臺(tái)積研發(fā)費(fèi)用400億創(chuàng)歷史新高

　　晶圓代工龍頭臺(tái)積電年度技術(shù)論壇在新竹登場(chǎng)，為維持技術(shù)領(lǐng)先地位，內(nèi)部確定今年研發(fā)費(fèi)用占年度營(yíng)收比重8%，業(yè)界推算研發(fā)費(fèi)用上看400億元，創(chuàng)下歷史新高，年增逾18%，全力防堵競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手三星和英特爾滲透晶圓代工市場(chǎng)。

　　根據(jù)行政院主計(jì)總處的統(tǒng)計(jì)，民國(guó)99年時(shí)，我國(guó)研發(fā)經(jīng)費(fèi)約占GDP約2.9%，較98年度的2.94%下滑，政府希望提升至3%。由此可見(jiàn)臺(tái)積電的研發(fā)費(fèi)用比重之高。

　　臺(tái)積電年度技術(shù)論壇今天展開(kāi)，董事長(zhǎng)張忠謀不會(huì)出席，但在年報(bào)中確定今年研發(fā)費(fèi)用將繼續(xù)提升，讓客戶對(duì)臺(tái)積電在技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)力更具信心。

　　今年是臺(tái)積電連續(xù)第4年研發(fā)費(fèi)用年增兩位數(shù)，根據(jù)最新的臺(tái)積電年報(bào)，今年研發(fā)費(fèi)用占總營(yíng)收比約8%，比去年7.9%微幅增加，法人預(yù)估今年臺(tái)積電在28納米需求大幅帶動(dòng)下，年?duì)I收可挑戰(zhàn)5,000億元?dú)v史新高，換算今年研發(fā)費(fèi)用將上看400億元。

　　臺(tái)積電日前法說(shuō)已大幅提高資本支出，從60億美元拉升到80億至85億美元，調(diào)升幅度最高來(lái)到41.6%，主要用以28納米的擴(kuò)增與20納米提前導(dǎo)入。去年臺(tái)積電研發(fā)費(fèi)用首度突破10億美元，年增近15%，今年研發(fā)費(fèi)用來(lái)到400億元，等于年成長(zhǎng)率上看18%以上。

　　臺(tái)積電研發(fā)費(fèi)用將用于下一世代先進(jìn)制程的開(kāi)發(fā)，其中20納米預(yù)計(jì)今年底生產(chǎn)，3D-IC將預(yù)計(jì)民國(guó)101年至102年量產(chǎn)，14納米則預(yù)計(jì)民國(guó)103年量產(chǎn)。ICInsights曾統(tǒng)計(jì)，臺(tái)積電2010年因?yàn)檠邪l(fā)費(fèi)用年增44%，來(lái)到9.45億美元，首度擠入全球第十大研發(fā)費(fèi)用之半導(dǎo)體廠，在高研發(fā)支出政策持續(xù)執(zhí)行下，臺(tái)積電將穩(wěn)居全球半導(dǎo)體研發(fā)支出金額最高的前十大業(yè)者。