臺(tái)積電南京廠獲1年豁免期，但不得進(jìn)行重大技術(shù)升級(jí)！

10月12日消息，據(jù)《華爾街日?qǐng)?bào)》援引熟悉美國政府運(yùn)作的人士報(bào)道，在三星、SK海力士在華晶圓廠均獲得美國商務(wù)部給予的“無限期豁免”許可之后，臺(tái)積電可能也獲得了為期一年的豁免。

報(bào)道稱，韓國和美國已就受制裁的芯片制造設(shè)備出口清單達(dá)成一致。它允許三星和SK海力士維持其在中國的業(yè)務(wù)，可以為其在中國的晶圓廠進(jìn)口所需的美國半導(dǎo)體設(shè)備，并在不違反既定準(zhǔn)則的情況下進(jìn)行細(xì)微的技術(shù)更新。但是，如果三星和SK海力士根據(jù)美國《芯片與科學(xué)法案》尋求經(jīng)濟(jì)援助，它們?cè)谥袊钠髽I(yè)將受到限制。

臺(tái)積電可能也獲得了與去年一樣的為期一年的豁免。目前尚不清楚臺(tái)積電是否會(huì)像三星和SK海力士那樣被指定為“經(jīng)過驗(yàn)證的最終用戶”。

報(bào)道補(bǔ)充說，美國已告訴臺(tái)積電，雖然它可以維持中國業(yè)務(wù)當(dāng)前的運(yùn)營，但位于南京的Fab 16 的任何重大技術(shù)進(jìn)步目前都無法實(shí)現(xiàn)。目前尚不清楚進(jìn)步是否意味著產(chǎn)能升級(jí)、工藝技術(shù)升級(jí)或兩者兼而有之。

目前臺(tái)積電南京廠已達(dá)擁有2萬片先進(jìn)制程產(chǎn)能，主要以12nm及16nm為主。同時(shí)，南京廠還增加了2萬片28nm制程的產(chǎn)能，目前已經(jīng)基本完成。

編輯：芯智訊-林子