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臺(tái)積電加入EIDEC聯(lián)盟

—— 挑戰(zhàn)深紫外線研發(fā)技術(shù)
作者: 時(shí)間:2011-06-15 來源:DigiTimes 收藏

  與日本瑞薩電子(Renesas)決定加入以研發(fā)次世代半導(dǎo)體制造技術(shù)為目標(biāo)的開發(fā)中心(EIDEC)。EIDEC是由東芝(Toshiba)領(lǐng)軍,由11間日本企業(yè)共同出資設(shè)立,致力于研究深紫外線(EUV)微影技術(shù)。

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/120435.htm

  目前EIDEC已經(jīng)和ASML等不少半導(dǎo)體大廠合作。其中包含在半導(dǎo)體市場(chǎng)占有率排行龍頭的英特爾(Intel)與老二三星電子(Samsung Electronics),如今坐落第3的也決定加入,造就出半導(dǎo)體三強(qiáng)攜手合作的局面。

  除了半導(dǎo)體廠外,日本國(guó)內(nèi)也有不少感光材料廠和光罩廠加入EIDEC。其中JSR、信越化學(xué)工業(yè)、東京應(yīng)化工業(yè)3間感光樹脂大廠的合計(jì)市場(chǎng)占有率就高達(dá)7成。大日本印刷及凸版印刷等各光罩廠的合計(jì)市場(chǎng)占有率也足足達(dá)到5成。

  ASML預(yù)計(jì)在2012年度對(duì)市場(chǎng)導(dǎo)入微影技術(shù)量產(chǎn)機(jī)器。但目前作為半導(dǎo)體設(shè)計(jì)圖的光罩、感光材料和裝置均面臨開發(fā)瓶頸,無法和其配合。瓶頸的原因之一,在于日本國(guó)內(nèi)的半導(dǎo)體廠商尚未全面使用最新技術(shù)進(jìn)行生產(chǎn),導(dǎo)致周圍廠商也不敢冒然跨入次世代市場(chǎng)。

  針對(duì)此問題,EIDEC決定從6月中旬開始集思廣益,讓將近40位來自各公司的頂尖工程師,齊聚在茨城縣筑波市的研究開發(fā)中心進(jìn)行研發(fā),目標(biāo)是在2015年底前成功研發(fā)微影技術(shù)生產(chǎn),并將該技術(shù)活用于NAND型快閃存儲(chǔ)器和系統(tǒng)芯片,提升自家半導(dǎo)體產(chǎn)品的性能與競(jìng)爭(zhēng)力。EIDEC希望能集各家之長(zhǎng)打破現(xiàn)況,創(chuàng)造10納米的半導(dǎo)體制程技術(shù)。

  東芝企圖在2013~2015年度開始量產(chǎn)次世代的NAND型快閃存儲(chǔ)器,屆時(shí)微影技術(shù)生產(chǎn)將是不可或缺的一環(huán)。由于單獨(dú)進(jìn)行技術(shù)開發(fā)必須支付龐大的費(fèi)用,所以東芝選擇和經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省合作,扮演EIDEC領(lǐng)導(dǎo),為次世代半導(dǎo)體市場(chǎng)捉刀。



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