IR 推出D類音頻參考設(shè)計
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IR公司節(jié)能產(chǎn)品部副總裁譚仲能先生指出:“通過采用業(yè)界領(lǐng)先的功率MOSFETS對我們的D類音頻高壓集成電路進行優(yōu)化,IRAUDAMP3能夠為我們的客戶提供顯著的性能和尺寸方面的優(yōu)勢。”
集成了IRS20124S高壓集成電路的參考設(shè)計具有內(nèi)部可選死區(qū)時間發(fā)生電路,可以防止噪聲和電源電壓波動,有助于在60W、4Ω的情況下實現(xiàn)0.01%的總諧波失真(THD),而在120W、4Ω單通道可實現(xiàn)94%的效率。此外,該集成電路還內(nèi)置了雙電流感測和集成的關(guān)斷功能,在出現(xiàn)揚聲器引線短路等過流狀況時保護輸出MOSFET。
IRAUDAMP3的占板面積為4.5平方英寸,也采用了IRF6645 DirectFET 功率MOSFET。創(chuàng)新的DirectFET封裝技術(shù)通過降低引線電感提高了開關(guān)性能,并降低了EMI噪聲,從而提高了D類音頻放大器電路的性能。其較高的熱性能有助于實現(xiàn)4Ω阻抗下的120W運行,而無需使用散熱器,這樣不僅縮小了電路尺寸,還為設(shè)計師作電路布局提供了更大的靈活性,降低了放大器系統(tǒng)的總體成本。
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