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恩智浦推出采用小型晶圓級CSP封裝的最佳性能LDO

—— 新型LD6806系列LDO集極低噪聲、低待機功耗和出色的ESD保護三大優(yōu)點于一身
作者: 時間:2011-10-24 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

        恩智浦半導體 Semiconductors N.V. (NASDAQ:I) 近日宣布其超低壓差穩(wěn)壓器()開始供貨。該產(chǎn)品具有超低壓差的特性,在200-mA額定電流下壓降僅為60 mV。采用超小型0.76 x 0.76 x 0.47mm晶圓級芯片級封裝 (WLCSP),所占用的電路板空間極小,是設計尺寸有限且對電池壽命要求極高的移動設備的理想之選。手機電池的放電幾乎與時間呈線性關(guān)系,但可以通過提供恒定的穩(wěn)壓輸出電壓,從而有效地改善這種狀況。舉例來說,假如一部智能手機的電池電壓下降至3.0 V,具有低壓差電壓特性的仍然可以在2.9 V的強制穩(wěn)定電源電壓下支持SD卡應用。LD6806CX4是恩智浦新型LD6806系列中的一員,各大經(jīng)銷商現(xiàn)已開始供貨。

LD6806系列的主要特點
• 恩智浦新型LD6806 LDO系列噪聲極低(僅30 µVRMS),可有效避免穩(wěn)壓輸出電源的變化,無需使用任何外部專用降噪電容。
• 支持電池供電應用,待機功耗僅為0.1 µA (典型值),有助于降低功耗、提高電池效率。
• LD6806系列ESD穩(wěn)健性首屈一指,高達10 kV(HBM),同時結(jié)合過熱保護和限流器,提供了優(yōu)秀的電路保護方案。
• LD6806現(xiàn)提供兩種封裝選擇:采用極小型DFN1410-6(SOT886)無引腳封裝的LD6806F,其尺寸僅為1.45 x 1.0 x 0.5 mm;采用5個引腳的SOT753通用消費級封裝的LD6806TD,標準尺寸為2.9 x 1.5 x 1.0 mm。
• 除提供上述封裝選擇以外,恩智浦的低壓差穩(wěn)壓器產(chǎn)品組合還包括PSRR性能高達75dB的LDO,比如采用超小型無引腳QFN封裝(SOT1194)的LD6805K,尺寸僅為1.0 x 1.0 mm,高度為0.55 mm (最大值)。

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/124949.htm

關(guān)鍵數(shù)據(jù):
• 市場調(diào)研公司Databeans在其2011年第三季度電源管理跟蹤報告(Power Management Tracker)中預測,到2016年,全球LDO穩(wěn)壓器市場規(guī)模將達32.93億美元。

積極評價:
• 恩智浦半導體集成分立器件產(chǎn)品線營銷總監(jiān)Dirk Wittorf博士表示:“穩(wěn)壓器在電池供電型電子設備的電源效率和性能管理方面發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。恩智浦認為,采用小型封裝的高功效、低噪聲LDO和DC/DC轉(zhuǎn)換器是滿足各種電壓要求必不可少的元件,特別適用于目前快速普及的智能手機、音樂播放器、平板電腦等便攜式設備。憑借廣泛的標準產(chǎn)品組合,以及我們在生產(chǎn)方面的規(guī)模經(jīng)濟效應和質(zhì)量保證,恩智浦為系統(tǒng)設計師們提供了世界一流的能效、組件集成和封裝技術(shù)方面的專業(yè)技能,從而賦予他們極大優(yōu)勢。”
• 恩智浦半導體集成分立器件部國際產(chǎn)品營銷經(jīng)理Frank Hildebrandt則表示:“我們面向移動應用的最新LDO產(chǎn)品充分發(fā)揮了恩智浦在晶圓級CSP封裝工藝領域的優(yōu)勢,并將其與現(xiàn)今最佳壓降性能有效結(jié)合,在延長電池壽命、減少電路板占用空間等重要方面創(chuàng)造了有利條件。一家大型手機OEM制造商對我們采用芯片級封裝的LDO的機械性能給出了極高評價,這是對恩智浦生產(chǎn)方式的高度認可。”



關(guān)鍵詞: NXP LDO LD6806CX4

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