中微尹志堯：公司絕大部分刻蝕設備零部件已實現(xiàn)國產化！

3月19日，國產半導體設備大廠中微公司董事長、總經理尹志堯在2023年度業(yè)績說明會上表示，中微公司絕大部分刻蝕設備的零部件已實現(xiàn)國產化，而且在很短的時間內，將全面實現(xiàn)自主可控的基礎。

在當前相關半導體設備及零部件進口受限的國際形勢下，相關進口零部件的替代已成為中微公司發(fā)展的重要議題。

在去年半年報業(yè)績說明會上，尹志堯就曾表示，自去年10月美國加強出口管制、旨在切斷中國制造廠與美國先進工具的聯(lián)系后，中國客戶加速采用中微的蝕刻設備。

受此影響，中微在電容耦合等離子體（CCP）刻蝕設備市場的市場份額預計將從2022年10月的24%至2023年6月已增至60%。至于電感耦合等離子體（ICP）設備市場，在曾經占據主導地位的美國泛林半導體的市場份額大幅下降后，中微公司的市場占地可能會從幾乎為零上升到75%。

尹志堯當時就預計，在2023年底中微公司80%的限制進口零部件可以在國內進行替代，隨后將在2024年下半年實現(xiàn)100%的替代。

從時間進度來看，僅半年多時間，目前中微公司絕大部分刻蝕設備零部件已實現(xiàn)國產化，可謂是神速！需要指出的是，這個“口徑”不僅包括了“限制進口零部件”，還包括了未受限制的進口零部件。這也意味著，中微刻蝕設備的國產化自主可控程度得到了大幅提升。

2023年凈利潤同比大漲52.67%

在3月18日晚間，中微公司發(fā)布2023年年度報告稱，2023年實現(xiàn)營業(yè)收入為62.64億元，同比增長32.15%。需要指出的是，公司從 2012 年到 2023 年超過十年的平均年營業(yè)收入增長率已超過 35%。公司實現(xiàn)歸屬于上市公司股東的凈利潤17.86億元，同比增長52.67%。

對于業(yè)績的增長，中微公司表示，2023年收入增長和毛利維持較高水平，公司扣非后歸母凈利潤較上年同期增加約2.72億元。此外，非經常性損益約5.94億元，較上年2.50億元增加約3.44億元。非經常性損益的變動主要系公司于2023年出售了部分持有的拓荊科技股份有限公司股票，產生稅后凈收益約4.06億元。

從營收結構來看，中微公司2023年刻蝕設備銷售約47.03億元，同比增長約49.43%；MOCVD（金屬有機化合物化學氣相沉積）設備銷售約4.62億元，同比下降約33.95%。

訂單方面，中微公司 2023 年新增訂單金額約 83.6 億元，較 2022 年新增訂單的63.2 億元增加約 20.4 億元，同比增長約 32.3%。其中刻蝕設備新增訂單約 69.5 億元，同比增長約 60.1%；由于中微的 MOCVD 設備已經在藍綠光 LED 生產線上占據絕對領先的市占率，受終端市場波動影響，2023 年訂單同比下降約 72.2%。

半導體行業(yè)的未來，制造設備是關鍵

中微公司認為，“半導體行業(yè)的未來，制造設備是關鍵”，沒有能加工微米和納米尺度的光刻機、等離子體刻蝕機和薄膜沉積等設備，就不可能制造出集成電路和微觀器件。隨著微觀器件越做越小，結構越做越復雜，半導體設備的極端重要性更加凸顯出來。

晶圓制造設備可以分為刻蝕、薄膜沉積、光刻、檢測、離子摻雜等品類，其中刻蝕設備、薄膜沉積、光刻設備是集成電路前道生產工藝中最重要的三類設備。根據Gartner歷年統(tǒng)計，全球刻蝕設備、薄膜沉積設備分別占晶圓制造設備價值量約22%和23%。

隨著集成電路芯片制造工藝的進步，線寬關鍵尺寸不斷縮小、芯片結構3D化，晶圓制造向5納米以及更先進的工藝發(fā)展。由于目前先進工藝芯片加工使用的光刻機受到波長限制，14 納米及以下的邏輯器件微觀結構的加工多通過等離子體刻蝕和薄膜沉積的工藝組合——多重模板工藝來實現(xiàn)，使得刻蝕等相關設備的加工步驟增多。由于存儲器技術由二維轉向三維架構，隨著堆疊層數(shù)的增加，刻蝕設備和薄膜沉積設備越來越成為關鍵核心的設備。

在MOCVD設備方面，中微公司稱，三五族化合物半導體器件，如照明和顯示屏所用的LED、氮化鎵和碳化硅功率器件等市場發(fā)展極快。這些器件所需的MOCVD設備是最重要的關鍵設備。與集成電路需要較多品類設備多步循環(huán)的制造工藝不同，制造三五族化合物器件主要靠MOCVD設備實現(xiàn)，而且這個設備的大部分市場在中國。

近年來，中國LED芯片產業(yè)的快速發(fā)展曾帶動了作為產業(yè)核心設備的MOCVD設備需求量的快速增長。公司的MOCVD設備已經在藍綠光LED生產線上占據絕對領先的市占率，報告期內（2023年），受終端市場波動影響，公司的MOCVD設備銷售額有所下滑。

此外，公司在新產品開發(fā)方面取得了顯著成效，近兩年新開發(fā)的LPCVD 設備和 ALD 設備，目前已有四款設備產品進入市場，其中三款設備已獲得客戶認證，并開始得到重復性訂單；公司新開發(fā)的硅和鍺硅外延 EPI 設備、晶圓邊緣 Bevel 刻蝕設備等多個新產品，也會在近期投入市場驗證。公司開發(fā)的包括碳化硅功率器件、氮化鎵功率器件、Micro-LED等器件所需的多類 MOCVD 設備也取得了良好進展，2024 年將會陸續(xù)進入市場。

生產布局方面，公司在南昌約 14 萬平方米的生產和研發(fā)基地已正式投入使用、上海臨港的約 18 萬平方米的生產和研發(fā)基地部分生產廠房已經投入使用，支持了公司銷售快速增長的達成。公司持續(xù)開發(fā)關鍵零部件供應商，推動供應鏈穩(wěn)定、安全，設備交付率保持在較高水準，設備的及時交付也為公司銷售增長提供有力支撐。

來源：芯智訊