海力士將與斗山共同開發(fā)半導體基板原料

　　海力士半導體(Hynix)宣布，將與斗山電子(Doosan Electro-Materials)共同開發(fā)可縮小半導體印刷電路板(PCB)體積近25%的新PCB原料。利用此技術(shù)，使用Tenting(蓬蓋式)制程也可縮小半導體封裝基板的銅線路線寬近25%，至25μm，也將可使PCB基板面積隨之縮小。為實現(xiàn)25μm的線寬，已采用MSAP(Modified Semi-Addictive Process)制法，然此制法存在較原始方法制程復雜且困難，所需費用也增加20%的問題。

　　海力士和斗山為解決此問題，決定共同開發(fā)新原料及適合的制作方法。新原料在使用Tenting制程進行蝕刻時，可將原料表面粗糙發(fā)生機率降至最低，使其可呈現(xiàn)微細的線路，雙方公司也已針對此制法共同申請專利。

　　海力士半導體常務高光惪表示，本開發(fā)打破業(yè)者對于既有方式不可行的固有觀念，透過與斗山的合作解決技術(shù)上的問題。使用此技術(shù)將可成功實現(xiàn)封裝基板超微細線路，并大幅提升高附加價值產(chǎn)品的價格競爭力。

　　斗山將提供此新原料給PCB業(yè)者，PCB業(yè)者預計自2010年7月起可開始量產(chǎn)相關(guān)產(chǎn)品并提供給海力士。