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TSMC如何看18英寸和摩爾定律

作者:王瑩 時間:2013-02-19 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏
現(xiàn)在已有三座12英寸晶圓廠,下一步會是18英寸廠。從時間上來看,18英寸晶圓真正投入生產(chǎn)應(yīng)該在2016年之后。中國業(yè)務(wù)發(fā)展副總經(jīng)理羅鎮(zhèn)球稱。
 
現(xiàn)在有三家公司(英特爾、、三星)投資ASML光刻設(shè)備的計劃,因為在進入18英寸時會有很多的坎要過,包含設(shè)備、光學等。
 
目前看來10納米的光刻工藝基本上只有兩種選擇,一個是EUV深紫外光,一個是Immersion浸潤式光刻技術(shù)。Immersion技術(shù)是TSMC的研發(fā)人員開始研發(fā)的。事實上,無論是走到EUV,還是Immersion,整個成本支出跟批量生產(chǎn)的能力都還有許多困難要克服。
 
在工藝的發(fā)展上有物理上的極限,大家想把技術(shù)做到物理的極限。然而在產(chǎn)業(yè)整體來看, 我們面對的不僅僅是物理的極限,還有經(jīng)濟上的極限和功耗的極限。
 
那么,摩爾定律還能撐多久?實際上,摩爾定律是個比較概念性的說法。目前TSMC的研發(fā)人員已經(jīng)在研究7納米。摩爾定律有很多坎要走,可能也不會像過去說18個月翻番,他可能會變成20個月、24個月。可是這個概念一直還是往下走。我們看到7納米是可以做到的。羅鎮(zhèn)球說。
 
不僅在工藝方面,在材料和器件結(jié)構(gòu)方面也在演進。例如TSMC進入28nm時,就開始采用高K-金屬柵極(HKMG)等材料;TSMC進入16nm時,將開始采用FinFET 3D晶體管技術(shù)。
 
未來進入10nm、7nm時怎么做,怎么進入18英寸?三個大聯(lián)盟成員(TSMC、英特爾和三星)可能各有各的思路。


關(guān)鍵詞: TSMC 集成電路 制造

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