最新！臺(tái)積電2025年量產(chǎn)2納米芯片

據(jù)中國(guó)臺(tái)灣最新消息，臺(tái)積電將于2025年開始量產(chǎn)2納米半導(dǎo)體工藝（N2節(jié)點(diǎn)）。這一時(shí)間表與臺(tái)積電的計(jì)劃相同，該公司管理層曾在投資者會(huì)議上多次談到這一計(jì)劃。此外，臺(tái)積電正在計(jì)劃一種名為N2P的新型2納米節(jié)點(diǎn)，將在N2節(jié)點(diǎn)之后的一年投入生產(chǎn)。

據(jù)稱，臺(tái)積電的2納米芯片量產(chǎn)正在按計(jì)劃進(jìn)行。該公司的高管在不同場(chǎng)合多次解釋下一代芯片制造工藝的時(shí)間表。例如，在2021年的一次會(huì)議上，該公司的CEO 魏哲家博士表示，臺(tái)積2納米的大規(guī)模生產(chǎn)將在2025年開始。

臺(tái)積電研發(fā)和技術(shù)高級(jí)副總裁Mii博士去年也證實(shí)了這一時(shí)間表。今年1月，魏博士表示，這一過程將會(huì)“提前”，測(cè)試小規(guī)模生產(chǎn)將于2024年開始。最新的報(bào)道補(bǔ)充說，大規(guī)模量產(chǎn)將在臺(tái)積電位于新竹寶山的工廠進(jìn)行。

臺(tái)積還在臺(tái)中地區(qū)建設(shè)第二家工廠，這座名為Fab 20的制造工廠將分階段建造。另一個(gè)值得注意的點(diǎn)是，雖然臺(tái)積電表示N3節(jié)點(diǎn)有一個(gè)高性能版本，稱為N3P，但似乎N2節(jié)點(diǎn)的改進(jìn)節(jié)點(diǎn)N2P還沒有宣布。

供應(yīng)鏈中的消息人士表示，N2P將通過使用BSPD(后端電力傳輸)來提高性能。BSPD英文全稱是Backside Power Delivery，是所謂“通過硅孔”（TSV）的擴(kuò)展技術(shù)。TSV是貫穿晶圓的連接，可以堆疊多個(gè)芯片晶粒，如存儲(chǔ)晶粒和CPU晶?？赏ㄟ^TSV封裝到一起。BSPDN(后端電力輸送網(wǎng)絡(luò))涉及到將用于信號(hào)傳輸?shù)暮蠖私饘俨季€和用于電壓輸送的金屬線分開，然后將用于電壓輸送的金屬線放置到晶圓背面制造，這種方式有至少兩個(gè)優(yōu)點(diǎn)，一方面晶圓正面節(jié)省了金屬線層數(shù)從而可以增加晶體管密度，另一方面晶圓背面供電可直接連接晶體管減少電阻損耗。

摩根士丹利表示，臺(tái)積電可能會(huì)將其2023年的收入預(yù)測(cè)從“小幅增長(zhǎng)”調(diào)整為“持平”，而其主要客戶蘋果公司將不得不在今年晚些時(shí)候接受芯片價(jià)格上漲3%。研究報(bào)告稱，臺(tái)積電用于制造iPhone的N3工藝節(jié)點(diǎn)的產(chǎn)量也有所改善。