深入理解芯片熱參數(shù)與結(jié)溫計(jì)算

隨著半導(dǎo)體工藝技術(shù)的發(fā)展，芯片集成度不斷提高，封裝尺寸越來(lái)越小，半導(dǎo)體器件面臨著更高的熱應(yīng)力挑戰(zhàn)。結(jié)溫過(guò)高不僅降低了器件的電氣性能，而且增加了金屬遷移率和其他退化變化，從而導(dǎo)致芯片老化加速、故障率升高。根據(jù)電子設(shè)計(jì)規(guī)則，溫度每升高10°C，平均壽命將降低50%，因此正確評(píng)估半導(dǎo)體器件的熱應(yīng)力或結(jié)溫非常重要。

 一、結(jié)溫估算的常用熱指標(biāo)

     一些半導(dǎo)體器件集成了專(zhuān)用的熱二極管，根據(jù)校準(zhǔn)后的正向電壓與溫度曲線精確測(cè)量結(jié)溫。由于大多數(shù)器件沒(méi)有這種設(shè)計(jì)，結(jié)溫的估計(jì)取決于外部參考點(diǎn)溫度和封裝的熱阻參數(shù)。常用的封裝熱指標(biāo)是熱阻和熱表征參數(shù)。下表顯示了LMR14030（40V/3A BUCK,SOIC-8 Package）的典型熱指標(biāo)。

1.熱阻參數(shù)：RθJA & RθJC 是數(shù)據(jù)手冊(cè)上最常見(jiàn)的熱阻參數(shù)，幾乎所有的半導(dǎo)體器件規(guī)格書(shū)都提供了RθJA 、 RθJC，同時(shí)它也是工程師最常錯(cuò)誤使用的。

2.熱表征參數(shù)：ΨJT&ΨJB，是JEDEC（Solid State Technology Association）在20世紀(jì)90年代定義的熱指標(biāo)。這些指標(biāo)更便于評(píng)估現(xiàn)代封裝類(lèi)型器件的結(jié)溫。越來(lái)越多的半導(dǎo)體制造商正在提供這些熱指標(biāo)。

二、為什么熱阻參數(shù)經(jīng)常被誤用

     早期的半導(dǎo)體器件通常封裝在金屬罐中。帶引線的器件組裝后立在PCB上，因此器件的熱量幾乎完全通過(guò)金屬外殼散發(fā)到空氣環(huán)境中。由于熱傳導(dǎo)路徑單一，與PCB的關(guān)系較小，因此在這種應(yīng)用條件下定義了熱阻參數(shù)RθJA和RθJC。

    如今，許多新的封裝類(lèi)型，特別是在SMD封裝中，芯片結(jié)溫具有不同的熱傳導(dǎo)路徑，并且與PCB設(shè)計(jì)有很大的關(guān)系，如果繼續(xù)簡(jiǎn)單地用熱阻參數(shù)估算結(jié)溫將導(dǎo)致錯(cuò)誤的結(jié)果。

    RθJA是結(jié)在靜止空氣條件下對(duì)環(huán)境的熱阻，是半導(dǎo)體封裝最常見(jiàn)的熱參數(shù)。在大多數(shù)情況下，器件的總熱量最終分布到空氣中，因此空氣溫度很容易測(cè)量或預(yù)先確定，只要已知功耗，就可以很容易地用RθJA估計(jì)結(jié)溫。

三、什么時(shí)候用RθJA？

     下圖顯示了在PCB上組裝的TO-92封裝中的普通晶體管。熱量主要通過(guò)封裝體傳導(dǎo)，與PCB的關(guān)系較小，因?yàn)樗囊_直插在PCB上。利用其典型的RθJA，就可以根據(jù)環(huán)境溫度(或外殼溫度)和器件功耗獲得準(zhǔn)確的結(jié)溫估計(jì)結(jié)果。

     下圖的SOIC-8由于封裝的底部暴露的thermal pad是焊接到PCB上的，所以大部分的熱量都是通過(guò)PCB傳導(dǎo)的。器件與PCB構(gòu)成一個(gè)熱子系統(tǒng)，則RθJA為系統(tǒng)級(jí)熱阻參數(shù)。任何PCB設(shè)計(jì)上的差異，如電路板類(lèi)型、尺寸、層數(shù)、銅箔厚度、過(guò)孔數(shù)量等，都會(huì)對(duì)最終的熱性能產(chǎn)生重大影響。

下圖為T(mén)I -TO-263 (KTW)和VQFN-20 (RGW)的RθJA與PCB尺寸的關(guān)系。

      數(shù)據(jù)手冊(cè)中提供的RθJA通常是在JEDEC或設(shè)備供應(yīng)商定義的標(biāo)準(zhǔn)PCB上測(cè)量或模擬得到的。如果你的PCB設(shè)計(jì)和應(yīng)用環(huán)境與JEDEC或設(shè)備供應(yīng)商定義的條件相似，則可以使用數(shù)據(jù)表RθJA參數(shù)，也可以使用實(shí)際的RθJA參數(shù)。這些是在以前類(lèi)似的產(chǎn)品系統(tǒng)中測(cè)量到的估計(jì)結(jié)溫。否則，PCB設(shè)計(jì)的差異可能導(dǎo)致結(jié)溫估計(jì)的大誤差。估計(jì)值越低，直接導(dǎo)致可靠性越差。

      根據(jù)JEDEC的建議，在實(shí)際應(yīng)用中，RθJA參數(shù)不適合用于估計(jì)結(jié)溫。更適合于比較相同封裝類(lèi)型下不同器件的熱性能，必須注意的是，這種比較是基于類(lèi)似的PCB設(shè)計(jì)。

四、RθJC的測(cè)量

      RθJC定義為結(jié)與外殼表面(頂部或底部)之間的熱阻。下圖為RθJC的測(cè)量示意圖。

     測(cè)試方法迫使幾乎所有的散熱都通過(guò)器件的單表面(殼體頂部或封裝底部)，因此Rθ適用于芯片的散熱功率通過(guò)器件封裝的單表面(殼體頂部或底部)傳導(dǎo)的情況。這意味著RθJC參數(shù)通常適用于僅在封裝的頂部(或底部)安裝散熱片的情況，其中90%以上的熱量從頂部(或底部)散熱，這與JEDEC測(cè)試條件非常相似。對(duì)于帶有底部thermal pad的封裝，允許將底部thermal pad焊到PCB上，但對(duì)于RθJC-top參數(shù)，必須確保頂部是散熱的主要路徑。

      對(duì)于沒(méi)有頂部散熱的典型塑料封裝SMD器件，僅通過(guò)測(cè)量外殼頂部溫度和計(jì)算器件功耗來(lái)估計(jì)RθJC結(jié)溫是不正確的。這可能導(dǎo)致估算的值比實(shí)際結(jié)溫高得多。

      使用RθJC參數(shù)的難點(diǎn)在于如何準(zhǔn)確測(cè)量與散熱器相連的封裝的表面溫度。測(cè)量外殼溫度可以使用(按精度順序)紅外相機(jī)，熒光光學(xué)探頭，熱電偶或紅外槍。

     使用熱電偶的一般方法是在散熱器與芯片封裝接觸的中心部位鉆一個(gè)直徑≤1mm的通孔。插入一根細(xì)細(xì)的熱電偶導(dǎo)線(36至40規(guī)格，J或K線)，并與封裝表面良好接觸，在側(cè)面涂上不大于2 × 2mm的導(dǎo)熱環(huán)氧樹(shù)脂。

五、RθJB的測(cè)量

      RθJB參數(shù)定義晚于上述兩個(gè)參數(shù)。RθJB定義為結(jié)到PCB(不是封裝底部)的熱阻，這意味著PCB必須是器件散熱的主要路徑。下圖顯示了JEDEC測(cè)試方法。

      它使用圓形冷卻板夾緊PCB的頂部和底部。它還使用隔熱材料覆蓋芯片的頂部和底部位置，以確保幾乎所有的熱量都流向PCB。

      RθJB參數(shù)更適合于SMD封裝類(lèi)型的器件來(lái)估計(jì)結(jié)溫，特別是具有thermal pad的封裝。在實(shí)際應(yīng)用中要注意PCB設(shè)計(jì)，因?yàn)镴EDEC測(cè)試RθJB的是材料為FR4、4層、1.6 mm厚度的高導(dǎo)熱PCB (High-K PCB)。頂層和底層的銅箔厚度是2盎司。中間兩層為1oz。單板尺寸通常為11.4 cm ×7.6 cm或11.4 cm × 10.2 cm。如果實(shí)際應(yīng)用中的PCB設(shè)計(jì)類(lèi)似或更優(yōu)化，則使用此參數(shù)估計(jì)結(jié)溫。有時(shí)測(cè)量PCB溫度不方便，因?yàn)闊犭娕夹枰胖迷诳拷庋b邊緣的1mm空間內(nèi)，因此JEDEC定義了Ψ參數(shù)以更易于使用。

五、熱表征參數(shù)與熱阻參數(shù)的區(qū)別

      根據(jù)熱阻的定義，它是兩點(diǎn)之間的溫差與實(shí)際傳導(dǎo)熱功率之比。如下圖所示，實(shí)際應(yīng)用系統(tǒng)有多種冷卻路徑。

      該模型相當(dāng)于一個(gè)復(fù)雜的串聯(lián)/并聯(lián)電路網(wǎng)絡(luò)，難以簡(jiǎn)單地計(jì)算或確定某條路徑上實(shí)際傳導(dǎo)的熱功率。JEDEC測(cè)試熱阻的方式總是迫使幾乎所有的設(shè)備熱流到參考點(diǎn)。原因很簡(jiǎn)單，就是用芯片的總功耗來(lái)計(jì)算熱阻。實(shí)際系統(tǒng)中熱傳導(dǎo)路徑的復(fù)雜性決定了結(jié)溫不能簡(jiǎn)單地通過(guò)總耗散功率和熱阻參數(shù)來(lái)估算。為此，JEDEC定義了熱表征參數(shù)Ψ，雖然其計(jì)算公式與單位(°C/W) Rθ非常相似，該參數(shù)僅表示芯片的溫度差(結(jié)與參考點(diǎn)之間)與總耗散功率的比值，它只是一個(gè)系數(shù)。

      現(xiàn)在有兩個(gè)常見(jiàn)的熱特性參數(shù):ΨJT用于連接到封裝頂部，ΨJB用于連接到PCB。ΨJT更常被使用，因?yàn)?它更方便測(cè)量外殼頂部溫度，并且SMD芯片主要通過(guò)PCB散熱，只有少量熱量流向頂部。另外，連接到頂部的溫差通常小于連接到PCB的溫差。換句話說(shuō)，ΨJT小于ΨJB，因此使用ΨJT參數(shù)的誤差相對(duì)較小。

      如果比較熱阻，Ψ參數(shù)的主要優(yōu)點(diǎn)之一是對(duì)PCB尺寸的依賴(lài)性較小。下圖顯示了這種關(guān)系。

      Ψ參數(shù)克服了θ參數(shù)對(duì)PCB的依賴(lài)性，因此在熱設(shè)計(jì)中更方便，估算結(jié)果也更準(zhǔn)確。但如果芯片連接到散熱器，則必須使用RθJC或ΨJS(散熱器的結(jié))來(lái)估計(jì)結(jié)溫度。

與RθJA的公式相比，實(shí)際結(jié)溫可以用下式非常接近地估計(jì)出來(lái)：

（具體熱參數(shù)計(jì)算結(jié)溫在最后一一段）

六、溫度測(cè)量

      1.測(cè)殼溫度：溫度測(cè)量常用熱電偶和紅外熱成像儀。當(dāng)熱電偶測(cè)量溫度時(shí)，必須使用細(xì)規(guī)格線(36至40規(guī)格，J或K型線)，以盡量減少熱電偶的局部冷卻。必須貼在封裝表面正中間(±1mm)，兩側(cè)用不大于2mm × 2mm的導(dǎo)電環(huán)氧樹(shù)脂包芯。

      不建議將熱電偶粘在封裝表面。為了盡量減少熱電偶的散熱影響，電線必須沿著封裝的對(duì)角線進(jìn)行敷設(shè)，直到PCB表面，并且在從PCB抬起之前至少要有25mm的距離。熱電偶導(dǎo)線可以用膠帶粘接在PCB上。使用不正確的熱電偶線規(guī)會(huì)產(chǎn)生5-50%的測(cè)量誤差。

      用紅外熱成像儀測(cè)量溫度簡(jiǎn)單、方便、快速、準(zhǔn)確。根據(jù)環(huán)境溫度或試驗(yàn)環(huán)境的變化，機(jī)器在試驗(yàn)前需要有足夠的預(yù)熱穩(wěn)定時(shí)間。一定要校正所測(cè)表面****率的讀數(shù)。在被測(cè)物體上選擇高****率表面(非金屬、粗糙、低反射)作為測(cè)試點(diǎn)。對(duì)于低****率的表面，使用黑色絕緣膠帶，噴漆或使用黑色水性手寫(xiě)筆。在測(cè)試點(diǎn)的頂部垂直測(cè)試它，測(cè)試區(qū)域需要很集中并且完整充滿(mǎn)顯示窗口。

     2.測(cè)空氣溫度：對(duì)于空氣環(huán)境溫度的測(cè)量，PCB必須水平放置。測(cè)量空氣溫度在點(diǎn)2.54厘米下的PCB中心和2.54厘米的水平側(cè)。取兩個(gè)點(diǎn)的平均溫度。

     3.對(duì)于PCB溫度測(cè)試點(diǎn)，選擇封裝側(cè)最靠近內(nèi)部芯片的中間位置。測(cè)量距離封裝邊緣1mm范圍內(nèi)的電路板溫度，或者在設(shè)備供應(yīng)商推薦的測(cè)試點(diǎn)測(cè)量。最好選擇一個(gè)銅箔布線和連接到包裝上的點(diǎn)。測(cè)量前刮擦阻焊膜。對(duì)于帶鉛封裝器件的實(shí)際操作，請(qǐng)選擇封裝長(zhǎng)側(cè)的中心引腳，測(cè)量焊接到PCB上的引腳端溫度。如果引腳焊盤(pán)到封裝邊緣的空間大于1.5 mm，則直接測(cè)量電路板上的溫度。

七、結(jié)論

     如果系統(tǒng)兩點(diǎn)之間的熱傳導(dǎo)路徑和熱功率明確，熱阻參數(shù)可以用來(lái)估計(jì)溫差。在實(shí)際應(yīng)用中，熱傳導(dǎo)路徑是多種多樣的，熱量通過(guò)多個(gè)通道傳播。與總功耗不同，很難估計(jì)特定路徑的功耗。由于這些原因，熱表征參數(shù)Ψ更適合于估計(jì)結(jié)溫。