng)累計(jì)減產(chǎn)量達(dá) 1020 萬(wàn)輛。而截至10 月 30 日，今年全球汽車市場(chǎng)因“缺芯”累計(jì)減產(chǎn)約390.5 萬(wàn)輛。AFS 預(yù)測(cè) 至 22 年底，全球汽車市場(chǎng)累計(jì)減產(chǎn)量將攀升至427.85 萬(wàn)輛，可能要到 2023 年甚至更久才能從芯片短缺中恢復(fù)過(guò)來(lái)。

2.3.1 功率器件：主流廠商已量產(chǎn)，模塊裝機(jī)量持續(xù)提升

相較于燃油車，電動(dòng)車中的功率器件對(duì)工作電流和電壓有更高要求，是新能源汽車電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制系統(tǒng)、整車熱管理系統(tǒng)、充 電逆變系統(tǒng)等的核心元器件，在新能源汽車領(lǐng)域中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。尤其是 MOSFET 和 IGBT，是新能源汽車電驅(qū) 動(dòng)系統(tǒng)的重要組成部分，很大程度上決定了功率密度、系統(tǒng)效率、可靠性和安全性，是汽車電子的核心。根據(jù)集邦咨詢的預(yù)測(cè)，受益于新能源汽車和工業(yè)領(lǐng)域的需求大幅增加，中國(guó) IGBT市場(chǎng)規(guī)模將持續(xù)增長(zhǎng)，2025 年中國(guó) IGBT 市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到 522 億人民幣，年復(fù)合增速達(dá)到 19%以上，是細(xì)分市場(chǎng)中發(fā)展最快的半導(dǎo)體功率器件。其中中國(guó)新能源汽 車所用 IGBT市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到 210 億元，與充電樁用 IGBT合計(jì) 310 億元。

在車載功率半導(dǎo)體細(xì)分領(lǐng)域，前五大供應(yīng)商主要是英飛凌、意法半導(dǎo)體、德州儀器、安森美、羅姆，英飛凌排名第一，市占 率為 31.7%，CR5 達(dá) 72.7%。雖然國(guó)外巨頭起步早且設(shè)備工藝經(jīng)驗(yàn)豐富，而國(guó)內(nèi)企業(yè)產(chǎn)業(yè)化起步較晚，但國(guó)內(nèi)具備核心競(jìng) 爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)的廠商已著手布局附加值更高的高壓 MOSFET、IGBT等中高端產(chǎn)品，目前斯達(dá)半導(dǎo)、時(shí)代電氣、比亞迪半導(dǎo)體、士 蘭微等已可實(shí)現(xiàn)車規(guī)級(jí)中高端產(chǎn)品量產(chǎn)出貨。隨著國(guó)內(nèi)企業(yè)品牌知名度不斷提升以及產(chǎn)品的不斷創(chuàng)新升級(jí)，國(guó)內(nèi)龍頭廠商產(chǎn) 品的市場(chǎng)占有率將得到提高。

根據(jù) NE 時(shí)代的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)，2022 年 1-9 月中國(guó)乘用車功率模塊裝機(jī)量中（統(tǒng)計(jì)口徑參照中國(guó)本土乘用車上險(xiǎn)數(shù)據(jù)按照電控 數(shù)量統(tǒng)計(jì)，未統(tǒng)計(jì)出口車和低壓 MOS 車型），英飛凌仍位居第一，累計(jì)裝機(jī) 88.6 萬(wàn)套，市場(chǎng)份額 25.7%，其次分別是比亞 迪半導(dǎo)體（累計(jì)裝機(jī) 72.4 萬(wàn)套，市場(chǎng)份額 21.1%）、斯達(dá)半導(dǎo)（累計(jì)裝機(jī) 54.3 萬(wàn)套，市場(chǎng)份額 15.8%）、中車時(shí)代（累計(jì)裝 機(jī) 41.1 萬(wàn)套，市場(chǎng)份額 12%）和ST（累計(jì)裝機(jī) 32.0 萬(wàn)套，市場(chǎng)份額 9.3%）。

2.3.2 碳化硅：“上車”速度超預(yù)期，供需處于兩旺狀態(tài)

SiC 是第三代寬禁帶化合物半導(dǎo)體材料的代表之一，因其具有禁帶寬度大、熱導(dǎo)率高、電子飽和遷移速率高、臨界擊穿電場(chǎng) 高、抗輻射能力強(qiáng)等特性，特別適用于高壓、高頻、高溫、大功率等工作環(huán)境，近年來(lái)發(fā)展迅速。與硅基功率器件相比，SiC 功率器件具備高頻、高壓、耐高溫、開(kāi)關(guān)損耗小、導(dǎo)通電阻低等顯著優(yōu)勢(shì)，可提高功率密度和效率，同時(shí)有效降低能耗，減 小體積，能夠應(yīng)用于新能源汽車、新能源發(fā)電、軌道交通、智能電網(wǎng)等各個(gè)領(lǐng)域。

新能源汽車是 SiC 最重要的應(yīng)用領(lǐng)域，也是最大的驅(qū)動(dòng)市場(chǎng)，主要用于驅(qū)動(dòng)和控制電機(jī)的逆變器、DC/DC 轉(zhuǎn)換、車載充電 器 OBC 和快速充電樁。SiC 作為下一代新能源汽車電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制系統(tǒng)的理想器件，可降低設(shè)備能耗、縮小設(shè)備體積、提升 整車工作效率和性能穩(wěn)定性。SiC MOSFET 與硅基 IGBT相比，其產(chǎn)品尺寸、重量、能耗大幅減小，可以有效提升新能源汽 車電池的電能轉(zhuǎn)化效率，從而提高續(xù)航能力，同時(shí)還可以優(yōu)化電機(jī)控制器的結(jié)構(gòu)，節(jié)省成本，實(shí)現(xiàn)小型化、輕量化。根據(jù) Yole 的報(bào)告，電動(dòng)車中 SiC 價(jià)值量的 90%都在逆變器中，電動(dòng)車用碳化硅的市場(chǎng)規(guī)模將從 2022 年的 10.55 億美元攀升至 2027 年的 49.86 億美元，年復(fù)合增速達(dá) 39%。根據(jù)英飛凌的財(cái)報(bào)信息，到 2030 年電動(dòng)車上 SiC 應(yīng)用的市場(chǎng)空間將超過(guò)Si。

應(yīng)用端看，目前已有部分以特斯拉為代表的中高端車型已經(jīng)啟用SiC 方案。2018 年，特斯拉率先在高端車型 Model 3 中搭 載了采用 24 個(gè) 650V、100A 全SiC MOSFET 模塊的主逆變器，電能轉(zhuǎn)換效率的提升使得續(xù)航里程提升 5~10%，同時(shí)車身 比Model S 減輕了20%。隨后博世等多家Tier1制造商以及比亞迪、蔚來(lái)、小鵬等車企都宣布在部分產(chǎn)品中采用 SiC MOSFET 方案。2022 年，由于電動(dòng)車滲透率疊加電動(dòng)車中碳化硅接納度的雙提升，SiC 在汽車領(lǐng)域的應(yīng)用速度超出預(yù)期。

目前供應(yīng)量、良率與成本等因素依然是制約 SiC 商業(yè)化進(jìn)程的掣肘。SiC 晶片的制備需要在 2500℃的高溫環(huán)境中生長(zhǎng)出大 尺寸、高品質(zhì)、單一晶型的晶體（碳化硅可以形成 200+晶體結(jié)構(gòu)，只有一種晶型可用于功率應(yīng)用），生長(zhǎng)速率慢，且質(zhì)地堅(jiān) 硬，切割、研磨、拋光等加工難度也較大，技術(shù)門檻高。目前國(guó)際主流 SiC 襯底尺寸為 4 英寸和 6 英寸，晶圓面積較小、 芯片切割效率低，單晶襯底及外延良率也較低，疊加后續(xù)晶圓制造、封裝良率較低，導(dǎo)致 SiC 器件整體價(jià)格仍數(shù)倍于硅基器 件。尤其是SiC 襯底制備難度高，成本占元件總成本約 50%，目前國(guó)外的Wolfspeed、II-VI 和 SiCrystal（Rohm 旗下）占 據(jù)近 90%出貨量。下游應(yīng)用領(lǐng)域仍需平衡采納 SiC 器件的高成本與 SiC 器件優(yōu)越性能帶來(lái)的系統(tǒng)范圍內(nèi)的成本下降，短期 內(nèi)一定程度上限制了 SiC 的滲透率。未來(lái)隨著產(chǎn)線良率將逐步提高，同時(shí)擴(kuò)產(chǎn)將逐漸形成規(guī)模效應(yīng)，SiC 制造成本有望下降， 下游應(yīng)用領(lǐng)域?qū)⒊掷m(xù)拓展和深化。鑒于此，國(guó)際半導(dǎo)體龍頭企業(yè)紛紛在碳化硅領(lǐng)域加速布局。在供給端，無(wú)論是更上游的碳化硅襯底片、外延片領(lǐng)域，還是中游的芯片，國(guó)內(nèi)外廠商也都在積極擴(kuò)產(chǎn)。國(guó)外的龍頭Wolfspeed、 英飛凌、安森美等紛紛宣布了擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃；國(guó)內(nèi)來(lái)看，天岳先進(jìn)、三安光電均在大舉投資SiC 襯底材料，功率器件廠商斯達(dá)半 導(dǎo)、時(shí)代電氣、士蘭微等也在投建 SiC 芯片產(chǎn)線，搶占第三代半導(dǎo)體的制高點(diǎn)。

2.3.3 MCU：高端需求快速增長(zhǎng)，正在走向高度集成化

汽車電子對(duì) MCU 的性能要求很高，同時(shí)也是 MCU 最大的應(yīng)用領(lǐng)域，2021 年在 MCU 市場(chǎng)中的份額達(dá)到 36.4%。MCU 是 汽車功能芯片的主角，以一輛奧迪豪華型 SUV 為例，根據(jù) IHS 的報(bào)告，共使用了 38 顆MCU，其中動(dòng)力域使用了 2顆，底 盤和安全域使用了 12 顆，ADAS 使用了 6 顆，信息娛樂(lè)使用了8 顆，車身和便利使用了 10 顆。

隨著汽車的“新四化”帶來(lái)的技術(shù)變革，智能座艙、高精度地圖、車身電子等應(yīng)用對(duì) MCU 需求量大增，所需的 MCU 數(shù)量 和單價(jià)均會(huì)提升，扮演的角色也日益重要。大到動(dòng)力系統(tǒng)、車身控制、電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制系統(tǒng)、儀表盤、車載影音娛樂(lè)系統(tǒng)、高 級(jí)安全系統(tǒng)、ADAS 系統(tǒng)，小到車窗、雨刮、電動(dòng)座椅、倒車?yán)走_(dá)和車鑰匙等都需要 MCU 進(jìn)行控制，一輛電動(dòng)汽車上的 MCU 數(shù)量可達(dá)幾十顆甚至上百顆。尤其是油門控制系統(tǒng)、自動(dòng)泊車、先進(jìn)巡航控制、防撞系統(tǒng)等ADAS 系統(tǒng)對(duì) 32 位MCU 芯片需求量將大幅度提升。當(dāng)前，汽車電子電氣架構(gòu)正在經(jīng)歷從分布式架構(gòu)到基于域的集中式架構(gòu)再到域融合（中央集成）的帶狀架構(gòu)的重構(gòu)歷程，未 來(lái)幾年，相應(yīng)的高性能 MCU 需要實(shí)現(xiàn)高度的集成化，對(duì) MCU 的需求和性能要求也會(huì)隨之發(fā)生變化。根據(jù)群智咨詢的統(tǒng)計(jì)，2022 年 Q3車用 MCU 市場(chǎng)價(jià)格漲幅約 5-10%，主要系下游新能源汽車產(chǎn)銷量增長(zhǎng)迅猛，車用MCU 的需求量日益旺盛，短期內(nèi)價(jià)格難下。根據(jù) IC Insights 的預(yù)測(cè)，車載 MCU 市場(chǎng)規(guī)模將實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定增長(zhǎng)，2023 年可能實(shí)現(xiàn)微 增，到 2026 年有希望市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到 125 億美元。目前，全球 MCU 供應(yīng)商以國(guó)外廠商為主，行業(yè)集中度相對(duì)較高，尤其是 在車載 MCU 細(xì)分領(lǐng)域，市場(chǎng)主要由瑞薩、恩智浦、英飛凌、德州儀器、微芯科技占據(jù)，瑞薩排名第一，市占率為 28.8%， CR5 高達(dá) 90.5%，國(guó)內(nèi)廠商目前競(jìng)爭(zhēng)力正在形成中。

由于車規(guī)級(jí)MCU 認(rèn)證門檻高、認(rèn)證周期長(zhǎng)，對(duì)可靠性、安全性、一致性、壽命、良率要求很高，我國(guó) MCU 芯片的國(guó)產(chǎn)自 給率偏低，且國(guó)內(nèi)大部分廠商的 MCU 產(chǎn)品主要集中在消費(fèi)電子和家電等中低端領(lǐng)域，汽車、工業(yè)等高端領(lǐng)域下游大量需求 長(zhǎng)期被國(guó)外廠商占據(jù)，但目前國(guó)內(nèi)也已有不少?gòu)S家在布局車規(guī)級(jí) MCU，如芯旺微、杰發(fā)科技、芯馳科技、比亞迪半導(dǎo)體以 及兆易創(chuàng)新等。

2.3.4 模擬 IC：應(yīng)用最廣，助力電子系統(tǒng)“安全+智能”

與傳統(tǒng)通訊市場(chǎng)相比，現(xiàn)代新能源電動(dòng)汽車電子系統(tǒng)追求“安全+智能”，要求更加高效低功耗、更加集成化、更加智能化、 更加內(nèi)核數(shù)智化。其中安全重要性居首位，要求電子系統(tǒng)與電源做到有效的安全隔離，模擬隔離芯片起到了關(guān)鍵作用。智能 即是電車智能化，指智能駕駛輔助系統(tǒng)ADAS和影音娛樂(lè)系統(tǒng)，智能駕駛和影音娛樂(lè)因脫離了人的主動(dòng)駕駛，需要極高要求 的毫米波雷達(dá)、監(jiān)控?cái)z像系統(tǒng)、車聯(lián)控制模塊、電源輔助模塊等，離不開(kāi)高性能的模擬芯片如放大器、傳感器、接口產(chǎn)品、 電源管理產(chǎn)品等。

模擬芯片在新能源電動(dòng)汽車電子系統(tǒng)領(lǐng)域承擔(dān)著重要作用，覆蓋發(fā)動(dòng)機(jī)進(jìn)氣歧管、機(jī)油/剎車、空調(diào)壓力、動(dòng)力總成、汽油 尾氣檢測(cè)、車載電池管理等。從市場(chǎng)規(guī)模來(lái)看，隨著新能源汽車的快速發(fā)展，模擬芯片的市場(chǎng)規(guī)模呈現(xiàn)逐年增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。根據(jù) IC Insights 數(shù)據(jù)推測(cè)，預(yù)計(jì)到 2026 年，全球車載模擬芯片預(yù)計(jì)將較 2021 年接近翻番，接近 310 億美元，受半導(dǎo)體行業(yè)周 期波動(dòng)影響較小。

車規(guī)級(jí)模擬芯片領(lǐng)域具有較為嚴(yán)格的進(jìn)入標(biāo)準(zhǔn)，如可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q 系列和功能安全標(biāo)準(zhǔn) ISO 26262 標(biāo)準(zhǔn)等，要求更高的 性能保障、更嚴(yán)格的安全保障以及更加可靠的實(shí)用性。早期國(guó)內(nèi)模擬芯片公司相對(duì)聚焦在消費(fèi)類，在車規(guī)模擬領(lǐng)域起步比較 晚，隨著下游新能源汽車的需求爆發(fā)，國(guó)內(nèi)傳統(tǒng)模擬企業(yè)紛紛切換到車規(guī)模擬賽道，如納芯微早于 2016 年即開(kāi)始布局，具 有一定的先發(fā)優(yōu)勢(shì)，經(jīng)過(guò)近六年的發(fā)展，現(xiàn)已躋身國(guó)內(nèi)模擬隔離芯片龍頭，而傳統(tǒng)模擬廠商圣邦股份、思瑞浦、希荻微等企 業(yè)緊隨其后，利用其技術(shù)積累與上下游產(chǎn)業(yè)鏈優(yōu)勢(shì)，不斷豐富車規(guī)模擬芯片布局。

2.4 應(yīng)用端之可再生能源：“風(fēng)光儲(chǔ)”裝機(jī)量快速增長(zhǎng)拉動(dòng)功率半導(dǎo)體需求

隨著節(jié)能減排需求的提升，全球已有多個(gè)國(guó)家提出“零碳”或“碳中和”的發(fā)展目標(biāo)，全球的太陽(yáng)能光伏發(fā)電、風(fēng)電、儲(chǔ)能 等可再生能源行業(yè)發(fā)展迅猛，新增裝機(jī)量快速增長(zhǎng)。

在光伏發(fā)電方面，根據(jù) CPIA 的數(shù)據(jù)，2021 年全球光伏新增裝機(jī)量為 170GW，其中中國(guó)光伏新增裝機(jī) 54.88GW。CPIA 樂(lè) 觀預(yù)測(cè)下，2025 年全球光伏新增裝機(jī)量將達(dá)到 330GW；我國(guó) 2025 年光伏新增裝機(jī)量將達(dá)到 110GW。在風(fēng)力發(fā)電方面， 根據(jù) GWEC的數(shù)據(jù)，2021 年全球風(fēng)電新增裝機(jī)（并網(wǎng)容量）93.6GW，中國(guó)裝機(jī)占比 50.91%，預(yù)計(jì)未來(lái) 5 年 CAGR 約 6.6%， 2025 年全球風(fēng)電新增裝機(jī)量達(dá)到 119.4GW。在儲(chǔ)能方面，根據(jù)BNEF的數(shù)據(jù)，2021 年全球儲(chǔ)能新增裝機(jī) 10GW/22GWh， 中國(guó)儲(chǔ)能新增裝機(jī) 2.45GW/4.61GWh，而隨著光伏風(fēng)電配儲(chǔ)率的提高，預(yù)計(jì)未來(lái)幾年儲(chǔ)能行業(yè)將飛速發(fā)展，根據(jù)《儲(chǔ)能產(chǎn) 業(yè)研究白皮書 2021》預(yù)測(cè)，樂(lè)觀場(chǎng)景下 2025 年電化學(xué)儲(chǔ)能累計(jì)投運(yùn)規(guī)模有望達(dá)到 55.9GW，對(duì)應(yīng) 2022-2025 年間，電化 學(xué)儲(chǔ)能新增裝機(jī)量年均增速為 62.7%。功率半導(dǎo)體是發(fā)電、輸電、變配電、用電、儲(chǔ)能等領(lǐng)域的基礎(chǔ)核心部件，以 MOSFET、IGBT為代表的功率半導(dǎo)體和模組是 電力轉(zhuǎn)換和控制的核心元器件，能起到提高轉(zhuǎn)換效率和電流密度的作用。由于需要輸出符合電網(wǎng)要求的交流電，新能源發(fā)電 增加了大量對(duì)于整流器、逆變器及變壓器的需求，由于逆變器/變流器是“風(fēng)光儲(chǔ)”系統(tǒng)的核心設(shè)備，二極管、MOSFET、 IGBT等功率半導(dǎo)體因此應(yīng)用廣泛。根據(jù)英飛凌的數(shù)據(jù)，在風(fēng)能發(fā)電中，功率半導(dǎo)體的價(jià)值量在 2000~3500 歐元/MW；在光伏發(fā)電中，功率半導(dǎo)體的價(jià)值量在 2000~5000 歐元/MW；在儲(chǔ)能系統(tǒng)中，功率半導(dǎo)體的價(jià)值量在 2500~3500 歐元/MW。假設(shè)風(fēng)能、光伏、儲(chǔ)能應(yīng)用中功率半 導(dǎo)體的價(jià)值量分別均取中值 2750、3500、3000 歐元/MW，對(duì)應(yīng) 2021 年全球風(fēng)電、光伏、儲(chǔ)能領(lǐng)域功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模分 別大約是 19.2 億元、44.4 億元和 2.2 億元人民幣（假設(shè)匯率1 歐元=7.4578 人民幣），合計(jì)約 66 億元。

國(guó)內(nèi)供應(yīng)商在核心器件取得突破?！帮L(fēng)光儲(chǔ)”是國(guó)內(nèi)功率廠商進(jìn)入最晚的市場(chǎng)，國(guó)產(chǎn)化率最低。以最大的光伏市場(chǎng)為例，光 伏芯片開(kāi)關(guān)頻率高，能量轉(zhuǎn)換效率要求高。2021 年斯達(dá)半導(dǎo)、士蘭微、新潔能、時(shí)代電氣、宏微科技抓住了分布式光伏用 IGBT 缺貨的歷史機(jī)遇，切入了光伏市場(chǎng)。根據(jù) Wood Mackenzie 的數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)，2021 年全球光伏逆變器市場(chǎng)前五均為中國(guó)公司，分別是國(guó)內(nèi)的華為、陽(yáng)光電源、古瑞瓦特、錦浪、固德威。其中華為保持第一 23%的市場(chǎng)份額，陽(yáng)光電源緊隨其后， 且從 2020 年的 19%提升到了 21%，同時(shí)古瑞瓦特取代了原先的 SMA 躋身前三，前三在全球光伏逆變器市場(chǎng)占有率過(guò)半。光伏逆變器的競(jìng)爭(zhēng)格局較為集中，且由國(guó)內(nèi)逆變器龍頭主導(dǎo)，有利于國(guó)內(nèi)上游半導(dǎo)體器件供應(yīng)商實(shí)現(xiàn)核心器件國(guó)產(chǎn)替代的里 程碑式突破。

電子測(cè)量?jī)x器是 5G、人工智能、新能源、航空航天、國(guó)防軍工等行業(yè)的基礎(chǔ)設(shè)備，推動(dòng)各產(chǎn)業(yè)不斷進(jìn)行轉(zhuǎn)型升級(jí)與技術(shù)創(chuàng) 新，是工業(yè)、半導(dǎo)體等智能制造領(lǐng)域發(fā)展的加速器。電子測(cè)量?jī)x器屬于精密儀器領(lǐng)域，高端儀器以及生產(chǎn)儀器所必需的 ADC/DAC/FPGA 等芯片掌握在美國(guó)等西方國(guó)家手里。近年來(lái)，瓦森納協(xié)議、美國(guó)芯片法案、是德科技 Keysight 出口管控等 一系列的制裁措施，意圖打壓國(guó)內(nèi)電子測(cè)量?jī)x器企業(yè)的高端突破。隨著工業(yè)信息化產(chǎn)業(yè)的不斷發(fā)展，電子測(cè)量?jī)x器的國(guó)產(chǎn)替 代重要性凸顯，國(guó)務(wù)院及各單位鼓勵(lì)政策連續(xù)出臺(tái)，國(guó)內(nèi)電子測(cè)量?jī)x器廠商開(kāi)始嶄露頭角，自主可控勢(shì)在必行。

3.1 電子測(cè)量?jī)x器是工業(yè)、半導(dǎo)體等智能制造的加速器

半導(dǎo)體集成電路經(jīng)歷從實(shí)驗(yàn)室研發(fā)階段、客戶端產(chǎn)品認(rèn)證階段到大規(guī)模量產(chǎn)階段等，每一個(gè)階段都需要經(jīng)過(guò)專業(yè)的標(biāo)準(zhǔn)化測(cè) 試，而電子測(cè)量?jī)x器即是一桿秤，用來(lái)衡量產(chǎn)品是否達(dá)到性能指標(biāo)要求，從而進(jìn)入下一個(gè)環(huán)節(jié)進(jìn)行驗(yàn)證。因此，電子測(cè)量?jī)x 器的需求將伴隨著半導(dǎo)體集成電路生命周期的每一個(gè)階段，是工業(yè)、半導(dǎo)體等高端智能制造的加速器。一般來(lái)說(shuō)，電子測(cè)量?jī)x器分為專用測(cè)量?jī)x器和通用測(cè)量?jī)x器，專用測(cè)量?jī)x器屬于偏定制化儀器，針對(duì)不同產(chǎn)品不同應(yīng)用，提出不同的測(cè)量需求，這類測(cè)量?jī)x器具有客戶粘性高、因定制化帶來(lái)的技術(shù)門檻高、應(yīng)用范圍較小、需求量不高等特點(diǎn)，如光 纖測(cè)試儀器、電磁兼容EMC 測(cè)試設(shè)備等。通用測(cè)量?jī)x器主要用來(lái)測(cè)試電信號(hào)基本參量，包括示波器、射頻類儀器、波形發(fā) 生器、電源及電子負(fù)載和其他儀器等，其中射頻類儀器包括頻譜（信號(hào)）分析儀、微波射頻源、矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀、微波功率 計(jì)等，每個(gè)儀器分類針對(duì)不同的產(chǎn)品測(cè)試要求，具有應(yīng)用范圍廣、市場(chǎng)需求量大等特點(diǎn)。

電子測(cè)量?jī)x器主要實(shí)現(xiàn)對(duì)電子產(chǎn)品各項(xiàng)性能的測(cè)試檢測(cè)功能，將貫穿電子產(chǎn)品生命周期，同時(shí)也滲透進(jìn)電子產(chǎn)品的各個(gè)下游 應(yīng)用領(lǐng)域，如電子暗室測(cè)試、物聯(lián)網(wǎng)、醫(yī)療電子、航空與國(guó)防研究所、汽車電子、教育與科學(xué)研究等。

從市場(chǎng)規(guī)模來(lái)看，得益于電子測(cè)量?jī)x器的廣泛應(yīng)用，2015-2018 年全球及中國(guó)的電子測(cè)量?jī)x器市場(chǎng)規(guī)模實(shí)現(xiàn)穩(wěn)步增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。2019 年受中美貿(mào)易摩擦影響，全球及中國(guó)的電子測(cè)量?jī)x器市場(chǎng)規(guī)模出現(xiàn)較大幅度下滑，2020 年開(kāi)始隨著下游行業(yè)的需求持 續(xù)，根據(jù) Frost&Sullivan 推測(cè)，預(yù)計(jì)到 2025 年全球電子測(cè)量?jī)x器市場(chǎng)規(guī)模將達(dá) 1257 億元，2019-2025 年的年復(fù)合增長(zhǎng)率 為 5.3%；2025 年中國(guó)電子測(cè)量?jī)x器市場(chǎng)規(guī)模將達(dá) 467 億元，2019-2025 年的年復(fù)合增長(zhǎng)率為6.5%。從下游應(yīng)用來(lái)看，根據(jù) Frost&Sullivan 推測(cè)，2025 年全球電子測(cè)量?jī)x器下游應(yīng)用市場(chǎng)份額中，通信、航空航天與消防、消 費(fèi)電子、交通、半導(dǎo)體、工業(yè)電子、醫(yī)療、能源等分別占據(jù) 39%/15%/11%/10%/5%/5%/6%/8%。下游應(yīng)用相對(duì)廣泛，對(duì)電 子測(cè)量?jī)x器市場(chǎng)抵抗某單一行業(yè)周期波動(dòng)起到一定利好作用。

3.2 美國(guó)制裁不斷，電子測(cè)量?jī)x器自主可控是必經(jīng)之路

全球著名模擬芯片龍頭廠商德州儀器 Texas Instruments 提供常規(guī)的電子測(cè)量?jī)x器功能模塊，國(guó)內(nèi)電子測(cè)量?jī)x器廠商早期發(fā) 展模式一般是通過(guò)從德州儀器等國(guó)際廠商購(gòu)置核心功能模塊，然后加上自主研發(fā)的軟硬件及算法等核心技術(shù)，可設(shè)計(jì)出滿足 不同測(cè)試功能的電子測(cè)量?jī)x器。

高端 ADC/DAC 芯片、FPGA 芯片是電子測(cè)量的核心零部件，供應(yīng)商主要以德州儀器、賽靈思、英特爾等國(guó)外企業(yè)為主，國(guó) 內(nèi)芯片企業(yè)暫時(shí)不具備此類芯片的自主研發(fā)能力。美國(guó)為了維護(hù)其國(guó)防軍事實(shí)力以及高端制造等領(lǐng)域的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)，不斷對(duì)中 國(guó)進(jìn)行高端芯片的出口限制、以及高端電子測(cè)量?jī)x器出口管制。

事件一：瓦森納協(xié)定，是一項(xiàng)于最初簽訂于 1996 年 5 月 12 日、專門管制傳統(tǒng)武器及軍商兩用貨品的多邊出口控制機(jī)制的 協(xié)定，目前含 42 個(gè)成員國(guó)家，并不斷補(bǔ)充限制物項(xiàng)清單和增加國(guó)家成員名單。其中電子測(cè)量?jī)x器所必需的高端ADC、FPGA 等芯片屬于出口管制的范圍之列，中國(guó)也屬于受限制的國(guó)家之一。高端ADC 芯片禁運(yùn)范圍主要是精度超過(guò) 8 位 1.3Gsps 以 及 16 位以上采樣率超過(guò) 65MSPS 的芯片。例如在絕大多數(shù)示波器產(chǎn)品中，使用的ADC 芯片都需要美國(guó)政府的同意才能進(jìn) 口，同時(shí)要承諾不被轉(zhuǎn)用軍事用途。國(guó)內(nèi)電子測(cè)量?jī)x器廠商雖然出口數(shù)量較多，但大多都是中低端儀器，受制于高速高精度 ADC/DAC 芯片的出口管控，目前高端儀器較大程度依賴進(jìn)口。

事件二：2021 年 8 月，美國(guó)政府因國(guó)際電子測(cè)量?jī)x器龍頭廠商是德科技 Keysight 向中國(guó)和俄羅斯等 15 個(gè)國(guó)家出售用來(lái)“模 擬電子戰(zhàn)的形式以及建?！钡亩?***場(chǎng)景生成器，對(duì)其罰款 660 萬(wàn)美元，或?qū)⑵仁故堑驴萍紘?yán)格執(zhí)行禁運(yùn)性清單，阻止其 部分高端儀器對(duì)中國(guó)的出口。是德科技被禁運(yùn)儀器主要為多****場(chǎng)景生成器，具有電子戰(zhàn)系統(tǒng)測(cè)量、雷達(dá)/通信系統(tǒng)開(kāi)發(fā)、 脈沖****控制和多****機(jī)場(chǎng)景模擬等應(yīng)用方向，下游應(yīng)用場(chǎng)景主要有電子對(duì)抗、航空航天、國(guó)防軍工以及雷達(dá)等，其被禁 運(yùn)主要因?yàn)槠湓谲娛伦鲬?zhàn)上起到的關(guān)鍵作用，意圖打擊中國(guó)以及俄羅斯的軍事實(shí)力，保護(hù)美國(guó)的自身利益。

競(jìng)爭(zhēng)格局：電子測(cè)量?jī)x器屬于精密儀器領(lǐng)域，國(guó)外起步早，且與德州儀器等芯片廠商、蘋果微軟等應(yīng)用廠商深度合作，外加上美國(guó)對(duì)高端 ADC、DAC 芯片以及 FPGA 芯片的禁運(yùn)，全球電子測(cè)量?jī)x器市場(chǎng)前排一直被國(guó)際廠商占據(jù)著。根據(jù) Frost&Sullivan 統(tǒng)計(jì)，2019 年全球電子測(cè)量?jī)x器市場(chǎng)占比前五的公司分別為是德科技 Keysight、羅德與施瓦茨 Rohde & Schwarz、安立 Anritsu、泰克 Tektronix 和力科 LeCroy，累計(jì)占據(jù)全球市場(chǎng)份額的 48.7%，其中是德科技以 25.9%的市場(chǎng) 份額領(lǐng)跑全球。從國(guó)內(nèi)競(jìng)爭(zhēng)格局來(lái)看，2019 年我國(guó)電子測(cè)量?jī)x器市場(chǎng)占比前五的公司與全球市場(chǎng)相同，前五大廠商共占據(jù) 43.2%的市場(chǎng)份額。這些前排國(guó)際廠商電子測(cè)量?jī)x器種類齊全，其中是德科技還具有一系列的配合自身測(cè)量?jī)x器的 EDA 軟 件工具，具有非常深厚的技術(shù)積累和良好的市場(chǎng)口碑，穩(wěn)居國(guó)際國(guó)內(nèi)電子測(cè)量?jī)x器市場(chǎng)龍頭地位。

3.3 政策加持+技術(shù)推動(dòng)，國(guó)內(nèi)企業(yè)在細(xì)分賽道正發(fā)力

受下游應(yīng)用的推動(dòng)以及國(guó)產(chǎn)替代的必須性，電子測(cè)量?jī)x器自主可控的重要性不言而喻。但因其賽道的特殊性，部分高端 ADC/DAC、FPGA 芯片被禁運(yùn)的背景下，單靠行業(yè)自身驅(qū)動(dòng)力還不夠，因此國(guó)務(wù)院及各單位紛紛出臺(tái)支持電子測(cè)量?jī)x器行 業(yè)發(fā)展的激勵(lì)政策，包括貸款額度的發(fā)放及貼息、高校研究所儀器設(shè)備更新升級(jí)、鼓勵(lì)優(yōu)先使用國(guó)產(chǎn)儀器、設(shè)立專項(xiàng)項(xiàng)目、 攻克高端芯片難題等等。

在下游行業(yè)需求推動(dòng)、國(guó)務(wù)院及各單位的支持政策激勵(lì)下，國(guó)內(nèi)誕生出一批優(yōu)秀的電子測(cè)量?jī)x器企業(yè)，主要有普源精電、鼎 陽(yáng)科技、坤恒順維以及未上市的電科思儀等。每家公司發(fā)展模式及產(chǎn)品側(cè)重方向略有不同，均在各自賽道上不斷發(fā)力。

（本文僅供參考，不代表我們的任何投資建議）