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導入FinFET制程技術 聯(lián)電14奈米后年亮相

—— 預計效能可較現(xiàn)今28nm制程提升35~40%
作者: 時間:2012-11-05 來源:SEMI 收藏

  鰭式電晶體()制程技術將于后年初開始試產(chǎn)。正全力研發(fā)新一代制程技術,預計效能可較現(xiàn)今28nm制程提升35~40%,可提供通訊晶片與應用低功耗與高效能優(yōu)勢,擴大搶攻通訊與消費性電子IC制造商機。

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/138539.htm

  執(zhí)行長孫世偉表示,制程技術將會是聯(lián)電切入未來次世代通訊運算市場的最佳利器。

  聯(lián)電執(zhí)行長孫世偉表示,由于晶圓從28跨入20nm制程以下的微縮過程中,勢必得使用雙重曝光(DoublePatterning)微影技術才能實現(xiàn),而此一技術無論是微影機臺或人力研發(fā)等成本都相當高昂,因此造成許多出貨量不大的IC設計商不愿投資大筆資金導入,間接使20nm市場需求無法擴大。

  具備低功耗特性的FinFET制程技術,盡管仍無法省去雙重曝光微影技術的成本,但卻能大幅提升單位面積內(nèi)電晶體的整體效能,降低IC設計商因雙重曝光微影技術所帶來的成本沖擊,因此遂成為各家晶圓代工業(yè)者爭相競逐的技術。

  孫世偉進一步指出,在IBMFinFET技術授權的基礎下,聯(lián)電將跳過20nm制程,直接跨入14nmFinFET制程技術,藉此為通訊與行動運算領域客戶提供更具效能優(yōu)勢的解決方案。此一新制程目前正于南科研究中心全力研發(fā)中,預計2014年初可完成驗證,并旋即進行試產(chǎn)。

  然而,相較于臺積電與格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)均表示將于2014年初量產(chǎn)16/14nmFinFET,聯(lián)電量產(chǎn)時程顯然稍慢,如何后發(fā)先至遂成為業(yè)界關注焦點。孫世偉強調(diào),盡管聯(lián)電在此一制程上的研發(fā)起步較晚,但相對FinFET制程所需的機臺制造技術亦較為成熟,且設備價格也較為便宜,再加上與IBM技術交流等助益,未來量產(chǎn)品質與時程都將可較競爭對手更符合客戶需求。

  另一方面,聯(lián)電28nm產(chǎn)品線則可望于年底量產(chǎn),并于明年第一季開始貢獻營收。孫世偉補充,首波28nmPorting產(chǎn)品在經(jīng)過幾個月元件及制程參數(shù)調(diào)整后,良率已獲得顯著提升,且公司亦于第三季成功投片(Tapeout)使用28nm后閘極(Gate-last)高介電質金屬閘極(HKMG)制程的行動通訊產(chǎn)品,并陸續(xù)與相關客戶密切合作中。

  據(jù)悉,目前聯(lián)電晶圓廠產(chǎn)能利用率為84%,其中,40nm先進制程比重持續(xù)提升中,且平均銷售單價較上季攀升,并已刺激營業(yè)收入向上成長,而營收貢獻亦從第二季9%成長至第三季的13%,年底前則可望到達15%。

  除標準產(chǎn)品外,聯(lián)電也開始提供適用于觸控晶片領域的解決方案--embeddedFlash特殊制程技術平臺,并已有數(shù)家主流觸控廠商開始采用,而這些特殊制程技術也可望為聯(lián)電營收成長注入全新動能。

  此外,對于各大晶圓廠皆預期第四季與明年初營收成長將趨緩,孫世偉表示,現(xiàn)今晶圓代工制造正處在庫存調(diào)整及景氣循環(huán)周期中,聯(lián)電預估此波庫存調(diào)整將持續(xù)至明年初,景氣回溫的脈動將取決于明年總體經(jīng)濟、終端產(chǎn)品市場需求與新產(chǎn)品交替力道強弱;而公司未來將持續(xù)擴大客戶層面,改善產(chǎn)品組合,并進一步提升產(chǎn)能調(diào)配的彈性來降低周期性波動所帶來的沖擊。



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