新聞中心

EEPW首頁 > EDA/PCB > 業(yè)界動態(tài) > 美光攜手南亞科技開發(fā)20納米芯片制程技術

美光攜手南亞科技開發(fā)20納米芯片制程技術

作者: 時間:2010-03-04 來源:cnbeta 收藏

  據國外媒體報道,臺灣南亞科技總裁連日昌周三表示,公司目前正在與合作伙伴美光科技聯(lián)手,共同為未來的生產開發(fā)先進的芯片制程技術。

本文引用地址:http://www.butianyuan.cn/article/106544.htm

  這 項先進的芯片制程技術有助于提高芯片性能、減少芯片耗電量、降低芯片生產成本。連日昌周三在臺北的一次媒體活動中說,企業(yè)要想在未來五年的市場上 保持競爭力,擁有領先技術至關重要。

  采用制程技術生產芯片將有助美光和南亞科技與業(yè)界領先企業(yè)展開更加有效的競爭。當前,三星已經在它的生產線上采用了30納米芯片制程技術。三星稱,使用30納米制程技術生產的2GB DDR3芯片耗電量比使用50納米制程技術生產的產品耗電量少30%,能效卻提高了一倍多。

  三星憑借生產的30納米制程技術領先于其他對手。美光和南亞最近也表示,他們在DRAM生產線上采用了42納米制程技術,并在實驗室中開發(fā)出了接近30納米的制程技術。

  連日昌沒有給出美光和南亞科技聯(lián)手開發(fā)芯片制程技術的時間表,也沒有透露更多有關雙方開發(fā)20納米芯片制程技術的細節(jié)。



關鍵詞: 三星電子 DRAM 20納米

評論


相關推薦

技術專區(qū)

關閉