英特爾發(fā)布22nm技術(shù)

　　英特爾于5月4日宣布將在22nm節(jié)點采用“Tri-Gate”(三柵)晶體管技術(shù)，實現(xiàn)了歷史性的技術(shù)突破。

　　據(jù)英特爾介紹說，3-D Tri-Gate晶體管能夠支持技術(shù)發(fā)展速度，它能讓摩爾定律延續(xù)數(shù)年。該技術(shù)能促進(jìn)處理器性能大幅提升，并且可以更節(jié)能，新技術(shù)將用在未來22納米設(shè)備中，包括小的手機(jī)到大的云計算服務(wù)器都可以使用。

　　英特爾展示了22納米處理器，代號為Ivy Bridge，它將是首款使用3-D Tri-Gate晶體管的量產(chǎn)芯片。

　　英特爾CEO歐德寧說：“英特爾的科學(xué)家和工程師曾經(jīng)重新發(fā)明晶體管，這一次利用了3D架構(gòu)。很讓人震驚，改變世界的設(shè)備將被創(chuàng)造出來，我們將把摩爾定律帶入新的領(lǐng)域。”

　　長久以來，科學(xué)家就認(rèn)識到3D架構(gòu)可以延長摩爾定律時限。這次突破可以讓英特爾量產(chǎn)3-D Tri-Gate晶體管，從而進(jìn)入到摩爾定律的下一領(lǐng)域。

　　摩爾定律認(rèn)為由于硅技術(shù)的發(fā)展，每2年晶體管密度就會翻倍，它能增強(qiáng)功能和性能，降低成本。在過去四十年里，摩爾定律成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的基本商業(yè)模式。

　　通過使用3D晶體管，芯片可以在低電壓和低漏電下運行，從而使性能和能耗取得大幅改進(jìn)。在低電壓條件下，22納米的3-D Tri-Gate晶體管比英特爾32納米平面晶體管性能提高37%。這意味著它能用在許多小的手持設(shè)備中。另外，在相同的性能條件下，新的晶體管耗電不及2D平板晶體管、32納米芯片的一半。

　　首款3-D Tri-Gate晶體管22納米芯片代號為Ivy Bridge，英特爾展示了該芯片，它能用在筆記本、服務(wù)器和臺式機(jī)中。Ivy Bridge家族的芯片將成為首個大量生產(chǎn)的3-D Tri-Gate晶體管芯片，它將在年底開始量產(chǎn)。3-D Tri-Gate晶體管還將用在凌動芯片中。