Diodes推出40V 閘極驅(qū)動(dòng)器減少I(mǎi)GBT 開(kāi)關(guān)損耗

        Diodes 公司推出專為開(kāi)關(guān)高功率 IGBT 設(shè)計(jì)的 ZXGD3006E6 閘極驅(qū)動(dòng)器（gate driver） ，有助于提高太陽(yáng)能逆變器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和電源應(yīng)用的功率轉(zhuǎn)換效率。

        當(dāng)輸入電流為 1mA 時(shí)，該閘極驅(qū)動(dòng)器通?？商峁?4A 的驅(qū)動(dòng)電流，使其成為控制器的高輸出阻抗和 IGBT 的低輸入阻抗之間高增益緩沖級(jí)的最佳選擇。ZXGD3006E6 擁有一個(gè)發(fā)射極跟隨器配置，可防止閂鎖效應(yīng)（latch-up）及貫通問(wèn)題（shoot-through），實(shí)現(xiàn)少于 10ns 的傳輸延遲時(shí)間。

        ZXGD3006E6 的操作范圍涵蓋 40V，可全面改善開(kāi)關(guān)器件，從而把通態(tài)損耗降至最低。該器件同時(shí)允許從 +20V 至 -18V 的閘極驅(qū)動(dòng)，有助于防止由 dV/dt 引起的IGBT 誤觸發(fā)（false triggering）。

        這個(gè)閘極驅(qū)動(dòng)器提供獨(dú)立電源和路漏輸出（sink output），可分別器件開(kāi)啟及關(guān)閉時(shí)間，從而讓電路設(shè)計(jì)師能為特定應(yīng)用設(shè)定更佳的開(kāi)關(guān)功能。再加上擁有 10Amp 的峰值電流處理能力，該器件可控制大閘極容性負(fù)載的充電和放電，以減少更高運(yùn)行頻率下的 EMI（電磁干擾）問(wèn)題和跨導(dǎo)風(fēng)險(xiǎn)（cross conduction）。

        該閘極驅(qū)動(dòng)器采用堅(jiān)固耐用的 SOT26 封裝，可比競(jìng)爭(zhēng)器件提供更高的脈沖電流，確保減少熱耗散，從而提升產(chǎn)品可靠性。此外，新器件的封裝引腳經(jīng)過(guò)優(yōu)化，能簡(jiǎn)化印刷電路板布線，并減少寄生引線電感。