ASML發(fā)布最新2納米EUV光刻機！

本周，全球領先的半導體設備制造商ASML公司發(fā)布了其最新一代極紫外線(EUV)光刻設備Twinscan NXE:3800E，該工具投影透鏡擁有0.33的數值孔徑。這款全新系統相比現有的Twinscan NXE:3600D機器在性能上有著顯著的提升，旨在滿足未來幾年對于尖端技術芯片的制造需求，包括3nm、2nm等小尺寸節(jié)點。

ASML的Twinscan NXE:3800E代表了低數值孔徑(EUV)光刻技術在性能和機械覆蓋層匹配方面的巨大飛躍。新系統可以在30 mJ/cm^2的劑量下每小時處理超過195片晶圓，并通過吞吐量升級承諾進一步提升至220片晶圓每小時。此外，新設備提供了小于1.1納米的機器覆蓋層，進一步提升了晶圓對準精度。

ASML在一份聲明中指出：“芯片制造商對速度有著迫切需求。第一臺Twinscan NXE:3800E目前正在一家芯片工廠安裝。憑借其新的晶圓階段，該系統將為制造先進芯片提供領先的生產力。我們致力于將光刻技術推向新的極限。”

Twinscan NXE:3800E的增強性能將提高其在為邏輯制造商生產4nm/5nm和3nm級工藝技術芯片時的經濟效率。這一改進有望顯著緩解EUV技術的主要缺點，從而實現更高效和更具成本效益的芯片生產。這將使得芯片設計師更容易獲得依賴EUV的工藝技術，而不會因為成本問題而受到限制。

然而，像NXE:3800E這樣的光刻工具復雜且功能強大，每臺的價格約為1.8億美元。這意味著降低這些工具的成本還需要一定的時間。但對于ASML的客戶，包括一些重要的邏輯和內存制造公司，NXE:3800E提供了一個有效的路徑，以提高他們尖端芯片的生產能力。這對于這些公司來說至關重要，因為他們正在努力滿足全球對半導體日益增長的需求，擴大生產能力，并保持芯片制造的經濟效益。引入更先進、更高效的EUV掃描儀，如NXE:3800E，對于實現這些目標至關重要。

未來展望，ASML并未止步于現有的成就，計劃進一步創(chuàng)新推出Twinscan NXE:4000F，這是另一代低數值孔徑(EUV)掃描儀，預計將于2026年左右發(fā)布。盡管即將推出高數值孔徑的光刻工具，ASML仍致力于推動低數值孔徑(EUV)制造技術的不斷發(fā)展。