臺(tái)積電美國晶圓廠良率超過臺(tái)灣晶圓廠！

10月25日消息，據(jù)彭博社報(bào)道，臺(tái)積電位于美國亞利桑那州鳳凰城的第一座晶圓廠早期的生產(chǎn)良率已經(jīng)超過其位于中國臺(tái)灣類似晶圓廠的水平。這對(duì)于這座最初因缺乏熟練安裝工人導(dǎo)致的量產(chǎn)進(jìn)度延誤的晶圓廠來說是一個(gè)重要突破。

報(bào)道援引一位參加網(wǎng)絡(luò)研討會(huì)的人士的說法，臺(tái)積電美國部門總裁瑞克·卡西迪（Rick Cassidy）在本周三的網(wǎng)絡(luò)研討會(huì)上表示，臺(tái)積電亞利桑那州鳳凰城晶圓廠目前的良率水平比臺(tái)灣的類似晶圓廠高出了約4個(gè)百分點(diǎn)。眾所周知，良率是半導(dǎo)體行業(yè)的一個(gè)關(guān)鍵指標(biāo)，因?yàn)樗鼪Q定了生產(chǎn)出的芯片的可用性，芯片良率越高，則可以更大程度地?cái)偙≈圃斐杀尽?/p>

值得注意的是，在今年9月，彭博社就曾引述消息人士的話報(bào)道稱，臺(tái)積電位于亞利桑那州的第一座晶圓廠在今年4月就已經(jīng)開始基于4nm制程進(jìn)行工程測(cè)試晶圓的生產(chǎn)，其良率已經(jīng)與臺(tái)積電位于中國臺(tái)灣的南科廠良率相當(dāng)。臺(tái)積電當(dāng)時(shí)也表示，項(xiàng)目照計(jì)劃進(jìn)行，并且進(jìn)展良好。

臺(tái)積電董事長(zhǎng)兼總裁魏哲家近日在三季度業(yè)績(jī)法說會(huì)上也表示：“我們的第一座工廠在四月份開始使用4納米工藝技術(shù)進(jìn)行工程晶圓生產(chǎn)，結(jié)果非常令人滿意，良率非常好。這是臺(tái)積電及其客戶的重要運(yùn)營(yíng)里程碑，展示了臺(tái)積電強(qiáng)大的制造能力和執(zhí)行力?！?/p>

對(duì)于最新的關(guān)于臺(tái)積電亞利桑那州晶圓廠良率已經(jīng)超過臺(tái)灣晶圓廠的說法，臺(tái)積電發(fā)言人拒絕發(fā)表評(píng)論。

根據(jù)規(guī)劃，臺(tái)積電將在美國亞利桑那州鳳凰城建設(shè)三座晶圓廠，其中晶圓一廠（Fab21）是4nm制程晶圓廠，晶圓二廠則是3nm晶圓廠。此前由于缺乏熟練工人等問題，導(dǎo)致晶圓一廠的量產(chǎn)時(shí)間從2024年推遲到了2025年，晶圓二廠的量產(chǎn)時(shí)間也由原定的2026年推遲到了2028年。兩座晶圓廠完工后，合計(jì)將年產(chǎn)超過60萬片晶圓，換算至終端產(chǎn)品市場(chǎng)價(jià)值預(yù)估超過400億美元。此外，臺(tái)積電還將在亞利桑那州建設(shè)第三座晶圓廠，預(yù)計(jì)將在21世紀(jì)20年代底（2029～2030年），采用2nm或更先進(jìn)的制程技術(shù)進(jìn)行芯片生產(chǎn)。

臺(tái)積電這三座晶圓廠的總投資將會(huì)達(dá)到650億美元。為此，美國政府已經(jīng)承諾將依據(jù)《芯片與科學(xué)法案》為臺(tái)積電提供66億美元補(bǔ)貼，還有25%的稅收抵免，以及50億美元的貸款。

雖然在美國生產(chǎn)芯片的成本可能要比臺(tái)灣高出50%以上，但是得益于美國政府的大力推動(dòng)，以及美國客戶關(guān)于供應(yīng)鏈安全方面的考慮，蘋果、英偉達(dá)等公司此前都已表態(tài)將會(huì)在臺(tái)積電美國晶圓廠生產(chǎn)芯片。

編輯：芯智訊-浪客劍