Imec攜手三井化學(xué)，推動EUV碳納米管光罩保護膜商用

12月23日消息，據(jù)日本媒體報道，比利時微電子研究中心（imec）攜手日本化工及極紫外光（EUV）光罩保護膜大廠三井化學(xué)共同宣布，為了推動針對EUV光刻的碳納米管（CNT）光罩保護膜技術(shù)商業(yè)化，雙方正式建立策略伙伴關(guān)系。

據(jù)了解，光罩保護膜是一種薄膜，可保護EUV光罩表面免受空氣中微分子或污染物的影響，這對于 5nm或以下節(jié)點制程的先進制程技術(shù)的良率表現(xiàn)至關(guān)重要。另外，光罩保護膜也是一種需要定期更換的消耗品，而由于 EUV光刻設(shè)備的光源波長較短，因此保護膜需要較薄厚度來增加透光率。目前光罩保護膜主要供應(yīng)商是荷蘭ASML，日本三井化學(xué)、信越化學(xué)，韓國S&S Tech、FST等。

imec表示，此次合作，三井化學(xué)將把imec根據(jù)碳納米管所研發(fā)的創(chuàng)新光罩保護膜技術(shù)，整合至三井化學(xué)的光罩保護膜技術(shù)，目標(biāo)是實現(xiàn)能夠全面投產(chǎn)的規(guī)格，預(yù)計將在2025~2026年導(dǎo)入高功率的極紫外光（EUV）系統(tǒng)。此次簽約于2023 SEMICON Japan日本國際半導(dǎo)體展期間在東京進行。

imec強調(diào)，雙方的戰(zhàn)略伙伴關(guān)系旨在共同開發(fā)曝光薄膜及EUV光罩保護膜，其中將由imec提供技術(shù)咨詢與EUV光刻機測試，三井化學(xué)進行商用生產(chǎn)。這些光罩護膜被設(shè)計用來保護光罩在EUV曝光時免受污染，不僅具備很高的EUV穿透率（≧94%）和極低的EUV反射率，對曝光的影響也能控制到最小，這些都是要讓先進半導(dǎo)體制造達到高良率和高產(chǎn)量所需的關(guān)鍵性能。這些碳納米管（CNT）光罩保護膜甚至還能承受超過1kW等級的極紫外光（EUV）輸出功率，有助于發(fā)展新一代（高于600W）的極紫外光源技術(shù)。將在量產(chǎn)導(dǎo)入EUV光刻技術(shù)的廠商對這些性能產(chǎn)生濃厚興趣。因此，此次合作的雙方將攜手開發(fā)可供商用的碳納米管（CNT）光罩保護膜技術(shù)，以滿足市場需求。

imec先進圖形化制程與材料研究計劃的資深副總Steven Scheer表示：“在協(xié)助半導(dǎo)體生態(tài)系發(fā)展新世代微影技術(shù)方面，imec擁有多年經(jīng)驗。從2015年開始，我們與整個供應(yīng)鏈的伙伴們建立了合作，為先進的EUV光刻技術(shù)開發(fā)碳納米管（CNT）光罩保護膜的創(chuàng)新設(shè)計。我們有信心在測量、特征化、碳納米管（CNT）薄膜特性和性能方面，我們所掌握的深度知識將能加速三井化學(xué)的產(chǎn)品開發(fā)。通過合作，我們希望能為新一代EUV光刻技術(shù)推動碳納米管（CNT）光罩保護膜的生產(chǎn)。”

imec進一步指出，在此光刻技術(shù)發(fā)展藍圖下，新型光罩保護膜預(yù)計于2025~2026年推出，屆時ASML開發(fā)的新一代0.33數(shù)值孔徑（NA）光刻系統(tǒng)也將能支持輸出功率超過600W的曝光源。

編輯：芯智訊-林子