新紀錄：日本學者研制出4Tbit/平方英寸存儲密度的鐵電存儲體

　　據(jù)美國物理研究所出版的《應(yīng)用物理》雜志報道，日本東北大學的科學家們在試驗室中使用鐵電存儲技術(shù)將存儲芯片的存儲密度提升到了每平方英寸4Tbit，達成了鐵電存儲體的新世界紀錄，如此等級的存儲密度要比現(xiàn)有最高級的磁記錄型硬盤的存儲密度要高上7倍左右。

　　這種數(shù)據(jù)存儲設(shè)備使用一個尖頂懸臂對鐵電體存儲材料進行讀寫操作。進行數(shù)據(jù)寫入時，向尖頂發(fā)送電脈沖，這種電脈沖可以改變對應(yīng)位置的電子極性和電子所在區(qū)域周圍一小片圓型區(qū)域內(nèi)硅基體的介電常數(shù)。進行數(shù)據(jù)讀取時，則使用尖頂來偵測附近區(qū)域介電常數(shù)的變化值來讀取數(shù)據(jù)。

　　負責該項目研究的Yasuo Cho博士稱：“我們希望這種鐵電體存儲系統(tǒng)，至少在需要極大數(shù)據(jù)存儲密度和對存儲器體積要求很小的應(yīng)用場合下，能扮演取代磁硬盤和閃存存儲器的角色。“

　　在這項技術(shù)的早期研究過程中，研發(fā)者們曾經(jīng)遇到過這樣的問題：當需要在這種鐵電體存儲材料上連片寫入位置連續(xù)的數(shù)據(jù)時，寫入時產(chǎn)生的極化區(qū)會彼此融合在一起，導致極化區(qū)的面積超過了預定的尺寸，影響到了周邊的存儲區(qū)域。為此研究者們開發(fā)出了另外一項補救技術(shù)，這種技術(shù)能夠預測這種連片寫入數(shù)據(jù)的行為，并在寫入此類數(shù)據(jù)時將發(fā)送給尖頂?shù)碾娒}沖信號自動減小10%左右，這樣才解決了這個問題。

　　盡管鐵電體存儲技術(shù)具有無需磁技術(shù)或熱技術(shù)介入，僅需利用電學技術(shù)的優(yōu)勢，但是要將這種存儲技術(shù)投入實用還需要作很大的努力，比如目前鐵電體技術(shù)的數(shù)據(jù)讀取速度和精度方面，以及鐵電體基體部分的成本方面便還沒有達到商用化的水平。不僅如此，傳統(tǒng)的存儲技術(shù)也一直在發(fā)展進步，其存儲密度甚至有可能會超過鐵電體，比如希捷公司便曾宣稱他們預計傳統(tǒng)存儲技術(shù)的數(shù)據(jù)存儲密度有望達到50Tbit/平方英寸。