宏力半導(dǎo)體0.18微米低本高效OTP制程成功量產(chǎn)

　　上海宏力半導(dǎo)體2日宣布其代工的0.18微米低本高效OTP制程的首個產(chǎn)品已經(jīng)成功量產(chǎn)。該OTP 制程結(jié)合了力旺電子的綠能OTP解決方案和宏力半導(dǎo)體自身的0.18微米技術(shù)節(jié)點(diǎn)，在使用較少光罩層數(shù)的同時，創(chuàng)造了業(yè)內(nèi)OTP最小單元尺寸(cell size)的記錄。

　　宏力半導(dǎo)體繼2009年與其戰(zhàn)略合作伙伴力旺電子成功開發(fā)0.18微米低本高效的OTP技術(shù)平臺后，已有20多件產(chǎn)品相繼投入量產(chǎn)，每月投片量達(dá)數(shù)千片。該OTP單元尺寸僅0.8平方微米，比市場上現(xiàn)有傳統(tǒng)的0.35微米OTP縮小達(dá)6倍，在創(chuàng)造行業(yè)記錄的同時，其出色的數(shù)據(jù)存儲性能也已在多顆MCU (微控制器)產(chǎn)品上得到了驗證。與傳統(tǒng)的0.35微米OTP制程相比，該0.18微米OTP制程采用了STI (淺槽隔離)代替LOCOS (局部場氧化)，并按照0.18微米后端制程的設(shè)計規(guī)則，使芯片的尺寸縮小30%以上。另一方面，該解決方案至少可以減少5層光罩層，使總光罩層數(shù)僅為14層。此外，宏力還提供整套硅驗證(silicon proven) IP及單元庫以幫助客戶大幅縮短產(chǎn)品上市的時間。