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DDR6內(nèi)存標準即將初步敲定:最高速率可達21Gbps

發(fā)布人:旺材芯片 時間:2024-05-23 來源:工程師 發(fā)布文章

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5月22日消息,雖然DDR5內(nèi)存才剛剛成為主流,但是標準組織JEDEC早已經(jīng)開始籌備下一代標準DDR6的制定工作,并于近日正式披露了DDR5一些規(guī)格上的展望規(guī)劃。

DDR4內(nèi)存的頻率一般在1400-3200MHz,DDR5提升到了4000-8400MHz,DDR6內(nèi)存預計起步就是8800MHz,最高可達17.6Gbps,甚至有希望推進到21Gbps。

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對于DDR6內(nèi)存的信號調(diào)制技術(shù),到底采用PAM還是NRZ,目前還在討論階段,初步意見傾向于NRZ——PCIe 6.0就已經(jīng)從NRZ改成了PAM。

除了DDR6內(nèi)存之外,面向移動設(shè)備的LPDDR6內(nèi)存的部分規(guī)格也被曝光,其最高速率可以達到14.4Gbps,與現(xiàn)在的LPDDR5X相比提升了50%。

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JEDEC希望能夠在今年內(nèi)完成DDR6以及LPDDR6內(nèi)存標準的初稿,隨后由廠商來反饋和提交修改。預計在2025年第二季度推出1.0正式版,隨后廠商就可以根據(jù)JEDEC組織提供的內(nèi)存標準設(shè)計和生成DDR6/LPDDR6內(nèi)存的生產(chǎn),預計正式商用還需要等到2026年。

來源:芯智訊


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