臺積電3nm晶體管密度竟然高于Intel 18A！

3月13日消息，據外媒報導，在最近2024 SEMI International Strategy Symposium會議上，半導體研究機構TechInsights分享了臺積電、英特爾、三星的尖端制程比較，顯示臺積電的3nm性能可能要優(yōu)于英特爾Intel 18A。

英特爾計劃在今年下半年量產Intel 18A，并于明年推出相關產品，但是并沒有公布Intel 18A的能耗數據。根據TechInsights公布的數據來看，臺積電3nm（N3）制程或強化版N3E的晶體管密度分別為283MTx/mm2（每平方毫米百萬晶體管）、273MTx/mm2 ，都高于英特爾Intel 18A的195MTx/mm2。不過，英特爾Intel 18A采用背面供電（Backside power）技術，對降低能耗有一定幫助，但Intel 18A大幅超越臺積電3nm性能還是不太可能。

除了英特爾，三星先跨入GAA構架Nanosheet制程，力圖彎道超車臺積電。比較晶體管密度、性能、能耗后，同年制程三星都落后臺積電；臺積電晶體管密度也約是三星1.5倍以上；先進制程客戶數量方面，臺積電也遠遠超過三星。

臺積電法說會說，2nm將于2025下半年量產，3nm家族也持續(xù)擴大強化版。N3E于2023年第四季量產后，之后還有N3P和N3X，近期AI需求激增，也支持節(jié)能運算需求加速成長，又使3奈米家族營收占比提高。

日前IFS Direct Connect英特爾分享「四年五節(jié)點」最后節(jié)點Intel 18A制程后計劃，公布新制程，新增Intel 14A-E和數個專業(yè)節(jié)點強化版。照英特爾計劃，Intel 14A最快2026年量產，Intel 14A-E要到2027年。但英特爾還未宣布Intel 14A和Intel 14A-E產品。

三星2022年6月底為全球首家量產采用全柵極（GAA）構架3nm的廠商，2024年量產第二代3nm，2025年量產2nm。最近三星通知客戶和合作伙伴，第二代3nm更名為2nm，韓國業(yè)界人士表示接到三星通知，2023年與三星代工廠簽訂第二代3nm協(xié)議，也會改名為2nm，近期會重新擬約。

編輯：芯智訊-浪客劍