高通與TSMC在28納米工藝技術(shù)上攜手合作

　　高通與臺積電1月7日共同宣布，雙方正在28納米工藝技術(shù)進(jìn)行密切合作。此先進(jìn)工藝世代可以更具成本效益的將更多功能整合在更小的芯片上，加速無線通訊產(chǎn)品在新市場上的擴展。

　　小尺寸與低功秏是高通公司包括Snapdragon芯片組平臺在內(nèi)的下世代系統(tǒng)單芯片解決方案之重要特色。奠基于雙方長久的合作關(guān)系，高通與臺積電正攜手將產(chǎn)品從45納米工藝直接推進(jìn)至28納米工藝。

　　臺積電全球業(yè)務(wù)暨行銷副總經(jīng)理陳俊圣表示，臺積電一向致力于提供客戶先進(jìn)技術(shù)平臺及設(shè)計生態(tài)系統(tǒng)，我們的28納米工藝平臺可以為嶄新世代的產(chǎn)品帶來更多高效能、低耗電的產(chǎn)品體驗。我們很高興能與全球通訊領(lǐng)導(dǎo)廠商-美商高通公司攜手合作，使得更多使用者的新體驗得以實現(xiàn)。

　　高通資深副總裁暨高通通訊科技總經(jīng)理Jim Clifford表示，高通藉由領(lǐng)先業(yè)界的整合、兼具功耗及成本效益的產(chǎn)品，為客戶帶來「利用最少資源，獲得更多效益」的重要優(yōu)勢，其關(guān)鍵在于與臺積電的緊密合作。高通藉由整合式無晶圓制造模式及不斷跨入更先進(jìn)工藝，將持續(xù)為全球的移動電話、智能手機、智能筆記本電腦等用戶帶來最佳的移動通訊體驗。

　　高通與臺積電過去在65納米與45納米工藝技術(shù)合作十分密切，現(xiàn)在更進(jìn)一步延伸至低耗電、低漏電的28納米世代進(jìn)行量產(chǎn)。28納米工藝密度可較前一代工藝高出一倍，讓執(zhí)行移動運算的半導(dǎo)體元件能在更低耗電下提供更多功能。高通與TSMC目前在28納米世代的合作包括高介電層/金屬閘(high-k metal gate, HKMG)的高效能工藝技術(shù)以及具備氮氧化硅(silicon oxynitride, SiON)的低耗電高速工藝技術(shù)。此外，高通預(yù)計于2010年年中投產(chǎn)首批 28納米產(chǎn)品。

　　高通整合無晶圓廠制造模式(Integrated Fabless Manufacturing;IFM)成功的關(guān)鍵，乃是與策略性技術(shù)及集成電路制造伙伴密切合作，這不但展現(xiàn)極高的效率，也加速整個產(chǎn)業(yè)的技術(shù)發(fā)展。